“只要充得夠快，換電的優勢就越不明顯，高速充電一定是汽車的終極形態?！边@是車圈最近流行的一句話。

近年來，汽車800V系統架構已逐步成為標配和主流，比如說2022~2024年比亞迪800V車型滲透率從7.7%提升至9.5%。但顯然，人們對于充電速度的需求一定是越來越快。3月17日，比亞迪召開了比亞迪超級E平臺技術發布會及漢L/唐L預售會，其中，全球首個量產乘用車全域千伏（1000V）高壓架構引發市場關注。

這標志著汽車開始正式步入1000V架構，實現“充電5分鐘續航400公里”。

比亞迪的這次發布會還透露了什么？汽車1000V架構到底是什么？這對汽車電子行業有什么影響？本文將逐一解答。

比亞迪純電E平臺的故事要從2010年開始說起，今年最新發布的超級E平臺為第五代平臺：

• E平臺1.0：2010年發布，400V電壓平臺，核心技術包括電機、電控、變速器三合一集成化設計、雙向逆變充放電（可支持V2G），搭載車型包括比亞迪e6等；

• E平臺2.0：2018年發布，800V電壓平臺，本次提出“33111”概念，即3合1電驅3合1高壓系統、1塊PCB功能控制器、1塊Dilink智能網聯系統、1塊高性能安全電池，搭載車型包括漢EV、唐EV、秦EV等；

• E平臺3.0：2021年發布，800V電壓平臺，發布8合1電驅總成、磷酸鐵鋰刀片電池、電池車身一體化寬域高效熱泵系統等關鍵技術可實現充電5min補能150km的充電性能，搭載車型包括海豚、元PLUS等；

• E平臺3.0 evo：2024年發布，800V電壓平臺，發布12合1智能電驅技術集群、16合1高效熱管理集成模塊、全域智能快充技術集群等技術，快充時間10%-80%S0C@25min，80%-100%@18min，搭載車型包括海獅07EV、海豹06GT等；

• 超級E平臺：2025年最新發布，1000V電壓平臺，最大電流1000A，峰值功率1000kw(雙槍模式)支持10C超充，充電5min可補能400km+，搭載車型包括漢L、唐L等。

早在2023年底和2024年初，比亞迪就曾表示：“還在卷800V高壓快充？明年我要上1000V了！”現在，1000V真的來了，而且不光是車，連配套的充電樁都來了。簡單總結起來，超級E平臺的亮點包括：

• 全域1000V高壓架構：覆蓋電池、電機、電控、空調等系統，充電電壓1000V、電流1000A、功率1兆瓦（1000kW）；

• 閃充電池（10倍率）：5分鐘補能400公里，電池內阻降低50%，搭配冷媒直冷技術，散熱效率提升5倍，壽命提升35%；

• 全場景兼容：支持雙槍充電（超充樁變兆瓦樁）、智能升壓（適配全電壓樁）、自研兆瓦液冷充電樁（最大功率1360kW），規劃建設4000+充電樁并向行業開放技術；

• 電機：全球量產最高轉速30511rpm，單電機功率580kW（超V12發動機），功率密度16.4kW/kg，體積為傳統電機1/4，極速300km/h+；

• SiC功率模塊：自研1500V耐壓SiC芯片，激光焊接降低電感，匹配高轉速需求。

漢L（27萬~35萬元）、唐L（28萬~36萬元）將搭載超級E平臺，對標競品包括蔚來ET9（600kW充電）、小米SU7 Ultra（2.7萬轉電機），以更高參數（1000V/3萬轉）和更低價格（27萬起）形成降維打擊。

可以看出，比亞迪在最近幾年迭代速度很快，尤其這次迭代不止一點點。工程師向“汽車開發圈”評論表示，隨著明年補貼取消、購置稅以及養路費的增加，用戶要承擔的費用更高，而車企本身利潤本身就低，不一定會承擔這一部分的費用。買車變貴了，買的人就變少了，所以很多車企都開始加速更迭技術，搶占今年市場，以應對明年的這樣的大趨勢?；蛟S，這就是比亞迪超級E平臺如此激進的原因之一。

