S3C2440 有27 根地址線ADDR[26:0]，8 根片選信號ngcs0-ngcs7,對應bank0-bank7.

     當訪問BankN(N=0,1,2,...7) 的地址空間，ngcsN(N=0,1,2,...7)  引腳為低電平，選中外設。

每一個Bank容量：2^27=2^7 * 2^10 * 2^10 = 128Mbyte

總共有8個Bank，所以總尋址大小是：8*128Mbyte = 1Gbyte

所以S3C2440 總的尋址空間是1Gbyte。
     

市面上很少有32 位寬度的單片SDRAM，一般選擇2 片16 位SDRAM 擴展得到32位SDRAM.

選擇的SDARM 是HY57V561620F，4Mbit * 4bank *16，共32Mbyte。

首先了解下 SDRAM 的尋址原理。
     

SDRAM 內部是一個存儲陣列。可以把它想象成一個表格。和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可以準確找到所需要的存儲單元。這個表格稱為邏輯BANK。目前的SDRAM 基本都是4 個BANK。尋址的流程就是先指定BANK 地址，再指定行地址，最后指定列地址。這就是SDRAM 的尋址原理。存儲陣列示意圖如下：

查看HY57V561620F 的規格書，這個SDRAM 有

13 根行地址線 RA0-RA12

9 根列地址線 CA0-CA8

2 根BANK 選擇線 BA0-BA1

SDRAM 的地址引腳是復用的，在讀寫SDRAM 存儲單元時，操作過程是將讀寫的地址分兩次輸入到芯片中，每一次都由同一組地址線輸入。兩次送到芯片上去的地址分別稱為行地址和列地址。它們被鎖存到芯片內部的行地址鎖存器和列地址鎖存器。

/RAS 是行地址鎖存信號，該信號將行地址鎖存在芯片內部的行地址鎖存器中；

/CAS 是列地址鎖存信號，該信號將列地址鎖存在芯片內部的列地址鎖存器中。

SDRAM 的A0 接S3C2440 的ADDR2,很多初學者都對這里又疑問。A0 為什么不接ADDR0？

要理解這種接法，首先要清楚在CPU 的尋址空間中，字節（8 位）是表示存儲容量的唯一單位。

用 2 片HY57V561620F 擴展成32 位SDRAM，可以認為每個存儲單元是4 個字節。因此當它的地址線A1:A0=01 時，處理器上對應的地址線應為ADDR3:ADDR2=01（因為CPU 的尋址空間是以Byte 為單位的）。所以SDRAM 的A0 引腳接到了S3C2440 的ADDR2 地址線上。同理，如果用 1 片HY57V561620F，數據線是16 位，因為一個存儲單元是2 個字節，這時SDRAM 的A0 要接到S3C2440 的ADDR1 上。

也就是說 SDRAM 的A0 接S3C2440 的哪一根地址線是根據整個SDRAM 的數據位寬來決定的。
     

上面的接線圖上，BA0,BA1 接ADDR24,ADDR25，為什么用這兩根地址線呢？BA0~BA1 代表了SDRAM 的最高地址位。因為CPU 的尋址空間是以字節（Byte）為單位的，本系統SDRAM 容量為64MByte，那就需要A25~A0（64M=2^26）地址線來尋址，所以BA1~BA0 地址線應該接到2440 的ADDR25~ADDR24 引腳上。13 根行地址線+9 根列地址線 = 22 根。另外HY57V561620F 一個存儲單元是2 個字節，相當于有了23 根地址線。BA0,BA1 是最高地址位，所以應該接在ADDR24,ADDR25 上。

也就是說 SDRAM 的BA0,BA1 接S3C2440 的哪幾根地址線是根據整個SDRAM 的容量來決定的。

S3C2440 與NOR FLASH(AM29LV160DB)的接線分析
      

NOR FLASH 的特點是芯片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash 閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM 中。NOR 的傳輸效率很高，在1～4MB 的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NOR FLASH 的地址線和數據線是分開的。

