

碳化硅MOSFET
B2M
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碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可提高功率回路開關頻率,提升系統效率及功率密度,降低系統綜合成本。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發,比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。
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上榜理由
基本半導體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發,比上一代產品在品質系數因子、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。同時,產品的封裝更為豐富,以更好滿足客戶需求,可廣泛應用于新能源汽車電機控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機、充電樁、UPS及PFC電源等領域。
今年基本半導體還將推出更大導通電流、更低導通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ 碳化硅 MOSFET芯片系列產品,并開發了2000V/40A 碳化硅二極管芯片進行配合使用。

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EEWORLD編輯