此外，有工程師向“汽車開發圈”吐槽發問，比亞迪的技術是強點，但車做得又小又短，比如10~15W級的，就不如銀河E5實用，后面會好賣嗎？

雖然800V/900V/1000V架構看似一個固定值，但實際上，這些數字指代的是一個范圍，可以理解為方便企業進行營銷的一個話術。目前市場可謂“群魔亂舞”，實際上，只有在平均補能效率、峰值功率和補能穩定性上均有良好的表現，才能叫真800V、真900V：

• 車輛的額定電壓在230V至450V之間，就可以被視作400V架構；

• 550V至930V，就可以被稱為是800V架構；

• 830V至1030V ，基本就可以認定為900V架構；

• 1000V架構，通常指額定電壓在930V以上，接近或達到1000V甚至更高的情況。

從800V系統到900V系統再到1000V系統，汽車圈一直圍繞著電壓折騰，這是為什么？

這是因為，為了更快地為EV供電，要么提高電流，要么提高電壓。但是提高電流的代價比較高，會增加尺寸重量和材料成本，提高電壓則可降低電流。但圍繞電壓進行改進則會有很多好處：

• 功率提升：由于Power(W)=Voltage(V)×Current(A)，假設最大電流為300A、EV充電器規格為180kW，400V架構理論功率輸出為120kW，1000V則為300kW，由于300kW超出180kW，充電電流還會下降，也就是說，在相同的電流下，電壓翻倍，可以傳輸2.5倍的功率；

• 充電速度變快：由于Charging Time (hours)= Vehicle Battery Capacity (kWh)/ Power Output (kW)，所以車輛電池電壓越高，充電速度就越快，因為功率輸出隨著電壓的增加而增加。

• 輕量化設計：對于恒定功率，增加的電壓也可以允許減少系統內的電流。較小電流減小了所需的電纜尺寸和所需的銅直徑，也支持減少 I2R（焦耳熱）損失。比如說，400V系統穩態電流為250A，銅線橫截面積為95mm2，銅重量約為0.85kg/m；1000V系統穩態電流可降低到100A，銅線橫截面積可以減少。

眾所周知，無論是800V系統，還是1000V系統，對應的SiC（碳化硅）芯片都會選用有一定冗余量耐壓的芯片。一般來說，1200V的SiC芯片對應800V系統，而1500V的SiC芯片對應1000V系統。

本次，比亞迪也披露自己的自研1500V耐壓SiC芯片。作為全球首款量產的最高電壓等級車規級SiC產品，它將引領新能源汽車行業邁入'高壓快充+高性能驅動'的全新時代。值得一提的是，比亞迪不僅成功自研了這款SiC功率芯片，還具備了量產能力。

據介紹，這款芯片具有更高的能效和更小的體積。該芯片采用疊層激光焊技術，通過優化芯片互聯結構，成功將雜散電感降低75%，電控效率提升至99.86%，過流能力增強10%。其1500V的電壓等級不僅完美適配超級e平臺的全域千伏架構，更能支持高達1000kW的充電功率，較行業主流的600kW快充技術提升了近70%。

在材料工藝方面，創新性地采用納米銀燒結技術替代傳統焊接工藝，使連接層熱阻降低95%，可靠性壽命提升5倍以上。結合Cuclipbonding工藝與氮化硅AMB基板，芯片實現了體積縮小50%、功率密度翻倍的性能突破，為電動車三電系統的小型化、輕量化提供了關鍵支撐。

目前來看，國際廠商的SiC基本覆蓋1500V這一檔位，不過一般都用在工業或能源領域，而非汽車。而在汽車上應用的SiC產品的規劃上，基本都為750V或1200V兩個電壓等級，以應對400V或800V架構的需求?？梢钥闯觯葋喌显?500V上走得是比較快的，而巨頭們還沒有這種規劃，所以不難預見，此次發布1500V自研SiC后，市場相關巨頭應該會跟進。目前巨頭的主要進展如下：

