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F-RAM與BBSRAM：功能和系統(tǒng)設(shè)計對比

性能和環(huán)保是當前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導(dǎo)體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。若系統(tǒng)設(shè)計需要采用半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM)；非易失性SRAM；鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)；以及其它NVRAM技術(shù)。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設(shè)計考慮事項。本白皮書將闡釋F-RAM 和

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