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評(píng)論

ST內(nèi)核M3的32位MCU產(chǎn)品STM32F1xxx這一系列的MCU內(nèi)置SRAM資源非常有限，在應(yīng)用中如果遇到數(shù)據(jù)需要擴(kuò)容的情況下，需要外擴(kuò)SRAM器件，一個(gè)并行接口的SRAM或SDRAM需要30~40個(gè)封裝管腳，在一些方案中MCU可用于外擴(kuò)SRAM的管腳數(shù)量有限，如果考慮SPI SRAM（串行SRAM）是一種不錯(cuò)的解決方案。

  如果是從降低成本的方向考慮，這里介紹一種偽靜態(tài)的SPI SRAM，只需要SPI接口或者QPI接口，就可以簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單實(shí)現(xiàn)單線、4線和8線的方式操作SRAM。這種產(chǎn)品的速度快20MHz~200MHz,功耗也低，更重要的是在價(jià)格上有也較傳6晶體的SRAM優(yōu)勢(shì)很多,同時(shí)產(chǎn)品的容量范圍廣16Mb,32Mb,64Mb。因此已經(jīng)得到越來(lái)越多的MCU相關(guān)廠家的支持。

  例如VTI公司的VTI7064用途一般是數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理過程的緩沖，MCU遠(yuǎn)程升級(jí)的數(shù)據(jù)備份和緩存等等。這款的特點(diǎn)就是引腳少，SOP8封裝。這樣需要對(duì)外的連線就很少，絕大部分單片機(jī)ARM都可以方便外擴(kuò)RAM。應(yīng)用用途，比如：可以連續(xù)、高速采樣長(zhǎng)時(shí)段的信號(hào)數(shù)據(jù)（如紅外線或邏輯分析電平），存儲(chǔ)器滿了，再發(fā)送給其他芯片或PC，這樣采樣到的數(shù)據(jù)就是連續(xù)的。速度慢的話可以考慮采用四線qual SPI 模式，即數(shù)據(jù)位的傳輸采用一次傳四位的模式，此時(shí)的主頻可高達(dá)133MHz。

  對(duì)于數(shù)據(jù)傳速速率較高的應(yīng)用場(chǎng)合，Ramsun可以提供DDR SPI SRAM,此種產(chǎn)品僅需要13 I/O，實(shí)現(xiàn)400MB/s或者3.2Gbps的數(shù)據(jù)吞吐速率。英尚國(guó)際可以依據(jù)客戶不同方案，推供不同性價(jià)比的16Mb,32Mb,64Mb SPI/QPI 和DDR SPI SRAM.同時(shí)也提供并行的SRAM和PSRAM供STM32F1xxx系列MCU外擴(kuò)選擇用。我們將提供更詳細(xì)的RAM解決方案。

VTI7064型號(hào)

Density	Organization	Part NO.	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package	Packing	Status
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP

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stm32 外擴(kuò)SRAM使用問題

當(dāng)把外擴(kuò)SRAM內(nèi)存拷貝到片上SRAM內(nèi)存時(shí)使用內(nèi)存拷貝函數(shù)memset（）或者原子定義的mymemset()函數(shù)，編譯器會(huì)提示空間不足。原因是這兩個(gè)函數(shù)一個(gè)是只能對(duì)片上SRAM操作，一個(gè)是只能對(duì)外擴(kuò)SRAM操作，兩者沒有一個(gè)可以同時(shí)操作片上SRAM和外擴(kuò)SRAM,所以編譯器會(huì)提示內(nèi)存空間不足。

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