作為集成電路的發明者，仙童給半導體產業留下了無數的腳印，以下是部分重要產品一覽。

1958年，諾伊斯發明了平面集成電路，采用薄膜淀積方式將分立器件互聯，而來自德州儀器的基爾比則是用導線將器件互聯，因此諾伊斯的集成電路更接近現代的集成電路。

1959 年 7 月 30 日，諾伊斯為單片集成電路提出專利申請。

1961 年 4 月 25 日，仙童半導體獲授此專利，并從此開啟了集成電路時代。 電阻-晶體管邏輯 (RTL) 產品 — 置位/復位觸發器 — 是該行業首個可作為單片生產的集成電路。

在60年代初，仙童半導體開始研制MOSFET，盡管該技術落后于RCA和貝爾實驗室，但仙童的技術令MOSFET穩定的量產成為可能。

1963年，仙童的Robert Widlar和Dave Talbert合作開發了兩款革命性產品：uA702與uA709。第二代 RTL 產品開發成功，即雙柵設備首次采用了埋層隔離技術。

1964年，采用薄膜發射極電阻技術的NPN 平面功率晶體管做法為業界首創。

1965年，仙童開發了首個普遍應用于全行業的 OpAmp（運算放大器）— 這是線性集成電路領域中的一個里程碑。

1966年，仙童推出了首個標準的 TTL 產品，一個四芯導線雙輸入NAND柵極。 TTL 邏輯仍是該行業的主力產品。與早期電路類型相比，該產品在速度和功率方面更具優勢。

1967年，仙童全行業首個雙層金屬工藝 32 柵極定制 DTL 邏輯數組投產。

1968年，仙童Rederico Faggin設計出了3708，這是全球首款采用SGT的商用MOS集成電路，同時SGT技術未來也被用于設計包括CCD、動態存儲器、EPROM和flash等。David Fullagar開發了業界廣泛流行的uA741，一種最早將溫度補償和 MOS 電容器納入的線性集成電路。

1973年，仙童成為全球首家量產CCD器件的公司，盡管是貝爾實驗室首先發明的。仙童推出業界首個具有發射極-基極和基極-集電器接頭的介質隔離功能的功能性設備。合并式等平面 II (Incorporated Isoplanar II)使集成電路晶體管的尺寸比仙童最初等平面的產品減小了 70%。 與傳統工藝所生產的設備相比，等平面設備的性能 II 改善了兩倍。

伴隨著英特爾推出8008 8位處理器之后，仙童也開發了F8 8位處理器。

1976年，仙童開發出首款視頻游戲系統，使用了F8微處理器，該產品一直流行到雅達利問世之后。

1978年，仙童推出了 FAST 邏輯，其性能比標準的Schottky (74S) 提高了 20% 至 30%，功率減小 75% 至 80%。

1985 年，FACT?（Fairchild 高級 CMOS 技術）邏輯在保持 CMOS 低功耗的同時獲得較快的速度。 它為系統設計師提供了優質線性特征，以及優秀的 ESD 和閉鎖抗擾度。 FACT AC 和 ACT 系列提供了具有 CMOS 兼容輸入及 TTL 與 MOS 兼容輸出特性的標準邏輯功能。 FACT 是市場上首個高性能 CMOS 系列，也是唯一一個在激烈的市場競爭中立于不敗之地的產品。

1986年，使用高耐用性和低能耗的Fairchild浮動柵極 COMS推出首款 CMOS 非易失性電力可拭存儲器，用于要求小腳本和高可靠性的應用程序。

1989年，FACT 靜音系列 (FACT QS?) 使用專有的"靜音系列"技術控制輸出過沖、下沖和 EMI，并提供所有 CMOS 方法都無可匹敵的低噪音，同時提供比 FACT 更快的速度。 FACT 靜音系列 ACQ 產品提供 CMOS 兼容輸入和 MOS 兼容輸出。 它是首個結合電路圖的 CMOS 系列，用于控制所有CMOS 電路產生的噪音。

