“在過去6個財政年度中，有5年我們的營收年增長率超過40%，我們為此深感自豪。”SiGe半導體企業及業務發展副總裁John Brewer如是說，這家利用CMOS技術制造前端模塊及功率放大器的新興半導體公司正在迅速發展，截止2010年公司低成本硅基RF前端已出貨5億枚，而未來，Brewer堅信只有RF前端制造向硅技術演進，無線連接性在消費電子產品中的應用潛力才會完全實現。

    以下是EEWORLD采訪詳細記錄。

    EEWORLD：如果回顧2010年，您認為業界最大的變化是什么？為什么會產生這種變化？

John Brewer：消費者需求不僅推動設備功能和性能的發展。無線連接性在廣泛的消費電子應用產品中的迅速普及——從短距離的藍牙、無線局域網(WLAN) (Wi-Fi)、全球衛星定位系統(GPS)的實時定位，以至無線廣域網(全球微波接入互操作性(WiMAX)和蜂窩)——滿足了消費者對隨心所欲的人機互動與網絡接入的永不饜足的需求。手機演進為智能電話——附帶可進行語音通信的、用于生產力提高和娛樂的設備。任天堂Wii巧用紅外無線、微機電結構(MEMS)和藍牙技術，扔掉了手持式控制器煩人的纜線，重新定義了游戲體驗，并創建了一個顛覆性的全新市場領域；而且，它的價位還大大低于競爭產品。

    現在消費者需要基于功能的、允許自由想象的用戶體驗，要求供應商創建在一定價格范圍內提升用戶體驗的方法。

    EEWORLD：如果總結2010年，貴司取得了哪些顯著成績？哪些又對業界產生了深遠影響？

    John Brewer：在2009年的12個月和2010年截止4月2日的3個月中，SiGe半導體的營收分別為8690萬美元和2070萬美元。根據市場對更高集成度解決方案需求增加，以及對分立組件需求減少的狀況，我們也相應地調整了產品組合。

    SiGe半導體自公司創建以來已付運超過5億個硅基RF前端解決方案，其中主要包含Wi-Fi前端模塊和功率放大器。在2010年的亮點包括兩種關鍵產品的發布。首先，我們開始提供用于智能電話的2.4 GHz Wi-Fi射頻前端，它采用芯片級組件(chip-scale assembly)方式，即不使用任何形式的封裝，射頻前端裸片直接組裝在智能電話的線路板上。這樣就重新定義了Wi-Fi產品的物理占位面積，改善了射頻性能，并且降低了成本。其次，就是推出了業界首個基于硅技術的5GHz Wi-Fi射頻前端。由于硅具有優于砷化鎵(GaAs)的優勢，使得硅能夠在2.4 GHz 802.11bgn Wi-Fi市場中替代砷化鎵，硅技術的功能集成優勢實現了大量消費電子應用中雙頻帶2.4/5 GHz Wi-Fi的演進。使用雙頻帶可以為多媒體應用提供更寬的帶寬，可以在一個或者另一個Wi-Fi頻帶上分別實現多種Wi-Fi應用(視頻、VoIP、互聯網訪問)，獲得同時運行多個Wi-Fi應用的功能。

    EEWORLD：貴司2010年所發生的事情中，哪一件對您印象最為深刻？

    John Brewer：2010年SiGe半導體向美國證券交易委員會提交了申請發行股票的Form S-1申請表，要求初次公開發行普通股。發行股票數量和價格范圍還未確定。我們將利用上市所籌集到的資金，擴大新品研發并進入新的終端市場領域，促進SiGe半導體繼續快速增長。

    EEWORLD：您如何評價公司團隊在2010年的表現？

    在過去6個財政年度中，有5年我們的營收年增長率超過40%，我們為此深感自豪。我們已獲業界觀察人士認可為北美增長最快速的半導體企業之一。

    EEWORLD：展望2011年，您認為業界將會發生什么樣的變化？

    John Brewer：在電子產品中添加復雜的無線功能，簡化設計及縮短上市時間將成為主要的挑戰。

    SiGe BiCMOS 和 CMOS RF PA領域取得的進步，將促使消費無線連接行業不再受制于 GaAs 制造業的成本與產能約束，而 GaAs 制造業所受限制頗多。

    例如，僅僅IBM微電子公司自身的硅基RF PA和前端芯片產能就比整個GaAs行業的產能還要高。現有的SiGe BiCMOS代工產能，包括 IBM微電子、臺積電(TSMC)、 TowerJazz、CSM和意法半導體，加上現有的制造產能，在可預見的未來可以滿足消費電子產品對RF前端的需求。顯而易見，只有RF前端制造向硅技術演進，無線連接性在消費電子產品中的應用潛力才會完全實現。

    EEWORLD：貴司將如何發展以適應這種變化？

    John Brewer：SiGe半導體是無晶圓廠的射頻半導體企業，在射頻前端解決方案中使用標準的基于硅的制造工藝。這些硅工藝能夠實現規模經濟效益和高水平的功能集成，使得我們能夠在提供高性能射頻前端解決方案的同時降低成本，縮短上市時間。

    雖然SiGe半導體專注于開發硅基RF前端解決方案，但我們是一家不受制于任一技術 (technology-agnostic) 的無晶圓廠半導體企業。我們針對每個客戶的要求選擇最佳工藝技術，我們擁有廣博精深的射頻(RF)系統專業知識，并采用包括 SiGe BiCMOS、絕緣硅 (SoI)、GaAs HBT和GaAs pHEMT的多項RF工藝。硅基半導體在成本、性能和集成度方面具備固有優勢，而在射頻市場上，SiGe半導體是提供基于這些技術之產品的領導廠商。

    EEWORLD：新年中，您最想對公司員工說的一句話是什么？

    John Brewer：我們將繼續致力于提高客戶的滿意度，幫助客戶實現“無處不在的無線多媒體”的無限想象，繼續創造成功。