存儲器半導體巨頭美光持續推動攻擊性投資，韓國2大半導體企業三星電子、SK海力士則密切關注市場變化，調節投資速度。
據韓媒《朝鮮日報》報道，市調公司IC Insights日前預測，今年DRAM設備投資規模將達170億美元，比去年（237億美元）少28％。
繼本月新加坡Nand閃存工廠竣工后，美光再度傳出擴廠消息。雖然美光證實將在臺灣臺中建設A3廠，但卻否認規劃A5廠的消息，并表示將在全球擴廠，但不會增加產能。
相較之下，韓國半導體企業今年皆放緩了投資腳步。上半年三星電子投資半導體設備規模為10萬億7000億韓元，比去年（13萬億3000億韓元）少19％以上，并集中建設存儲器半導體基礎配備無塵室、EUV設備等。
三星電子年初發表2018年第4季財報時，就曾表示，2019年沒有增建半導體工廠的計劃，將以中長期發展為主的方式擴充工廠。但下半年三星電子將隨市況靈活投資，外界普遍預期，下半年的投資金額將比上半年多。
另一方面，SK海力士計劃，減少DRAM工廠M10產能時，將逐步將工廠轉換為圖像傳感器的生產線，并推遲M15、M16等DRAM工廠的量產計劃。
韓國半導體業界相關人士便分析，美光在臺灣的DRAM工廠規模并不大，加上韓國目前比起追求市占率，更著重在發展技術，因此這些投資計劃是否會影響明年的市場供需，仍有待觀察。
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史海拾趣
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