重定位之前，要將 flash 初始化，flash 的初始化分為 norflash 和 nandflash，norflash 不用初始化，所以不用做任何操作

3.1 nandflash 初始化

在 nandflash 初始化之前，需要設置棧：

1     /** 6. 重定位：把 bootloader 本身的代碼從flash 復制到它的鏈接地址中 */

2     /** copy_code_to_sdram 用 C語言寫，需要先設置棧 */

3     ldr sp, =0x34000000     /** 棧指向 SDRAM 的頂端 */

進入初始化：

1     bl nand_init

nandflash 初始化需要注意兩個內容，一個是 s3c2440 手冊的第 6 章 nandflash 控制器，一個是 nandflash 的芯片手冊。

3.1.1 寄存器 NFCONF

要注意兩個寄存器，是初始化需要操作的：

 注意圖中標記的三個寄存器參數，這三個參數與 nandflash 控制器的時序有關：

發出 CLE/ALE 之后，一個寫信號 nWE 需要多久變為低電平，nWE 變為低電平后，CLE/ALE 又需要保存多長時間才能變為低電平。

nWE 中的低電平為 /WE 中的 twp 處位置，為寫信號的脈沖寬度，最小為 12 ns，最小值都是通過 nandflash 手冊得到的，如下：

HCLK * (TWRPH0 + 1)  >= 12ns

自己設置的時鐘FCLK（CPU主頻是 400MHZ），分頻比是 FCLK: HCLK: PCLK = 1：4：8，那么 HCLK 是100MHZ，即為10ns；則 10 * （TWRPH0 + 1） >= 12，TWRPH0 >= 0.2，那么 TWRPH0 可以設置為 1。

發出 CLE 和 ALE 之后，過多少時間才能發出寫信號？time = tcls - twp >= 0，這里說明 CLE 信號和 WE 信號可以同時發出，那么可以將 TACLS 時間設置為 0，即發出 CLE 后，立即發出寫信號。

TWRPH1 表示寫信號變為高電平之后，CLE 和 ALE 還需要維持多長時間，從 nandflash 時序圖和手冊，可以知道 tclh >= 5ns，則 10 * （TWRPH1 + 1） >= 5，則 TWRPH1 >= 0。

3.1.2 寄存器 NFCONT

這個寄存器需要設置 MODE（NAND Flash 控制器運行模式），要使能 nandflash；Reg_nCE（NAND Flash 存儲器的 nFCE 信號控制），我們是引導期間，所以要使能片選；InitECC，雖然在引導期間不會使用 ECC，但是也要進行 ECC 初始化。

3.1.3 初始化代碼

 1 void nand_init(void)

 2 {

 3 #define TACLS       0

 4 #define TWRPH0      1

 5 #define TWRPH1      0

 6 

 7     /** 設置時序 */

 8     NFCONF = (TACLS << 12) | (TWRPH0 << 8) | (TWRPH1 << 4);

 9     /** 使能 NND Flash 控制器, 初始化 ECC, 禁止片選 */

10     NFCONT = (1 << 4) | (1 << 1) | (1 << 0);

11 }