集微網消息,12月4日,英特爾在一項名為“自旋電子學”的技術領域取得了進展,未來芯片尺寸可縮小5倍,能耗最多可降低30倍。
英特爾和加州大學伯克利分校的研究人員展示了他們的“自旋電子學”方面的研究進展,這項新技術可以將未來的芯片尺寸縮小到目前的五分之一,能耗將降低10到30倍。
一直以來,芯片都依賴著CMOS技術,但隨著元器件尺寸不斷接近原子級別大小,芯片的發(fā)展也遇到瓶頸。
英特爾的這項研究是一種名為“磁電自旋軌道”(MESO)的邏輯元件,利用了多鐵性材料的自旋性質,使用氧、鉍和鐵原子的晶格,提供有利的電磁屬性以便外力可存儲并讀取信息。這種元件所需功率遠小于CMOS晶體管。
研究人員表示,由于這種元件不需要電就能保留信息,所以它們可以在設備閑置時提供更加節(jié)能的睡眠模式。
英特爾高級院士指出,“我們正在研究超越CMOS的信息時代的革命性和非進化性方法。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎。它將量子材料創(chuàng)新與計算結合在一起。我們對我們取得的進展感到非常興奮,并期待著未來能進一步降低開關電壓,發(fā)揮它更大的潛力。”
英特爾元件研究機構項目負責人Sasikanth Manipatruni在一份聲明中說,“我們在努力在產業(yè)和晶體管研究領域引發(fā)新一輪創(chuàng)新。”《自然》雜志星期一發(fā)表了這項研究論文,Manipatruni是第一作者。
雖然實驗原型顯示出很不錯結果,但該技術尚處于起步階段。根據研究人員的說法,該技術需要進行更多的研究,商用化還有很長的路要走,至少還需要十年。
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史海拾趣
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