業(yè)界多認(rèn)為,混合波束成形(圖1)將是工作在微波和毫米波頻率下5G系統(tǒng)的首選架構(gòu)。 此架構(gòu)綜合運用數(shù)字(MIMO)和模擬波束成形,克服高路徑損耗并提高頻譜效率。
如圖1所示,m個數(shù)據(jù)流的組合分割到n條RF路徑上以形成自由空間中的波束,故天線組件總數(shù)為乘積m×n。 數(shù)字串流可透過多種方式組合,既可利用高層MIMO將所有能量導(dǎo)向單個用戶,也可利用多用戶MIMO支持多個用戶。
圖1 混合波束成形的方塊圖。
視應(yīng)用決定RFIC整合度和制程選擇
本文將檢視一個簡單的大規(guī)模天線數(shù)組范例,藉以探討毫米波無線電的最優(yōu)技術(shù)選擇。 現(xiàn)在深入查看毫米波系統(tǒng)無線電部分的方塊圖,可以看到一個經(jīng)典超外差結(jié)構(gòu)完成微波訊號到數(shù)字訊號的變換,然后連接到多路射頻訊號處理路徑,這里主要是運用微波移相器和衰減器實現(xiàn)波束成形。
傳統(tǒng)上,毫米波系統(tǒng)是利用分離組件所建構(gòu),導(dǎo)致其尺寸較大且成本較高。 這種系統(tǒng)里面的組件使用CMOS、SiGe BiCMOS和GaAs等技術(shù),使每個組件都能得到較優(yōu)的性能。 例如,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器現(xiàn)在采用CMOS制程開發(fā),使采樣率達(dá)到GHz范圍。 上下變頻和波束成形功能可以在SiGe BiCMOS中有效實現(xiàn)。 根據(jù)系統(tǒng)指針要求,可能需要基于GaAs功率放大器和低噪聲放大器,但如果SiGe BiCMOS能夠滿足要求,利用它將能實現(xiàn)較高的整合度。
對于5G毫米波系統(tǒng),業(yè)界希望將微波組件安裝在天線基板背面,這要求微波芯片的整合度必須大大提高。 例如,中心頻率為28GHz的天線的半波組件間距約為5mm。 頻率越高,此間距越小,芯片或封裝尺寸因而成為重要考慮因素。 理想情況下,單波束的整個方塊圖都應(yīng)當(dāng)整合到單個IC中;實際情形中,至少應(yīng)將上下變頻器和RF前端整合到單個RFIC中。 整合度和制程選擇在某種程度上是由應(yīng)用決定的,在下面的范例分析中將會提到這一點。
運用SiGe放大器減輕RFIC置入天線組件難度
此分析考慮一個典型基地臺天線系統(tǒng),EIRP要求為60dBm。 假設(shè)條件如下:
. 組件增益=6dBi(瞄準(zhǔn)線)。
. 波形PAPR=10dB(采用QAM的OFDM)。
. P1dB時的功率放大器PAE=30%。
. 發(fā)射/接收開關(guān)損耗=2dB。
. 發(fā)射/接收工作周期=70%/30%。
. 數(shù)據(jù)串流數(shù)量=8。
. 各電路模塊的功耗基于現(xiàn)有技術(shù)。
該模型是建立在八組數(shù)據(jù)串流的基礎(chǔ)上,鏈接到不同數(shù)量的RF鏈上。 模型中的天線數(shù)量以八的倍數(shù)擴(kuò)大,最多512個組件。 圖2顯示功率放大器線性度隨著天線增益提高而變化的情況。
圖2 天線增益 vs. 功率放大器的輸出位準(zhǔn)需求。
須注意的是,由于開關(guān)損耗,放大器的輸出功率要比提供給天線的功率高2dB;當(dāng)給天線增加組件時,方向性增益隨著X軸對數(shù)值提高而線性提高,因此,各放大器的功耗要求降低。
