氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，這就是說，與同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以處理更大的負(fù)載，能效更高，物料清單成本更低。
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于GaN功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力。這些優(yōu)勢(shì)正是當(dāng)下高功耗高密度系統(tǒng)、大數(shù)據(jù)服務(wù)器和計(jì)算機(jī)所需要的。
選用困境
一方面，GaN器件的人氣越來越高，頻繁地出現(xiàn)在日常用品中，諸如手機(jī)充電器等終端產(chǎn)品的用戶都開始探索、揭秘GaN，各類開箱、拆解視頻在社交軟件上層出不窮，許多大眾科技媒體更是不遺余力地介紹GaN產(chǎn)品的好處。但另一方面，GaN器件的特性也意味著在使用它時(shí)，開發(fā)人員需要有更合理周密的設(shè)計(jì)，如更多地考慮柵極驅(qū)動(dòng)，電壓和電流轉(zhuǎn)換速率，電流等級(jí)，噪聲源和耦合布局考慮因素對(duì)導(dǎo)通和關(guān)斷所帶來的影響。因此，某些工業(yè)產(chǎn)品制造商仍會(huì)因擔(dān)心潛在的PCB重新設(shè)計(jì)或采購問題而避免使用GaN。
ST和Exagan：把握先機(jī)的重要性
在看到GaN的發(fā)展?jié)摿?，ST開始加強(qiáng)在這種復(fù)合材料上的投資和生態(tài)系統(tǒng)的開發(fā)。
2020年3月，ST收購了Exagan的大部分股權(quán)。Exagan是法國的一家擁有獨(dú)特的外延層生長(zhǎng)技術(shù)的創(chuàng)新型企業(yè)，是為數(shù)不多幾家有能力在8吋(200 mm)晶圓上大規(guī)模部署并制造GaN芯片的廠商。ST對(duì)Exagan的并購是其長(zhǎng)期投資功率化合物半導(dǎo)體技術(shù)計(jì)劃的一部分。此次收購提高了ST在汽車、工業(yè)和消費(fèi)級(jí)高頻大功率GaN的技術(shù)積累、有助于其開發(fā)計(jì)劃和業(yè)務(wù)的擴(kuò)大。通過與Exagan簽署并購協(xié)議，ST將成為第一家產(chǎn)品組合有耗盡模式 / depletion-mode（D模式）和增強(qiáng)模式 / enhancement-mode（E模式）兩種GaN器件的公司。D模式高電子遷移率晶體管（HEMT）采用“ 常開”芯片結(jié)構(gòu)，具有一條自然導(dǎo)電通道，無需在柵極上施加電壓。D模式是GaN基器件的自然存在形式，一般是通過共源共柵結(jié)構(gòu)來集成低壓硅MOSFET。另一方面，“ 常開”或E模式器件具有一條P-GaN溝道，需要在柵極施加電壓才能導(dǎo)通。這兩種模式都越來越多地出現(xiàn)在消費(fèi)者、工業(yè)、電信和汽車應(yīng)用中。
同年9月，ST發(fā)布了業(yè)內(nèi)首個(gè)600 V 系統(tǒng)級(jí)封裝MASTERGAN1, 該系列產(chǎn)品采用半橋拓?fù)浼梢粋€(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)式GaN晶體管，為設(shè)計(jì)高成本效益的筆記本、手機(jī)等產(chǎn)品電源提供了新的選擇，是目前市場(chǎng)上首個(gè)且唯一的集成兩個(gè)增強(qiáng)式GaN晶體管的系統(tǒng)級(jí)封裝。
ST和Exagan： 加快GaN的大規(guī)模應(yīng)用
更大的晶圓，更高的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益
一項(xiàng)新技術(shù)只有在保證生產(chǎn)效率的條件才能得到大規(guī)模應(yīng)用。在本世紀(jì)初，半導(dǎo)體行業(yè)還在努力解決GaN晶體中的大量缺陷導(dǎo)致器件無法應(yīng)用的問題，這的確在某種程度上取得了一些成就并改善了情況。然而，只有制造工藝不斷改進(jìn)，工程師才能切合實(shí)際地用GaN功率器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品。Exagan的研發(fā)工作實(shí)現(xiàn)了這一點(diǎn) ——在提高產(chǎn)品良率的同時(shí)還使用8吋晶圓加工芯片。
