意法半導體推出Page EEPROM二合一存儲器

提升智能邊緣設備的性能和能效

新存儲器兼備串行閃存的讀取速度與EEPROM的字節級寫操作靈活性，實現真正的兩全其美

2024 年 10 月 15 日,中國—— 意法半導體的 Page EEPROM兼備EEPROM存儲技術的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應用場景提供了一個混合存儲器。

嵌入式系統需要支持日益復雜的先進功能，運行數據密集型的邊緣 AI 算法，意法半導體的新存儲器可以滿足嵌入式應用對存儲容量的日益增長的需求。例如，在耳背式助聽器中，Page EEPROM可以降低物料清單成本，讓助聽器變得更纖薄，佩戴更舒適。

除了可穿戴設備外，Page EEPROM 還是醫療設備、資產追蹤器、電動自行車以及其他工業和消費產品等應用的理想選擇。意法半導體 EEPROM 產品線經理 Philippe Ganivet 表示：“智能邊緣技術發展迅速，正在深刻改變市場對嵌入式存儲器的容量、性能和功耗的需求。我們的新 Page EEPROM是一個非常好的超低功耗存儲器，是電池供電的遠程物聯網模塊微控制器的理想搭檔。”

BitFlip Engineering公司是新系列存儲器芯片的首批用戶，該公司的業主 Patrick Kusbel表示：“ST的Page EEPROM是一個真正地實現了兩全其美的的非易失性存儲器解決方案，當我們在開發新一代旗艦系列產品時，包括 GPS 追蹤器、物聯網設備，以及其他的所有的需要高性能、高可靠性、小尺寸和低功耗的設計，新系列存儲器讓我們能夠實現預設的大目標。M95P的讀取速度是我們以前用的存儲器的50 倍，而功耗卻只有十分之一，產品可靠性提高了四倍，可擦寫次數達到50萬次，而我們以前用的產品的耐擦寫能力只有10萬次，這是一個顛覆性的改變。”

意法半導體Page EEPROM系列的容量分為8Mbit、16Mbit 和 32Mbit，大大高于標準 EEPROM產品的存儲容量。嵌入式智能頁面管理允許進行字節級寫操作，適合數據記錄等數據處理，同時還支持頁面/扇區/塊擦除和高達 512 字節的頁面寫操作，可以高效處理固件無線 (OTA) 更新需求。新系列存儲器還允許進行緩存載入操作，同時向多個頁面寫入數據，以縮短在生產線上安裝軟件的時間。320 Mbit/s 的數據讀取速度大約是標準 EEPROM 的16 倍，而 50萬次耐擦寫能力是傳統串行閃存的幾倍。

Page EEPROM還具有新穎的峰值電流控制功能，可最大限度地降低電源噪聲，延長電池供電設備的續航時間。寫入電流低于許多傳統 EEPROM，并且還有深度斷電模式和快速喚醒功能，可將工作電流降至 1μA 以下。

新系列產品的數據保存期長達100 年，并享受意法半導體10年產品壽命保障計劃，保證該系列產品長期供貨。

X-NUCLEO-PGEEZ1擴展板和 X-CUBE-EEPRMA1 軟件包現已上市，供用戶可學習如何與 Page EEPROM交互，如何使用該系列產品設計開發應用。在軟件包中有一個展示如何測試該存儲器的混合架構，快速構建概念驗證的演示應用程序。

M95P08、M95P16 和 M95P32 Page EEPROM 現已投產。X-NUCLEO-PGEEZ1現已在意法半導體網站eSTore上架開售。