為了便于說明,文中在曲線上迭加了技術(shù)圖,指示哪種技術(shù)對不同范圍的天線組件數(shù)量最佳。 須注意不同技術(shù)之間存在重迭,這是因為每種技術(shù)都有一個適用的值范圍。 另外,根據(jù)制程和電路設(shè)計實踐狀況,具體技術(shù)可以實現(xiàn)的性能也有一定范圍。
組件非常少時,各鏈需要高功率PA(GaN和GaAs),但當(dāng)組件數(shù)量超過200時,P1dB降到20dBm以下,處于硅制程可以滿足的范圍。 當(dāng)組件數(shù)量超過500時,PA性能處于當(dāng)前CMOS技術(shù)就能實現(xiàn)的范圍。
現(xiàn)在考慮組件增加時天線Tx系統(tǒng)的功耗,如圖3所示。 同預(yù)期一樣,功耗與天線增益成反比關(guān)系,但有一個限值。 超過數(shù)百組件時,PA的功耗不再占主導(dǎo)地位,導(dǎo)致效益遞減。
圖3 天線增益vs.天線Tx部份的電力DC功率耗損。
整個系統(tǒng)的功耗如圖4所示(包括發(fā)射器與接收器)。 如預(yù)期一樣,接收器的功耗隨著RF鏈的增加而線性提高。 若將不斷下降的Tx功耗曲線迭加在不斷上升的Rx功耗曲線上,會觀察到一個最低功耗區(qū)域。
圖4 整體天線數(shù)組的DC功率耗損vs.天線增益。
本例中,最低值出現(xiàn)在大約128個組件時。 回顧圖2出示的技術(shù)圖,要利用128個組件實現(xiàn)60dBm的EIRP,最佳PA技術(shù)是GaAs。
雖然使用GaAs PA可以實現(xiàn)最低的天線功耗和60dBm EIRP,但這可能無法滿足系統(tǒng)設(shè)計的全部要求。 前面提到,很多情況下要求將RFIC放在天線組件的λ/2間距以內(nèi)。 使用GaAs發(fā)射/接收模塊可提供所需的性能,但不滿足尺寸約束條件。 為了利用GaAs發(fā)射/接收模塊,須要采用其他封裝和布線方案。
優(yōu)先選擇可能是增加天線組件數(shù)量以使用整合到RFIC中的SiGe BiCMOS功率放大器。 圖4顯示,若將組件數(shù)量加倍,達(dá)到約256時,SiGe放大器便能滿足輸出功率要求。 功耗的增幅很小,而且可以把SiGe BiCMOS RFIC放到天線組件(28 GHz)的λ/2間距以內(nèi)。
將這一做法擴(kuò)展到CMOS,發(fā)現(xiàn)CMOS也能實現(xiàn)整體60dBm EIRP,但從技術(shù)圖看,組件數(shù)量還要加倍。 因此,這種方案會導(dǎo)致尺寸和功耗增加,考慮到電流技術(shù)限制,CMOS方法不是可行的選擇。
考慮訊號鏈/IC制程優(yōu)勢確定最佳方案
因此,本文分析建議,若同時考慮功耗和整合尺寸的話,當(dāng)前實現(xiàn)60dBm EIRP天線的最佳方案是將SiGe BiCMOS技術(shù)整合到RFIC中。 然而,如果考慮將更低功耗的天線用于CPE,那么CMOS當(dāng)然是可行的方案。
此一分析是基于當(dāng)前可用技術(shù),但毫米波硅制程和設(shè)計技術(shù)正在取得重大進(jìn)步。 我們預(yù)計未來的硅制程會有更好的能效和更高的輸出功率能力,將能實現(xiàn)更小的尺寸并進(jìn)一步優(yōu)化天線尺寸。
隨著5G的到來日益臨近,設(shè)計人員將持續(xù)遇到挑戰(zhàn)。 為毫米波無線電應(yīng)用確定最佳技術(shù)方案時,考慮訊號鏈的所有方面和不同IC制程的各種優(yōu)勢是有益的。
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