內容簡介

性能和環保是當前技術創新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發展，同時也為全球眾多企業和消費者所耳熟能詳。
若系統設計需要采用半導體存儲器技術，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM)；非易失性SRAM；鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)；以及其它NVRAM技術。在從工廠自動化和電信到計量和醫療技術的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
本白皮書將闡釋F-RAM 和 BBSRAM存儲器之間的功能差異和設計差異。本文還會特別強調F-RAM如何能夠為設計人員提供具備成本優勢和更簡化的系統及維護的前瞻性的環保選擇方案。

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