1990 年，推出建立在 AMG?（替代金屬接地）架構上的 EPROM。 傳統的 T 電池每兩排一個觸點，與之相比，該架構每 64 排僅需一個觸點。 因此，它是行業中尺寸最小的芯片。

1991年，較快的柵極速度、滿載電壓和溫度補償，以及推動低阻抗傳輸線的能力使 300 系列成為基于 ECL 的系統以及 ECL 與 TTL 和/或 CMOS 混合系統的優選邏輯設備。 它是在溫度/電壓 ECL 電路里納入溫度和電壓補償的首個系列之一。

1993年，首款 HC-置換、低噪音、高速 CMOS 邏輯設備。

1994年，CROSSVOLT? LCX 低壓邏輯系列是 3.3 優化邏輯設備中性能最佳的產品。其率先納入過壓容差，推動行業向 3.3V 操作轉變。為在 ISA 總線適配器卡上實現即插即用功能，提供完整的單芯片解決方案。

1996年，TinyLogic? 在某些現有可用最小封裝中提供單柵功能。 "微型高速系列"提供與 HC/VHC 相似的性能，并可配合 CMOS (HS) 和 TTL (HST) 兼容輸入使用。

1997年：

GTLP 后面板收發器特別為中高性能后面板應用設計。 開漏輸出結構和邊緣速率控制使后面板設計師可優化其設計，以便在利用入射波切換的同時，還可使用后面板的獨特性能特征，從而使后面板數據的流量最大化。

每平方英寸 1 千萬個單元代表著仙童閉合單元 PLANAR 30V 功率 MOSFET 產品組合的頂峰。 隨著低柵極電荷以及更快的切換要求使 PowerTrench? 成為業界關注的焦點，此功率 MOSFET 技術標志著行業發展的轉折點。

仙童的 CROSSVOLT? VCX 低電壓邏輯是業界首個針對 2.5V 性能進行優化的低電壓系列。 VCX 速度非常快，有 3.3V、2.5V 和 1.5V等電壓可選。 VCX 以高性能 CMOS 方法制造而成，提供輸入和輸出超壓容差、低 CMOS 功耗和均衡的高驅動。

1998年，同類中首款算術控制器引擎 (ACEx?) 是一個為低功率高性能而優化的復雜 8 位微型控制器。 ACEx 首次使用 8 根引線 TSSOP 封裝，是低功率和電池應用的理想選擇。
仙童的模擬生產線率先使用在 PC 上用其 RC5051 進行 DC-DC 轉換的開關。

1999年：仙童進入 LVT 市場

仙童進入 LVT 市場，以滿足客戶對蒲式耳和非蒲式耳 LVT 產品穩定供應的要求，從而大幅擴展了Fairchild進入分離式驅動應用（如后面板、存儲器陣列、網絡和電信開關）整體消費市場的道路。

仙童成功完成對Samsung電力設備部門的收購，獲得了一條用于生產功率分離式設備以及各類行業標準模擬元件的完整生產線。 仙童的多市場產品組合現在包括市場排名前 100 的高容量模擬產品，以及最全面的分立式電源產品。

在功率系統設計中使用時，仙童的開放式單元平面 MOSFET 技術擁有業界最佳性能。 QFET 技術具有改善的導通電阻、最小化的柵門負以及非常高的 dv/dt 能力，因而能提高耐久性。

仙童的電源開關技術 (SPS) 將一個脈沖寬度調節 (PWM) IC 和一個用于離線電源切換封裝的 SenseFET 相結合。 在減少部件數量并使成本最小化的同時，電源開關解決方案還提供了有助于增加可靠性的保護功能。

仙童的 IGBT 是一種綜合使用二極和 MOSFET 兩種技術的電源轉換器，因而使設備具有容易驅動的低開態損耗特性。 IGBT 特別適合更高功率的應用。在此類應用中，其可抑制 MOSFET 的傳導損失。

