- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 4 月 1 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，在Vishay網站上推出可幫助設計者為其應用選擇合適的繞線電阻的免費在線脈沖能量計算器。
Vishay新的Joule School在線脈沖能量計算器(請訪問http://www.vishay.com/resistors/
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 31 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款IHLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm，高度僅有4.0mm，低至1.35m?的最大DCR和從0.22μH至47.0μH的標準感值可提供系統所需的高效率。
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT。與傳統薄膜電阻相比，PLTT電阻的工作溫度范圍幾乎擴大了100℃，并具有低至±5ppm/℃的標準TCR和低至±0.02%的容差。
今天
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Hi-Rel COTS系列固鉭貼片電容器。這些電容器提供威布爾分級、符合per MIL PRF 55365標準的浪涌電流測試選項、低ESR選項，并且內置熔絲，從而在關鍵應用中達到高可靠性和提供短路保護。
T86系列器件具有內部熔絲熔斷機制 ，在+25℃下施加電流超過5A，熔絲在0
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內，這些器件具有低至±5ppm/℃的標準TCR。
憑借性能穩定的薄膜材料，以及在+70℃下經過10000小時仍能達到500ppm的性能特性，PLT系列器件可針對工業、
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長達5000小時，在+105℃下的額定紋波電流高達34.8A，提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。
圓柱形的鋁外殼與密封圓盤里的藍色
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產品中最佳的，該數值是衡量DC/
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
新的 SiA923
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產品中最佳的，該數值是衡量D
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
新的 SiA9
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 2 月24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2908，在業內首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線，無需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內，WSMS2908實現了3W功率和100 μΩ的極低阻值。
WSMS2908儀表分流電阻采用獨
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- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 2 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產品推出新的“V”低壓電源選項，擴充其光電子產品組合，以滿足電池供電的消費產品對更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃～+85℃的溫度范圍內工作時，V系列器件始終能夠保持穩定的靈敏度等級。
在采用2節堿性電池的應用中，以160mA負載工作3小時，電
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 2 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，已在其網站上添加了一個詳細介紹紅外接收器如何在3D電視主動式快門眼鏡中工作的視頻在線講座。
3D電視中的紅外接收器會接收來自3D電 視機的同步信號，然后開啟和關閉每個眼鏡鏡片中的LCD快門，產生立體的3D電視效果。
Vishay的TSOP75D25和T
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 2 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出8通道單端模擬復用器高可靠性DG408，擴充其按照MIL-PRF-38535規范進行篩選的模擬開關和復用器系列。
2010年6月，Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠再次通過DSCC認證，可以按MIL-PRF-38535篩選規范制造模擬開關和復用器。MIL-
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