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瑞薩電子推出性能卓越的新型MOSFET

發布者:SereneMeadow7最新更新時間:2025-01-14 手機看文章 掃描二維碼
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據外媒報道,先進半導體解決方案供應商瑞薩電子公司(Renesas Electronics Corporation)宣布推出全新100V大功率N溝道MOSFET,為電機控制、電池管理系統、電源管理和充電等應用提供行業領先的大電流開關性能,終端產品包括電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心和不間斷電源(UPS)等。


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圖片來源:Renesas Electronics Corporation


瑞薩電子開發出一種新的MOSFET晶圓制造工藝(REXFET-1),使新器件能夠將導通電阻(MOSFET導通時漏極和源極之間的電阻)大幅降低30%。較低的導通電阻有助于降低客戶設計中的功率損耗。


REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性(向柵極施加電壓所需的電荷量)降低了10%,Qgd(在米勒平臺(Miller Plateau)階段需要注入柵極的電荷量)降低了40%。


除了卓越的電氣特性外,瑞薩電子的新型RBA300N10EANS和RBA300V10EHPF MOSFET還采用行業標準的TOLL和TOLG封裝,可與其他制造商的設備引腳兼容,比傳統的TO-263封裝小50%。TOLL封裝還提供用于光學檢測的可潤濕側翼。


瑞薩電子分立電源解決方案事業部副總裁Avi Kashyap表示:“瑞薩電子多年來一直是MOSFET市場的領導者。隨著我們將自身的制造實力應用到整個市場,我們可以為客戶提供卓越的技術產品,以及來自多個大批量工廠的供應保證。”


獲獎組合


瑞薩電子已將新型MOSFET與其產品組合中的眾多兼容器件相結合,提供了廣泛的獲獎組合,其中包括48V移動平臺和三合一電動汽車裝置:逆變器、車載充電器、直流/直流轉換器。這些產品設計都是經過技術審核的系統架構,由相互兼容的設備組成,可無縫協作,并實現了優化的低風險設計,從而加快了產品上市時間。


引用地址:瑞薩電子推出性能卓越的新型MOSFET

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