IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極晶體管，是一種重要的功率半導體器件。它結合了雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應管（MOS）的優點，既擁有BJT的高電流承受能力和低導通壓降，又具備MOSFET的高輸入阻抗和低驅動功率特性。IGBT的這種復合結構使其在高電壓承受能力和低開關損耗方面表現出色，成為現代電力電子領域不可或缺的關鍵元件。

IGBT芯片由NPN型雙極晶體管和PNP型雙極晶體管通過絕緣柵層隔離組成，其控制端由絕緣柵極構成，通過控制柵極電壓來控制IGBT的導通和截止。在電力控制系統中，IGBT廣泛應用于變頻器、智能電網、風力發電、光伏發電、電動汽車及其充電樁等領域，成為這些技術背后的核心部件。

IGBT的工作原理是通過加正向柵極電壓形成溝道，為PNP晶體管提供基極電流，使其導通；反之，加反向柵極電壓則消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。這種控制機制使得IGBT能夠在高壓大電流環境中高效、穩定地工作。

總之，IGBT作為電力電子領域的重要器件，憑借其卓越的性能和廣泛的應用前景，正不斷推動著電力控制技術的進步與發展。