
絕緣柵雙極型晶體管控制的新途徑:電氣連接和光學(xué)傳輸
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造
如果沒有電動(dòng)機(jī),我們難以想象如何實(shí)現(xiàn)工業(yè)傳動(dòng)技術(shù)及其自動(dòng)化生產(chǎn)工藝。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)半導(dǎo)體器件控制高性能
檢測(cè)絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)好壞的簡(jiǎn)易方法
測(cè)試測(cè)量
1、判斷極性 首先將萬用表撥在R1K擋,用萬用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該極與其
Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝,為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性MJD系列現(xiàn)已上市,涵蓋2
摘要氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某
測(cè)試測(cè)量
首先判定基極和管型:由于雙極型的b極到c極和b極到e極的分別是兩個(gè)pn結(jié),根據(jù)pn結(jié)正向電阻小、反向電阻大的特點(diǎn),用的
2014年11月27日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司近日推出采用焊接技術(shù)的雙極功率模塊,解決高性價(jià)比應(yīng)用