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- 我們用在高頻旁路（去藕）的電容是MLCC電容,也就是多層層級陶瓷電容。主要是高頻特性好，通過使用SIPCAP軟件可以方真出其電容的限帶頻點。
鉭電容與鋁電容比較如下:
電解電容的分類，傳統(tǒng)的方法都是按陽極材質(zhì)，比如說鋁或者鉭。所以，電解電容按陽極分，為以下幾種：
1．鋁電解電容。不管是SMT貼片工藝的，還是直插式的，只要它們的陽極材質(zhì)是鋁，那么他們就都叫做鋁電解電容。電容的封裝方式和電容的品質(zhì)本身并無直接聯(lián)系，電容的性能只取決于具體型號。
2．鉭電解電容。陽極由鉭構(gòu)成。目前很多鉭電解電容都用貼片
- 軟件大小：未知星級：更新時間：2010-12-10
- 定義
電容（或稱電容量）是表征電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。電容器從物理學上講，它是一種靜態(tài)電荷存儲介質(zhì)（就像一只水桶一樣，你可以把電荷充存進去，在沒有放電回路的[1]情況下，刨除介質(zhì)漏電自放電效應/電解電容比較明顯，可能電荷會永久存在，這是它的特征），它的用途較廣，它是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、隔直流等電路中。 電容的符號是C。
C=εS/d=εS/4πkd(真空)
- 軟件大小：未知星級：更新時間：2010-12-10
- 在陰極－陽極之間有一個或多個柵極、具有控制特性的熱陰極充氣管。閘流管出現(xiàn)于20世紀20年代末。早期的閘流管為靜電控制閘流管，管內(nèi)充有惰性氣體或汞蒸氣。在第二次世界大戰(zhàn)中，隨著雷達的發(fā)展又研制出氫閘流管。
閘流管（Thyratron)
1、靜電閘流管
2、氫閘流管(Hydrogen Thyratron)
柵極加上正向電壓后，陰極發(fā)射出的電子便在電場的作用下向柵極運動。在運動過程中，電子不斷與氣體分子相碰撞,使部分氣體分子電離,形成新的電子和離子。新的電子也向柵極運動，又會出現(xiàn)新的電離；
- 軟件大小：未知星級：更新時間：2010-12-10
- 繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。
繼電器的定義
繼電器是一種當輸入量（電、磁、聲、光、熱）達到一定值時，輸出量將發(fā)生跳躍式變化的自動控制器件。
繼電器的繼電特性
繼電器的輸入信號x從零連續(xù)增加達到銜鐵開始吸合時的動作值xx,繼電器的輸出信號立刻從y=0跳躍到y(tǒng)=ym,即常開觸點
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- 定義
又名“光檢測器”，是光接收機的首要部分，能檢測出入射到其面上的光功率，并把這個光功率的變化轉(zhuǎn)化為相應的電流。由于光信號在光纖中有損耗和失真所以對光探測器的性能要求很高。其中最重要的要求是在所用的光源的波長范圍內(nèi)有較高的靈敏度、較小的噪聲，響應速度快以適應速率傳輸。 光探測器一般要滿足以下要求：
（1）在系統(tǒng)工作要求的波長區(qū)域范圍內(nèi)，有高的量子效率；
（2）響應速度快；
（3）具有好的線性輸入-輸出性質(zhì)；
（4）能在通常條件下可靠的工作。
類型
光電倍增管、熱
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- 定義
紅外線是太陽光線中眾多不可見光線中的一種，由德國科學家霍胥爾于1800年發(fā)現(xiàn)，又稱為紅外熱輻射,他將太陽光用三棱鏡分解開，在各種不同顏色的色帶位置上放置了溫度計，試圖測量各種顏色的光的加熱效應。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，位于紅光外側(cè)的那支溫度計升溫最快。因此得到結(jié)論：太陽光譜中，紅光的外側(cè)必定存在看不見的光線，這就是紅外線。也可以當作傳輸之媒界。 太陽光譜上紅外線的波長大于可見光線，波長為0.75～1000μm。紅外線可分為三部分，即近紅外線，波長為(0.75-1)～(2.5-3)μm之間；中紅外線，波長為(2.
