2010年2月7日，也就是半導體電路技術國際會議“ISSCC 2010”演講開始的前一天，以三維半導體技術為核心的技術論壇“Silicon 3D-Integration Technology and Systems”召開。其中備受關注的是韓國三星電子發表的“TSV Technology and its Application to DRAM”。三星電子從03年開始研發TSV（through silicon via），并探討該產品在DRAM及閃存上的應用。

　　三星表示，尤其是在移動DRAM及圖形DRAM方面，TSV的重要性不斷提高。在移動DRAM方面，09年前后導入了LPDDR2接口產品（單芯片的數據傳輸速度為3.2GB/秒）。2013年前后亮相的新一代移動DRAM的單芯片數據傳輸速度要求達到12.8GB/秒。并且，單個內存芯片的耗電量 “需要控制在0.5W以下”（三星）。這就要求兼顧數據傳輸速度和耗電量，“現有的單端方式的LPDDR2 DRAM無法實現。而比較有效的方法是在微處理器芯片上直接層積多個基于TSV、具有數百個輸入輸出端子的DRAM芯片”（三星）。三星稱，這種內存系統的TSV數量超過1000個。

　　關于圖形DRAM，從兼顧數據傳輸速度及耗電量的角度來看，預計在不久的將來，現有技術就會碰到極限。關于GDDR5接口的新一代產品，三星表示“系統的數據傳輸速度要求達到512GB/秒以上，內存容量要求達到2GB以上”。現有的單端GDDR5 DRAM要想實現這一要求，“需使用16個單端子的、數據傳輸速度為8Gbit/秒的1Gbit產品，這是不現實的”（三星）。作為解決對策，“比較可行的方法是在GPU上層積多個圖形DRAM，然后利用TSV使其實現相互連接”（三星）。

　　三星還列舉了TSV用于DRAM產品時存在的課題。“就像此前一直所說的，如何降低TSV的成本以及數量高達1000個的TSV的成品率如何達到量產水平等，都是今后面臨的主要課題”（三星）。（記者：大石 基之）