事實上從西元兩千年始，研究人員就已經在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構(ABO3)的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，并將其應用到了下一代非揮發性存儲器-阻抗存儲器(RRAM)中。在工業界，英飛凌，三星，美光，夏普，Unity，Spansion等公司早已經開始了RRAM的研究和產品的開發, 預計未來5年講會陸續有基于RRAM技術的存儲器上市。關于電阻轉變的機理目前還有很多爭議，但一般認為薄膜中由于氧空位遷移而形成的細絲 (filament）是產生電阻變化的原因。

　　
　　惠普實驗室的研究人員認為RRAM就是Chua所說的憶阻器，其報道的基于TiO2的RRAM器件在08年5月1日的《自然》期刊上發表。加州大學伯克利分校教授蔡少棠，1971年發表《憶阻器：下落不明的電路元件》論文，提供了憶阻器的原始理論架構，推測電路有天然的記憶能力，即使電力中斷亦然。惠普實驗室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標題，呼應前人的主張。蔡少棠接受電話訪問時表示，當年他提出論文后，數十年來不曾繼續鉆研，所以當惠普實驗室人員幾個月前和他聯系時，他吃了一驚。

　　RRAM可使手機將來使用數周或更久而不需充電；使個人電腦開機后立即啟動；筆記型電腦在電池耗盡之后很久仍記憶上次使用的信息。憶阻器也將挑戰掌上電子裝置目前普遍使用的閃存，因為它具有關閉電源后仍記憶數據的能力。RRAM將比今日的閃存更快記憶信息，消耗更少電力，占用更少空間。憶阻器跟人腦運作方式頗為類似，惠普說或許有天，電腦系統能利用憶阻器，像人類那樣將某種模式（patterns）記憶與關聯。

　　RRAM為制造非易失性存儲設備、即開型PC、更高能效的計算機和類似人類大腦方式處理與聯系信息的模擬式計算機等鋪平了道路，未來甚至可能會通過大大提高晶體管所能達到的功能密度，對電子科學的發展歷程產生重大影響。

　　研究人員表示，憶阻器器件的最有趣特征是它可以記憶流經它的電荷數量。蔡教授原先的想法是：憶阻器的電阻取決于多少電荷經過了這個器件。也就是說，讓電荷以一個方向流過，電阻會增加；如果讓電荷以反向流動，電阻就會減小。簡單地說，這種器件在任一時刻的電阻是時間的函數———或多少電荷向前或向后經過了它。這一簡單想法的被證實，將對計算及計算機科學產生深遠的影響。

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編輯：湯宏琳 引用地址：http://www.nncyjs.com/mndz/2010/0108/article_2020_2.html

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