AM29LV160DB 是一個2Mbyte 的NOR FLASH，分區結構是：

1 個16Kbyte 扇區，2 個8Kbyte 扇區，1 個32Kbyte 扇區，31 個64Kbyte 扇區（字節模式）

1 個8Kbyte 扇區，2 個4Kbyte 扇區，1 個16Kbyte 扇區，31 個32Kbyte 扇區（半字模式）

共35 個扇區。

下圖是TQ2440 開發板提供的NOR FLASH 部分接線圖。

AM29LV160DB 第47 腳是BYTE#腳，BYTE#接高電平時，器件數據位是16 位，接低電平時，數據位是8 位。上圖BYTE#接VCC，D0-D15 做為數據輸入輸出口。

A0-A19 是地址線，在半字模式下，D0-D15 做為數據輸入輸出口。因為數據位是16 位，A0-A19 可以選擇2^20 = 1M *2BYTE = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB 的容量。

S3C2440 的ADDR1 要接AM29LV160DB 的A0。上圖中AM29LV160DB 的A20,A21 是空腳，分別接的是LADDR21,LADDR22。這應該是為了以后方便擴展NOR FLASH 的容量。LADDR21,LADDR22 對AM29LV160DB 是沒用的。

當BYTE#接低電平時，D0-D7 做為8 位數據輸入輸出口，D15 做為地址線A-1。

相當于有了A-1,A0-A19 共21 根地址線。這個時候S3C2440 的ADDR0 應該接在D15（A-1）。。。。ADDR20 接A19。21 根地址線的尋址空間是2^21 = 2Mbyte。正好是AM29LV160DB 的容量。

S3C2440 與NAND FLASH(K9F1208)的接線分析

NAND FLASH 的接線方式和NOR FLASH,SDRAM 都不一樣。以TQ2440 開發板用的K9F1208 為例，分析NAND FLASH 的接線方式。

K9F1208 結構如下圖

K9F1208 位寬是8 位。

一頁： 512byte + 16byte 最后16byte 是用于存儲校驗碼和其他信息用的，不能
存放實際的數據。

一個塊有32 page：（16k+512）byte 

K9F1208 有4096 個塊：(64M+2M)byte，總共有64Mbyte 可操作的芯片容量NAND FLASH 以頁為單位讀寫數據，以塊為單位擦除數據。

S3C24440 和K9F1208 的接線圖如下：

下圖是S3C2440 的NAND FLASH 引腳配置：

當選定一個NAND FLASH 的型號后，要根據選定的NAND FLASH 來確定S3C2440 的NCON,GPG13,GPG14,GPG15 的狀態。

下圖是S3C2440 中4 個腳位狀態的定義：

K9F1208 的一頁是512byte，所以NCON 接低電平，GPG13 接高電平。

K9F1208 需要4 個尋址命令，所以GPG14 接高電平

K9F1208 的位寬是8，所以GPG15 接低電平。

NAND FLASH 尋址

對K9F1208 來說，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數據寬度是8 位。

地址傳遞分為4 步，如下圖：

第1 步發送列地址，既選中一頁512BYTE 中的一個字節。512byte 需要9bit 來選擇，這里只用了A0-A7，原因是把一頁分成了2 部分，每部分256 字節。通過發送的讀命令字來確定是讀的前256 字節還是后256 字節。

當要讀取的起始地址（Column Address）在0~255 內時我們用00h 命令，當讀取
的起始地址是在256~511 時，則使用01h 命令。

一個塊有32 頁，用A9-A13 共5 位來選擇一個塊中的某個頁。

總共有4096 個塊，用A14-A25 共12 位來選擇一個塊。

K9F1208 總共有64Mbyte，需要A0-A25 共26 個地址位。

例如要讀NAND FLASH 的第5000 字節開始的內容。把5000 分解成列地址和行地址。

Column_address = 5000%512 = 392

Page_address = (5000>>9) = 9

因為column_address>255,所以用01h 命令讀

發送命令和參數的順序是：

NFCMMD = 0x01;從后256 字節開始讀

NFADDR = column_address & 0xff;取column_address 的低8 位送到數據線

NFADDR = page_address & 0xff;發送A9-A16

NFADDR = (page_address >>8) & 0xff; 發送A17-A24

NFADDR = (page_address >> 16) & 0xff;發送A25

上面的NFCMMD,NFADDR.是S3C2440 的NAND FLASH 控制寄存器。讀取的數據會放在NFDATA 中。