賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內具有1.0～2.5W的高功率等級。
今天發布的這些器件采用性能穩定的薄膜，在+70℃下工作2000小時后仍具有1000pp
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有低電容和低泄漏電流的新款ESD保護陣列---VBUS053CZ-HAF，能夠保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號的影響。在5.5V的工作范圍內，新的VBUS053CZ-HAF可為3條線路提供USB ESD保護，在28V工作范圍內對一條VBUS線路提供保護
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET? 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分別具有16m?、26m?、32m?和95m?的超低導通電阻。最接
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2011 年 1 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款提供eSMP?表面貼裝和軸向引線封裝選項的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，擴大其用于太陽能電池旁路應用的TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。
今天發布的器件可在低壓、高頻逆變器和太陽能電池接線盒中實現更高的電流密度，在這些應用中
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布用于遙控系統的新系列微型紅外接收器--- TSOP85…AP5，擴充其光電子產品組合。這些接收器將一個PIN二極管、前置放大器和用于PCM頻段的內部濾波器裝入一個頂視尺寸只有1.3mm的超薄封裝內。TSOP85…AP5器件具有高靈敏度與尺寸比，具有±75°的寬視角及靈敏度為0.15mW/m2～0.35mW/m2。
今天發布的器件具有
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新的采用1212外形尺寸的IHLP?低外形、高電流電感器---IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11。小尺寸的IHLP-1212AB-11和IHLP-1212AE-11的占位為3.0mmx3.6mm，分別具有1.2mm和1.5mm的超低厚度。
IHLP-1212AB-11和 IHLP-1212AE-11具有最高
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2010年12月21日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用2012和4527外形尺寸的新系列表面貼裝的高精度、高穩定性金屬膜電阻 --- PSF系列。該系列電阻具有±5 ppm/℃的極低溫度系數和0.01%的容差，在各種環境條件下均具有優異的穩定性。
PSF器件是Vishay的軸向引線PTF系列電阻的表面貼裝版本，為精密測試和測量系統，以及軍工、航天和工業設備和儀表中的高精度應用進行了優化
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2010年12月21日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其在菲律賓首都馬尼拉郊區的制造工廠因在環境和安全方面的突出表現，榮獲菲律賓政府在2010年頒發的3個獎項，這些獎項包括總統辦公室與環境和自然資源部頒發的環境表現表彰證書，能源部頒發的能效和優秀能源管理獎，勞工部頒發的安全里程碑獎。
菲律賓總統Gloria Macapagal Arroyo親自向Vishay頒發環境表現表彰證書。僅有其他7家在菲律賓的公司榮獲了這個聲譽卓著的獎項。要獲得
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2010年12月14日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列的固鉭貼片電容器 --- 592W。穩定耐用的592W電容器專門針對無線調制解調器中的脈沖工作模式而設計，在6.3V～10V電壓范圍內，具有330μF～2200μF的高容值，3種外形尺寸的高度為1.6mm和2.0mm。
今天發布的電容器在各種溫度、脈沖重復間隔和電壓條件下均具有穩定的電氣性能。可應用在無線調制解調器、固態驅動器和移動立體聲音頻中，作為大容量儲
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2010年12月16日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出完全集成的接近和環境光光學傳感器--- VCNL4000，在業內首次將一個紅外發射器、光電二極管、環境光探測器、信號處理IC和一個16位ADC組合到小尺寸3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的無引線(LLP)表面貼裝封裝內。節省空間的VCNL4000支持易用的I2C總線通信接口，在各種各樣的消費和工業應用中能夠大大簡化設計。
新的VCNL4000可在智能手機、觸摸
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2010年12月6日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列螺絲端子功率鋁電容器 --- 500 PGP-ST。這些高效電容器具有1,000μF、450V至15,000μF、400V的容值/電壓組合，提供從50mm x 80mm至90mm x 220mm共9種外形尺寸。
新款500 PGP-ST電容器采用圓柱形鋁外殼密封，并帶有壓力釋放裝置，外部采用藍色套筒進行絕緣，在+85℃下的額定紋波電流高達24.1A，在+85℃下的使用壽
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2010年11月22日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過DSCC檢驗的新款零阻值貼片電阻 --- RCWPM Jumper，該電阻通過了MIL-PRF-32159的RCZ型認證。對于軍工、航空、航天、醫療及其他在惡劣環境中的應用，RCWPM Jumper提供了確定的可靠性和軍品級的失效率。
RCWPM Jumper采用穩定的厚膜電阻體和96%氧化鋁襯底，“B”型接頭的鎳阻擋層外又裹了一層
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2010年11月24日，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司榮獲中電會展與信息傳播有限公司(CEEIC)頒發的“分立半導體類”2010中國市場電子元器件領軍廠商獎(CMECMA)。
中國市場電子元器件領軍廠商的獲獎企業是根據中國電子制造商采購行為調查(PSCEM)的結果得出的，該調查由中電會展與信息傳播有限公司和電子元件技術網每年舉行一次。該調查的目的是改善供需雙方的溝通，推動新型供應服務，以及提高采購效率。
作為調查的一部分，
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器件是業界首款標定在4.5V柵極驅動下導通的80V功率MOSFET，導通電阻為8.5mΩ
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR880DP 80V ThunderFET?功率MOSFET榮獲《今日電子》雜志評選的第八屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎。
《今日電子》的編輯從開創性的設計、在技術或應用方面取得的顯著進步，以及價格和性能上的重要成就三個方面，對前一
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業界此類器件當中最低的。
SiHG47N60
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