兆易創新推出GD25NE系列SPI NOR Flash：專為1.2V SoC打造，雙電壓供電助力讀功耗減半

中國北京（2025年3月12日）—— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice宣布推出專為1.2V SoC應用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產品——GD25NE系列。該系列產品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現無縫兼容，此產品的面世將進一步強化兆易創新在雙電壓供電閃存解決方案領域的戰略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設備、醫療健康、物聯網、數據中心及邊緣人工智能應用的理想選擇。 

GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供電電壓為1.8V，IO接口電壓為1.2V，支持單通道、雙通道、四通道、雙沿四通道模式，最高時鐘頻率為STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的寫入時間典型值為0.15ms，扇區擦除時間為30ms，其與常規1.2V單電壓供電的Flash解決方案相比，數據讀取性能提升了20%，寫入速度提升60%，擦除時間縮短30%。憑借這些技術優勢，GD25NE系列成為新興嵌入式應用的卓越之選。

為進一步滿足能耗敏感型應用的需求，GD25NE系列采用超低功耗設計。其深度睡眠功耗電流低至0.2μA，在雙沿四通道104MHz頻率下的讀取電流低至9mA，擦寫電流低至8mA。與傳統的1.8V Flash解決方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口設計可將功耗降低50%。這一優化的電源架構不僅顯著提升了能效，還保持了Flash器件的高性能表現，同時簡化了SoC的系統設計。

“GD25NE系列作為雙電源SPI NOR Flash品類的代表，實現了高性能與超低功耗的完美平衡，”兆易創新副總裁、存儲事業部總經理蘇如偉表示，“憑借顯著降低的功耗、更快的讀取速度以及更高的擦寫效率，GD25NE系列能夠滿足新一代1.2V SoC持續演進的需求。未來，兆易創新還將不斷拓展雙電源SPI NOR Flash的產品組合，致力于為客戶提供更高效、更可靠、更前沿的閃存解決方案，助力創新應用的發展。”

目前，兆易創新GD25NE系列可提供從32Mb到256Mb的多種容量選擇，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封裝選項。該系列首款產品——256Mb的GD25NE256H現已開始提供樣片。其余32Mb至128Mb容量的產品也將陸續推出。如需了解詳細信息及產品定價，請聯系當地銷售代表。