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臺積電董事長劉德音日前在國際固態電路會議 (ISSCC) 線上專題演講時表示，3nm按計劃時程發展，進度甚至較原先預期超前，有信心看到未來節點將會如期推進、量產。

MoneyDJ報道稱，劉德音指出，臺積電 3nm仍采用FinFET架構，2nm后將轉向GAA架構，主要是量產技術考量，可較 FinFET提供更多靜電控制。

展望未來，劉德音表示，3D芯片堆疊會是重點，而通過臺積電的SoIC(system on IC)、低溫鍵合(bonding)制程，可實現3D芯片堆疊。

此前業內人士稱臺積電計劃在2021年投入超150億美元推進公司的3nm工藝技術。根據臺積電的說法，與5nm工藝相比，3nm工藝可以將晶體管密度提高70%，或提高15%的性能，降低30%的功耗。

關鍵字：臺積電引用地址：臺積電劉德音：3nm制程進度甚至超過預期

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