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Vishay推出新款高速PIN光電二極管
- 器件具有高達(dá)17μA的反向光電流、±20°的半靈敏度角，10ns的快速開(kāi)關(guān)時(shí)間能夠提高數(shù)據(jù)傳輸速率日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款具有高感光靈敏度和快速開(kāi)關(guān)時(shí)間的高速硅PIN光電二極管，二極管采用透明和黑色樹(shù)脂T1塑料封裝，擴(kuò)大了Vishay的光電子產(chǎn)品組合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透鏡，具有高達(dá)17μA的反向光電流和±20°的半靈敏度角。今天發(fā)布的器件特別適合儀表應(yīng)用中的數(shù)據(jù)傳輸、光中斷器、光學(xué)開(kāi)關(guān)、編碼器和
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Vishay新款采用2906外形尺寸的Power Metal Strip?儀表分流電阻具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。 WSMS2906儀表分流電阻采用獨(dú)有的工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)300μΩ～660μ?的極低阻值。低阻值能夠有效提高工業(yè)和消費(fèi)類單相和多相電能表的電流表分流應(yīng)用中的計(jì)量精度。新電阻的容差只有5%，使電力公司能夠獲得更精確的數(shù)據(jù)來(lái)測(cè)定用戶的用電量，并調(diào)整收費(fèi)項(xiàng)目。WSMS2906采
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新款Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級(jí)MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件，擴(kuò)充其MICRO FOOT? TrenchFET? Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類器件，而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片級(jí)器件中具有最低的導(dǎo)通電阻。Vishay的TrenchFET G
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Vishay發(fā)布新款通過(guò)MIL-PRF-83401認(rèn)證的單片在線路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)
- 器件可提供6、8和10引腳的封裝形式，具有±25ppm/℃的TCR和±0.05%的嚴(yán)格比例容差日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款通過(guò)MIL-PRF-83401認(rèn)證(標(biāo)準(zhǔn)碼57489)的通孔、單片在線路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)。M83401具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，5ppm/℃的TCR跟蹤和±0.05%的嚴(yán)格比例容差，超出MIL-PRF-83401 R、V和H特性對(duì)所有性能指標(biāo)的要求。 今天發(fā)布的電阻網(wǎng)絡(luò)具有3～9個(gè)電阻，提供
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Vishay采用3124尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用3124尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻，該電阻具有3W功率及100μΩ的極低阻值。可以用電子束焊接的方法，把WSMS3124放置在電力功率表中用做分流裝置。電阻在物理形狀上也進(jìn)行了設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)了非常低的TC特性(低至75ppm/℃)。 WSMS3124儀表分流電阻采用專有的加工工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)100μΩ～750μ?的極低阻值。在工業(yè)和
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Vishay發(fā)布具有出色亮度的白色和彩色超薄ChipLED
- 彩色和白色器件的最大發(fā)光強(qiáng)度分別達(dá)450mcd和180mcd，高度為0.8mm 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一系列采用最小的SMD 0604封裝的超薄、超亮LED。新的VLMx1300系列LED使用了創(chuàng)新的ChipLED技術(shù)，為實(shí)現(xiàn)更高性能、設(shè)計(jì)更靈活、應(yīng)用更強(qiáng)大但尺寸更小的終端產(chǎn)品鋪平了道路。0603 VLMx1300 LED可用于條件苛刻的環(huán)境中必須能可靠工作的小尺寸、高亮度的產(chǎn)品。 VLMx1300系列中的
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Vishay發(fā)布具有0mm至10mm短電氣行程的線性位置霍爾效應(yīng)傳感器
