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適于先進CMOS技術的脈沖可靠性測試（英文）
Traditionally, DC stress and measure techniques have been widely used for characterizing the reliability of CMOS transistors, such as the degradation due to channel hot carrier injection (HCI) and Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB).
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- 發布公司：Keithley
- 文件大小：255.26 Kb
- 更新時間：2010-01-18 15:31:17
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