美國IBM于2010年2月8日在半導體國際會議“ISSCC 2010”上,就服務器用微處理器“Power7”進行了技術發(fā)表(演講序號5.4)。該處理器配備8個Power內核,最大工作頻率為4.14GHz。采用45nm工藝SOI技術制造,芯片面積為567mm2。據介紹,浮點運算性能為200GFLOPS,達到了該公司原產品Power6的約5倍。
IBM已在2009年8月于美國舉行的“Hot Chips 21”上就Power7的架構進行了技術發(fā)表。在本屆ISSCC上,該公司還計劃從電路技術的角度,就時鐘分配(演講序號9.3)及混載DRAM宏(演講序號19.1)進行技術發(fā)表。
Power7的最大特點是,將此前外置的L3緩存作為混載DRAM集成在了芯片上。每個內核均具備4MB的L3緩存,整個芯片的緩存容量可達到32MB。
各內核支持4路SMT,整個芯片可執(zhí)行32個線程。一個內核具備12個執(zhí)行單元,包括4個雙精度浮點運算單元,兩個存取單元及兩個定點運算單元等。
IBM公司當日還發(fā)布了4款配備Power7的服務器。(記者:進藤 智則)
關鍵字:IBM DRAM Power7 SOI 編輯:冀凱 引用地址:https://news.eeworld.com.cn/news/others/201002/article_25897.html
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