- 我們用在高頻旁路(去藕)的電容是MLCC電容,也就是多層層級陶瓷電容。主要是高頻特性好,通過使用SIPCAP軟件可以方真出其電容的限帶頻點。
鉭電容與鋁電容比較如下:
電解電容的分類,傳統的方法都是按陽極材質,比如說鋁或者鉭。所以,電解電容按陽極分,為以下幾種:
1.鋁電解電容。不管是SMT貼片工藝的,還是直插式的,只要它們的陽極材質是鋁,那么他們就都叫做鋁電解電容。電容的封裝方式和電容的品質本身并無直接聯系,電容的性能只取決于具體型號。
2.鉭電解電容。陽極由鉭構成。目前很多鉭電解電容都用貼片
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- 定義
電容(或稱電容量)是表征電容器容納電荷本領的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量,叫做電容器的電容。電容器從物理學上講,它是一種靜態電荷存儲介質(就像一只水桶一樣,你可以把電荷充存進去,在沒有放電回路的[1]情況下,刨除介質漏電自放電效應/電解電容比較明顯,可能電荷會永久存在,這是它的特征),它的用途較廣,它是電子、電力領域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、隔直流等電路中。 電容的符號是C。
C=εS/d=εS/4πkd(真空)
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- 在陰極-陽極之間有一個或多個柵極、具有控制特性的熱陰極充氣管。閘流管出現于20世紀20年代末。早期的閘流管為靜電控制閘流管,管內充有惰性氣體或汞蒸氣。在第二次世界大戰中,隨著雷達的發展又研制出氫閘流管。
閘流管(Thyratron)
1、靜電閘流管
2、氫閘流管(Hydrogen Thyratron)
柵極加上正向電壓后,陰極發射出的電子便在電場的作用下向柵極運動。在運動過程中,電子不斷與氣體分子相碰撞,使部分氣體分子電離,形成新的電子和離子。新的電子也向柵極運動,又會出現新的電離;
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- 繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(又稱輸入回路)和被控制系統(又稱輸出回路),通常應用于自動控制電路中,它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。
繼電器的定義
繼電器是一種當輸入量(電、磁、聲、光、熱)達到一定值時,輸出量將發生跳躍式變化的自動控制器件。
繼電器的繼電特性
繼電器的輸入信號x從零連續增加達到銜鐵開始吸合時的動作值xx,繼電器的輸出信號立刻從y=0跳躍到y=ym,即常開觸點
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- 定義
又名“光檢測器”,是光接收機的首要部分,能檢測出入射到其面上的光功率,并把這個光功率的變化轉化為相應的電流。由于光信號在光纖中有損耗和失真所以對光探測器的性能要求很高。其中最重要的要求是在所用的光源的波長范圍內有較高的靈敏度、較小的噪聲,響應速度快以適應速率傳輸。 光探測器一般要滿足以下要求:
(1)在系統工作要求的波長區域范圍內,有高的量子效率;
(2)響應速度快;
(3)具有好的線性輸入-輸出性質;
(4)能在通常條件下可靠的工作。
類型
光電倍增管、熱
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- 定義
紅外線是太陽光線中眾多不可見光線中的一種,由德國科學家霍胥爾于1800年發現,又稱為紅外熱輻射,他將太陽光用三棱鏡分解開,在各種不同顏色的色帶位置上放置了溫度計,試圖測量各種顏色的光的加熱效應。結果發現,位于紅光外側的那支溫度計升溫最快。因此得到結論:太陽光譜中,紅光的外側必定存在看不見的光線,這就是紅外線。也可以當作傳輸之媒界。 太陽光譜上紅外線的波長大于可見光線,波長為0.75~1000μm。紅外線可分為三部分,即近紅外線,波長為(0.75-1)~(2.5-3)μm之間;中紅外線,波長為(2.
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- 光電子學是指光波波段,即紅外線、可見光、紫外線和軟X射線(頻率范圍3×1011Hz~3×1016Hz或波長范圍1mm~10nm)波段的電子學。光電子技術在經過80年代與其相關技術相互交叉滲透之后,90年代,其技術和應用取得了飛速發展,在社會信息化中起著越來越重要的作用。
在光盤技術的促進下,近年來可見光半導體激光二極管和發光二級管得到了較快的發展。藍綠光可見光半導體激光二級管(LD)和藍綠光半導體發光二極管、黃橙紅光可見光激光二極管和高亮度黃橙紅綠光發光二極管都已商品化。今后的發展需要繼續解決提高亮度,
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- 光耦合器(optical coupler,英文縮寫為OC)亦稱光電隔離器,簡稱光耦。光耦合器以光為媒介傳輸電信號。它對輸入、輸出電信號有良好的隔離作用,所以,它在各種電路中得到廣泛的應用。目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。光耦合器一般由三部分組成:光的發射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅動發光二極管(LED),使之發出一定波長的光,被光探測器接收而產生光電流,再經過進一步放大后輸出。
簡介
這就完成了電—光—電的轉換,從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離,電信
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- 晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發出世界上第一款晶閘管產品,并于1958年將其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極; 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
定義
晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。
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- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明
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- 開關穩壓器使用輸出級,重復切換“開”和“關”狀態,與能量存貯部件(電容器和感應器)一起產生輸出電壓。它的調整是通過根據輸出電壓的反饋樣本來調整切換定時來實現的。在固定頻率的穩壓器中,通過調節一個周期內的高低電平的時間占空比來實現對輸出電壓的控制,假設設定高電平時接通,此時對能量存儲元件充電,使電容的電壓升高,輸出電壓就是電容的電壓也就增大了,反之同理。 這就是所謂的 PWM 控制。在門控振蕩器或脈沖模式穩壓器中,開關脈沖的寬度和頻率保持恒定,但是,輸出開關的“開”或“關”由反饋控制。
根據開關和能量存
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- 隔離式電源是指輸入和輸出通過變壓器等磁性元器件電氣連接的,即使將輸出短路也不會有太大問題,而非隔離的電源輸入和輸出是有電氣直接連接的,如果接觸輸出是會有觸電危險的,對于隔離式電源的輸出電壓是可以通過變壓器進行調整的。
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- 開關在電路中起接通信號或斷開信號的作用,最常見的可控開關是繼電器,當給驅動繼電器的驅動電路加高電平或低電平時,繼電器就吸合或釋放,其觸點接通或斷開電路,CMOS模擬開關是一種可控開關,它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數字信號。
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- 橋式整流器(整流橋)產品是由四只整流硅芯片作橋式連接,外用絕緣朔料封裝而成,大功率橋式整流器在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強散熱。橋式整流器品種多:有扁形、圓形、方形、板凳形(分直插與貼片)等,有GPP與O/J結構之分。最大整流電流從0.5A到100A,最高反向峰值電壓從50V到1600V。
半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,
選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓.
整流橋堆一般用在全波整流電
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- 中文名稱:雪崩光電二極管 英文名稱:avalanche photodiode;APD
定義:一種半導體光器件。在加偏壓作用下,初始光電流通過電荷載流子累積倍增而得到放大。
名詞釋義
英文縮寫: APD (Avalanche Photo Diode) 分 類: 電信設備解 釋: 激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結上加上反向偏壓后,射入的光被P-N結吸收后會形成光電流。加大反向偏壓會產生“雪崩”(即光電流成倍地激增)的現象,因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”。
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