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- 光電子學是指光波波段，即紅外線、可見光、紫外線和軟X射線（頻率范圍3×1011Hz~3×1016Hz或波長范圍1mm~10nm）波段的電子學。光電子技術(shù)在經(jīng)過80年代與其相關(guān)技術(shù)相互交叉滲透之后，90年代，其技術(shù)和應用取得了飛速發(fā)展，在社會信息化中起著越來越重要的作用。
在光盤技術(shù)的促進下，近年來可見光半導體激光二極管和發(fā)光二級管得到了較快的發(fā)展。藍綠光可見光半導體激光二級管（LD）和藍綠光半導體發(fā)光二極管、黃橙紅光可見光激光二極管和高亮度黃橙紅綠光發(fā)光二極管都已商品化。今后的發(fā)展需要繼續(xù)解決提高亮度，
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- 光耦合器（optical coupler，英文縮寫為OC）亦稱光電隔離器，簡稱光耦。光耦合器以光為媒介傳輸電信號。它對輸入、輸出電信號有良好的隔離作用，所以，它在各種電路中得到廣泛的應用。目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅(qū)動發(fā)光二極管（LED），使之發(fā)出一定波長的光，被光探測器接收而產(chǎn)生光電流，再經(jīng)過進一步放大后輸出。
簡介
這就完成了電—光—電的轉(zhuǎn)換，從而起到輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離，電信
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- 晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極和門極; 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。
定義
晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。
- 軟件大小：未知星級：更新時間：2010-12-08
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明
- 軟件大小：未知星級：更新時間：2010-12-08
- 開關(guān)穩(wěn)壓器使用輸出級，重復切換“開”和“關(guān)”狀態(tài)，與能量存貯部件（電容器和感應器）一起產(chǎn)生輸出電壓。它的調(diào)整是通過根據(jù)輸出電壓的反饋樣本來調(diào)整切換定時來實現(xiàn)的。在固定頻率的穩(wěn)壓器中，通過調(diào)節(jié)一個周期內(nèi)的高低電平的時間占空比來實現(xiàn)對輸出電壓的控制，假設(shè)設(shè)定高電平時接通，此時對能量存儲元件充電，使電容的電壓升高，輸出電壓就是電容的電壓也就增大了，反之同理。 這就是所謂的 PWM 控制。在門控振蕩器或脈沖模式穩(wěn)壓器中，開關(guān)脈沖的寬度和頻率保持恒定，但是，輸出開關(guān)的“開”或“關(guān)”由反饋控制。
根據(jù)開關(guān)和能量存
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- 隔離式電源是指輸入和輸出通過變壓器等磁性元器件電氣連接的，即使將輸出短路也不會有太大問題，而非隔離的電源輸入和輸出是有電氣直接連接的，如果接觸輸出是會有觸電危險的，對于隔離式電源的輸出電壓是可以通過變壓器進行調(diào)整的。
- 軟件大小：未知星級：更新時間：2010-12-08
- 開關(guān)在電路中起接通信號或斷開信號的作用,最常見的可控開關(guān)是繼電器,當給驅(qū)動繼電器的驅(qū)動電路加高電平或低電平時,繼電器就吸合或釋放,其觸點接通或斷開電路,CMOS模擬開關(guān)是一種可控開關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號。
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- 橋式整流器（整流橋）產(chǎn)品是由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣朔料封裝而成，大功率橋式整流器在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱。橋式整流器品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。最大整流電流從0.5A到100A，最高反向峰值電壓從50V到1600V。
半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,
選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓.
整流橋堆一般用在全波整流電
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- 中文名稱：雪崩光電二極管 英文名稱：avalanche photodiode;APD
定義：一種半導體光器件。在加偏壓作用下，初始光電流通過電荷載流子累積倍增而得到放大。
名詞釋義
英文縮寫: APD (Avalanche Photo Diode) 分 類: 電信設(shè)備解 釋: 激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結(jié)上加上反向偏壓后，射入的光被P-N結(jié)吸收后會形成光電流。加大反向偏壓會產(chǎn)生“雪崩”（即光電流成倍地激增）的現(xiàn)象，因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”。
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