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編者按

半導體電路技術國際會議“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference（2009 ISSCC）”于09年2月9日（星期一）在美國舊金山拉開帷幕。受全球景氣衰退的影響，預計今年參加ISSCC的人數為2200～2300名。比上年減少3成左右。半導體技術的微細化方面，今年將開發采用32nm工藝的邏輯LSI。美國英特爾不僅試制了使用32nm制造技術的291Mbit SRAM和等化電路，還計劃發布面向32nm工藝的片上溫度傳感器。NAND閃存方面，3Xnm工藝的發表接連不斷。比如，東芝和美國SanDisk將發布小于35nm工藝的32Gbit芯片（3bit/單元）。值得一提的是，兩篇分別來自清華大學與復旦大學的論文入選了本次ISSCC大會，這也打破了連續多年中國大陸只有一篇論文入選的局面。此外，為了令更多無法現場參會的亞洲技術人員更好的了解大會內容，ISSCC還首次開辟全球分會，推出北京、東京、首爾及臺北等分會場。