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以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機已無法滿足當前由數據驅動的新興移動應用需求，從而為3D NAND快閃存儲器的進展鋪路…

智能手機使用者不斷尋求更好的移動體驗，除了提升裝置的處理性能以外，還需要更高容量的儲存，才足以支持5G、人工智能(AI)、擴增實境(AR)、高解析視訊等以數據為導向的新一代應用。以往容量僅16GB、32GB的智能手機已無法滿足當前的移動應用需求，從而為3D NAND快閃存儲器(flash)的進展鋪路。

Western Digital (WD)最近推出采用64層堆疊的3D NAND技術以及UFS與e.MMC介面的全新iNAND嵌入式快閃存儲器(EFD)系列，可望讓智能手機使用者能夠充份體驗當今由數據驅動的新興移動應用。

隨著智能手機用戶數持續增加，各種移動應用程式(app)的下載量、豐富的多媒體內容，以及照片和視訊擷取產生的數據量正如雪球般地越滾越大，再加上5G、AI以及AR/VR等數據密集型的新興應用出現，不斷為移動裝置帶來龐大的數據儲存需求。

“3D NAND是快閃存儲器領域的重大進步，可為邊緣裝置帶來巨大的儲存容量與成長潛力。”WD嵌入式與整合解決方案移動和運算產品線市場管理總監包繼紅指出，智能手機一直使用嵌入式快閃存儲器儲存與執行應用程式，但隨著平面2D NAND技術逐漸達到微縮極限，越來越難在儲存容量及其效能方面取得突破。

如今，采用創新制程架構的3D NAND技術出現，以更低的每位成本解決了平面2D NAND微縮的挑戰，提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高的可靠性。此外，在當今約有高達96%的數據量都必須在邊緣處理的環境下，為移動裝置采用3D NAND嵌入式快閃存儲器已是大勢所趨。

包繼紅介紹，WD最新的iNAND系列采用X3 3D NAND與SmartSLC技術，可為數據密集型的新興移動應用打造最佳儲存環境。iNAND 8521專為支援5G網路的旗艦移動裝置設計，iNAND 7550則瞄準主流的智能手機。

iNAND 8521嵌入式快閃存儲器采用UFS 2.1介面以及WD第五代SmartSLC技術，相較于為旗艦機推出的前一代產品，其連續寫入速度更高2倍，隨機寫入速度更高達10倍。iNAND 8521能快速且智慧地回應使用者對于AR/VR游戲或下載HD影片等應用效能需求。此外，更高數據傳輸速率，讓移動用戶能利用Wi-Fi或未來的5G網絡提升效能與體驗。

iNAND 7550嵌入式快閃存儲器能讓移動裝置制造商生產符合成本效益的智能手機與運算裝置，提供充足的儲存空間，滿足消費者持續增加的數據需求以及快速的app體驗。iNAND 7550支持e.MMC 5.1規格，可實現最高260MB/s的連續寫入效能，隨機讀/寫效能分別為20K IOPS和15K IOPS。

3D NAND采用創新制程架構，提供較2D NAND更高的容量、更好的性能和更高可靠性。

關鍵字：3D NAND 快閃存儲器引用地址：手機存儲容量需求大增，為3D NAND儲存鋪平道路

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