• 意法半導體（ST）：是平面型SiC堅實擁躉，前陣子將STPOWER碳化硅技術升級到第四代，其在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿，主要瞄準800V以上汽車系統；

• 安森美（ONsemi）：最新的碳化硅技術已在最近迭代至第三代（M3S和M3E），并且準備從平面型轉移到溝槽型碳化硅，M3E的元胞長度相比M1平臺縮小了65%，并通過晶圓減薄工藝降低了導通電阻；

• 英飛凌（Infineon）：在溝槽型碳化硅上布局比較早，目前其CoolSiC MOSFET已經更新到第二代（G2），G2在各方面都得到提升，在典型負載下功耗降低5%～20%、耐熱性提高了12%、最大柵源電壓范圍擴大至10V到23V、具備高達200℃的過載結溫、出色的雪崩魯棒性以及2微秒的短路耐受時間；

• 羅姆（Rohm）：在第4代SiC MOSFET中，通過進一步改進羅姆自有的雙溝槽結構，成功地在改善短路耐受時間的前提下，使導通電阻比以往產品降低約40%。作為SiC MOSFET，實現了業界超低的導通電阻；通過大幅降低柵漏電容（Cgd），成功地使開關損耗比以往產品降低約50％；

• Wolfspeed：今年迭代至第4代SiC技術平臺，MOSFET導通電阻相比上一代降低高達 21%，開關損耗降低高達 15%；在工作溫度條件下可使比導通電阻降低達21%；而在硬開關應用中，得益于第4代技術，開關損耗降低幅度達15%；具有高達 2.3 μS 的短路耐受時間。

我國SiC增速和成長非常明顯，同時在汽車領域也取得了重大的進展：

• 2023年7月10日，派恩杰宣布1700V/1Ω SiC MOSFET 產品已成功應用于國內知名能源汽車企業的主驅逆變器輔助電源項目，并收獲該知名新能源車企訂單；

• 2023年7月10日，納芯微宣布SiC MOSFET產品，全系列具有1200V的耐壓能力，該系列產品包括四種規格的Rdson（Vgs=18V），分別為14/22/40/60mΩ，并計劃經過全面的車規級認證，以確保完全符合汽車級應用的需求；

• 2023年10月，國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了AEC-Q101車規級認證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核；

• 2024年3月8日，瞻芯電子宣布開發的三款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證；

• 2024年3月，蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB；

• 2024年12月，昕感科技面向新能源領域推出重量級SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0），實現業界領先的超低導通電阻規格1200V/7mΩ，新品基于車規級工藝平臺，兼容18V柵壓驅動。

除了芯片企業，車企和Tier 1也紛紛布局SiC。據“行家說三代半”信息顯示，目前車企/Tier 1布局情況如下：

• 比亞迪：宣布將研1200V溝槽SiC MOSFET；

• 長安汽車：宣布與重慶大學聯合研發的SiC功率芯片首輪流片成功下線；

• 吉利：與芯聚能等公司合資成立芯粵能，專注車規SiC芯片；

• 豐田：旗下電裝（Denso）及合資企業布局SiC全產業鏈，電Denso在日本建設8英寸SiC晶圓產線，預計2025年商業化；

• 博世：收購TSI改造加州羅斯維爾8英寸硅晶圓廠，計劃2026年量產SiC芯片；

• 華為：通過投資與自研雙路徑布局SiC技術，智界S7車型已搭載800V高壓SiC電機。

隨著汽車架構電壓等級再次提升，未來，1000V高壓架構和1500V SiC技術或將逐漸普及，推動行業向更高效方向發展。總之，比亞迪1000V系統的發布標志著電動車技術進入了一個全新的時代，不僅解決了用戶的充電焦慮，還為行業的可持續發展提供了新的動力。