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2018年08月29日 | 全球半導體支出將首次突破1000億美元大關,廠商瘋狂投資內

發布者:開國古泉 來源: 愛集微關鍵字:半導體  1000億 手機看文章 掃描二維碼
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IC Insights預測,今年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%,比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%,其中,閃存占資本支出的份額最大,而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續增長。

如圖所示,超過一半的行業資本支出預計用于內存尤其是DRAM和閃存生產,包括對現有晶圓廠產線和全新制作設施的升級。總的來說,預計今年內存將占到半導體資本支出的53%,達到540億美元。用于存儲器件的資本支出比例在六年內大幅增加,幾乎在2013年27%占比(147億美元)的基礎上翻了一番,2013~2018年復合年增長率相當于達到30%。

從具體產品類別來看,預計DRAM/SRAM的支出增幅最大,但預計用于閃存產品的支出占今年的最大比例,如下圖。預計2018年DRAM/SRAM市場的資本支出將在2017年強勁增長82%以后再次達到41%的增長幅度,而今年閃存支出繼2017年增長91%之后也將再次增長13%。

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經過連續兩年的資本支出大幅增長,半導體廠商眼下面臨一個迫在眉睫的問題,即高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。存儲歷史教訓表明,過多的支出通常會導致產能過剩和隨之而來的價格疲軟。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、SanDisk和長江存儲等廠商都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND閃存容量,還將有中國大陸其他新的內存廠商加入這一大軍。IC Insights認為,未來3D NAND閃存市場需求過高的風險不斷高漲。


關鍵字:半導體  1000億 引用地址:全球半導體支出將首次突破1000億美元大關,廠商瘋狂投資內

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