加拿大多倫多大學（University of Toronto）和富士通研究所針對自旋注入式MRAM開發出了高可靠性讀取方式，不會輕易出現此前成為課題的錯誤寫入現象（演講序號：14.1）。富士通研究所等旨在通過此次的技術，以自旋注入式MRAM代替閃存微控制器中的NOR閃存等。

　　自旋注入式MRAM是利用了通過向TMR元件等磁性材料中通電，磁化方向就會發生反轉這一現象的內存。在讀取時向磁性材料中施加電壓，并通過流過的電流判斷元件的電阻值是高還是低，然后據此判斷數據是“1”還是“0”。不過，要想正確判斷電阻值的高低，就需要向元件中施加高電壓。由于MRAM的元件特性具有不穩定性等原因，原本為了進行讀取而流經的電流使磁化方向發生了反轉，即發生錯誤寫入問題。

　　因此，多倫多大學和富士通研究所對讀取方式等進行了如下改進。具體是指，采用了將元件高電阻值和低電阻值之間的中間值負電阻進行并聯的電路。負電阻是一種具有提高電壓，電流減少這一負性電阻值的元件。此次采用的電路，在TMR元件為高電阻時作為負電阻發揮作用，在低電阻時作為普通電阻發揮作用。由于這種特性才能夠以低于原來水平的電壓讀取電阻值。這樣一來，在讀取時便可控制磁化方向不發生反轉，從而可以防止錯誤寫入。

　　此次通過130nm級單層聚乙烯8層金屬的CMOS工藝試制了測試芯片。TMR元件在第7層金屬層和第8層金屬層之間形成。在16Kbit的存儲陣列中，形成了此次開發出來的電路。讀取時間為8ns，寫入時間為9/10ns。內存尺寸為3.25×1.7μm2。（記者：大石 基之）