- 新器件采用彈簧復(fù)位系統(tǒng)，具有低至±1%的線性度和長(zhǎng)達(dá)1000萬(wàn)次循環(huán)的壽命 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用非接觸式霍爾效應(yīng)技術(shù)的線性位置傳感器。20 LHE傳感器適合在惡劣環(huán)境中要求采用長(zhǎng)壽命傳感器的應(yīng)用。新型20 LHE所采用的霍爾效應(yīng)技術(shù)使其能在高達(dá)20G的高頻震動(dòng)和50G的沖擊條件下正常工作。器件的壽命長(zhǎng)達(dá)1000萬(wàn)次循環(huán)，是裝卸叉車轉(zhuǎn)向的舵柄頭、牽引機(jī)齒輪換擋、卡車傾斜傳感器、壓力測(cè)量和踏板替換系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用中短
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Vishay推出新款采用2512外形尺寸的Power Metal Strip?電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。WSLP2512電阻的先進(jìn)結(jié)構(gòu)包括具有低TCR(<20PPM/℃)的固態(tài)金屬鎳鉻或錳銅合金電阻芯，以及專門(mén)挑選并進(jìn)行穩(wěn)定化處理的材料，使這種高功率電阻的工作溫度范圍達(dá)到-65℃～+170℃，同時(shí)保持Power Metal Strip結(jié)構(gòu)的優(yōu)異電氣特性。新器件使高性能終端產(chǎn)
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Vishay發(fā)布新款45V TMBS? TrenchMOS勢(shì)壘肖特基整流器
- 器件具有10A～40A的寬額定電流范圍，在20A電流下的典型VF低至0.51V日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出12款采用3種功率封裝、具有10A～40A額定電流范圍的新型45V器件，擴(kuò)充其TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器。這些整流器在20A電流下具有0.51V的極低正向壓降，適合在太陽(yáng)能電池接線盒中用作起保護(hù)作用的旁路二極管。 今天發(fā)布的產(chǎn)品包括單芯片V(B,F)T1045BP、V(B,F)T2045BP、V(
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具有更高功率耗散的新型LPS電阻
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Vishay Dale連接器產(chǎn)品概覽
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Vishay擴(kuò)展VLMW41XX系列 保持顏色均勻性
- 器件基于藍(lán)寶石的冷白光SMD LED的色域裝箱和訂購(gòu)選項(xiàng)；現(xiàn)可提供14個(gè)窄色域，有4種相近的顏色分組可供選擇。 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 8 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為滿足在各種照明應(yīng)用中對(duì)顏色均勻性的要求，Vishay擴(kuò)大了VLMW41XX系列采用PLCC-2封裝、基于藍(lán)寶石的冷白光SMD LED的色域裝箱和訂購(gòu)選項(xiàng)。器件現(xiàn)可提供14種不同的色域，根據(jù)CIE1931進(jìn)行非常窄的色度坐標(biāo)分組。
- 軟件大小：未知星級(jí)：更新時(shí)間：2011-09-14
Vishay推出業(yè)內(nèi)首個(gè)4接頭、1W的檢流電阻
- Vishay推出業(yè)內(nèi)首個(gè)4接頭、1W的檢流電阻 器件采用0612封裝尺寸、阻值為0.5 mΩ～5 mΩ 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。 WSK0612電阻的小尺寸使其能替代更大的檢流電阻，
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Vishay推出最低導(dǎo)通電阻P溝道功率MOSFET
- 器件在4.5V下導(dǎo)通電阻僅為34m?，具有1.6mm x 1.6mm的占位面積和不到0.8mm的高度，可在1.2V的電壓下導(dǎo)通，適用于更低電壓的手持式電子產(chǎn)品 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 8 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V
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Vishay推出用于醫(yī)療磁力共振設(shè)備的無(wú)磁性MLCC
- 新款器件提供C0G和X7R/X5R電介質(zhì)，6.3VDC～3000VDC的額定電壓、0.5pF～6.8μF的電容值和11種外形尺寸 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 8 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于MRI(磁力共振影像)設(shè)備的新系列無(wú)磁性表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ。VJ系列無(wú)磁性電容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R電介質(zhì)，提供多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件。 近年
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