用于電源產品的 BGA 封裝 仙童半導體成為上市公司 公司在紐約股票交易所的股票交易代碼為 FCS。

在功率系統設計中使用時，仙童的開放式單元平面 MOSFET 技術擁有業界最佳性能。 QFET 技術具有改善的導通電阻、最小化的柵極電荷以及非常高的 dv/dt 能力，因而能提高耐久性。

2000年：

2000 年，仙童推出接口和邏輯組，進軍快速增長的 Internet 硬件和無線領域。 這是公司規劃的關鍵一步，即通過新產品開發和戰略收購成為所選市場中的領軍者，實現內部增長。
仙童完成對 QT 光電子的收購

仙童完成對光電領域全球最大獨立公司 QT Optoelectronics 的收購，將公司產品組擴大到所有細分市場。

仙童通過收購 Kota Microcircuits 和 Micro Linear 的電源管理業務，促進其全球模擬業務的發展。 僅僅 28 個月里，此收購就使公司模擬業務的年收入公司從零增長到 4 億美元。

仙童推出同類首個 MOSFET BGA 封裝，該封裝具有用于手機電源管理應用的 FDZ204P 高電流密度負載切換功能。 這款創新的專利封裝具有從 2.25至 27.5 mm2 不等的各類規格，額定電流超過 30 安培。

2001年：

仙童推出行業首個 20 位可配置總線開關。 FST16450 是一個具有可選電平切換功能的 20 位可配置總線開關，FSTUD16450 是一個具有下沖保護和可選電平切換功能的 20 位可配置總線開關。 這兩個 20 位設備都可配置為 4、5、8、10、16 或 20 位開關。 這些設備為設計師顯著地節省了空間、提供了設計的靈活性，并減少了部件數量。

仙童完成了對 Intersil 公司分立電源業務的收購，并成為世界上第二大電源 MOSFET 供應商。
在亞太地區，仙童的分立式半導體業務排名第一。

在亞太地區，仙童的分立式半導體業務排名第一，在該市場的收入增加了約 31%。 仙童通過優化以下市場獲得飛躍，一舉領先： 計算機（包括臺式機、筆記本、服務器、HDD）、通訊（包括移動電話、網絡）、汽車、電源 (AC/DC, DC/DC)、電動機控制、消費者、照明鎮流器、CRT 顯示器和新興市場（游戲系統、DSC、PDA、MP3）。

2002年：

FDS6670AS 代表了應用于第三代 PowerTrench? 工藝核心的 Fairchild SyncFET(tm) 專利技術。

仙童開發表面貼裝藍色 LED?。 此外，在為 CPU 核心電壓電源同步整流降壓轉換器應用而設計的產品線里，FDS6670AS 為最新產品，它代表應用于第三代 PowerTrench? 工藝核心的 Fairchild SyncFETTM 專利技術。

2003：

FSBB20CH60 是用于三相逆變器的業界最小智能電源模塊，且一個封裝里包含 16 個芯片。

2005：

推出 μSerDes? 低功率 24 位雙向串并/并串轉換器。該轉換器也是體積最小、功率最低、 EMI SerDes 最低的設備。 它大大減少了信號線的使用，因此迅速在新興的手機市場普及。 靈活的架構使之可在無需更改軟件的條件下跨平臺使用。 同一時期，Dr. Mark Thompson 被委任為總裁兼 CEO。

2010：

FDMC7570S（一個 25 V 的 MOSFET）在一個 3 mm x 3 mm MLP 封裝中提供行業最低的 RDS(ON)， — 從而提供無可匹敵的高效率，并改善接合溫度。

FDZ192NZ和 FDZ372NZ 是行業中最小最薄的晶圓級芯片尺寸 (WL-CSP) N 溝道器件。