Exagan負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)PowerGaN系統(tǒng)和應(yīng)用生態(tài)系統(tǒng)的產(chǎn)品應(yīng)用總監(jiān)Eric Moreau解釋說：“當(dāng)我們開始創(chuàng)辦Exagan時(shí)，就已經(jīng)掌握了生長(zhǎng)外延層的專業(yè)知識(shí)。但是我們的目標(biāo)是想超越行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)時(shí)，大家都在用6吋（150mm）的晶圓。如果能夠克服8吋晶圓的挑戰(zhàn)，我們將領(lǐng)先業(yè)界，將能提供大規(guī)模市場(chǎng)滲透所需的產(chǎn)品良率和規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益。”
如何利用好現(xiàn)有CMOS晶圓廠
無論采用哪一種技術(shù)，工程師第一個(gè)考慮的都是先獲得廠商的供貨保證，尤其是在設(shè)計(jì)產(chǎn)量很大的產(chǎn)品時(shí)。在獲得Exagan的技術(shù)、外延工藝和專業(yè)知識(shí)后， ST現(xiàn)在正在將這項(xiàng)技術(shù)融入現(xiàn)有晶圓廠，而無需投入巨資采購專門的制造設(shè)備。工廠可以獲得更高的產(chǎn)品良率，更快地提高產(chǎn)能 —— 這意味著成本效益更高的解決方案和可靠性更高的供應(yīng)鏈指日可待。
ST和Exagan：技術(shù)的融合升級(jí)對(duì)行業(yè)的意義
厚積薄發(fā)
工程師想要說服管理者采用GaN，就必須證明GaN的價(jià)值主張。理論參數(shù)固然重要，但決策者更看重現(xiàn)實(shí)價(jià)值。展示電路性能是設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)解決這一挑戰(zhàn)的方法之一。事實(shí)上，GaN器件可以大幅降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，進(jìn)而降低冷卻系統(tǒng)的物料清單成本。此外，更好的開關(guān)性能意味著可以使用更小更輕的無源元件，即電容和電感。更高的功率密度能夠讓工程師開發(fā)出更緊湊的系統(tǒng)（尺寸縮小到四分之一）。因此，即使比硅器件（MOSFET或IGBT）貴，GaN器件帶來的好處仍然讓其在競(jìng)爭(zhēng)中處于優(yōu)勢(shì)。
通過并購Exagan公司，ST將擁有強(qiáng)大的GaN IP組合，將能夠同時(shí)提供E型和D型兩種GaN產(chǎn)品，制定明確的未來十年產(chǎn)品開發(fā)路線圖。ST的GaN業(yè)務(wù)部門經(jīng)理Roberto Crisafulli表示：“通過引進(jìn)Exagan獨(dú)有的專業(yè)知識(shí)技術(shù)，ST進(jìn)一步鞏固了在GaN技術(shù)領(lǐng)域的地位。此舉將有助于加強(qiáng)ST在新型復(fù)合材料功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的無可爭(zhēng)議的世界領(lǐng)先地位?！?p>
開路先鋒
四十年前，隨著半導(dǎo)體行業(yè)開始用硅制造晶體管，硅被廣泛用于電子產(chǎn)品。正是有了這樣一個(gè)基礎(chǔ)，硅器件的創(chuàng)新至今方興未艾。如果制造商還看不到一項(xiàng)技術(shù)的某些積極的成果，他們就不能找到合適的理由推進(jìn)這一項(xiàng)技術(shù)。通過整合和Exagan的技術(shù)，ST有信心為未來的GaN投資和創(chuàng)新奠定這一堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。簡(jiǎn)而言之，今日的GaN就是40年前的硅，目前雖然還只是鋒芒初綻，但其發(fā)展?jié)摿Σ豢尚∮U。
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史海拾趣
DIOO公司的創(chuàng)始人李?yuàn)W（Leo）是一位熱衷于電子技術(shù)的工程師。在20世紀(jì)80年代初，他看到了電子行業(yè)的巨大潛力，并決定創(chuàng)立DIOO公司，專注于開發(fā)和生產(chǎn)高端電子產(chǎn)品。憑借對(duì)技術(shù)的熱愛和對(duì)市場(chǎng)的敏銳洞察，李?yuàn)W帶領(lǐng)DIOO公司推出了第一款自主研發(fā)的電子產(chǎn)品——高性能音頻放大器，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能和獨(dú)特的設(shè)計(jì)在市場(chǎng)上引起了轟動(dòng)。
2022年，無錫錫產(chǎn)微芯半導(dǎo)體有限公司完成了對(duì)安譜隆的收購。這一交易金額超過百億元，是當(dāng)年中國最大的半導(dǎo)體并購交易事件之一。錫產(chǎn)微芯的收購不僅為安譜隆提供了更廣闊的發(fā)展平臺(tái)，也為其在半導(dǎo)體行業(yè)中的進(jìn)一步發(fā)展注入了新的活力。在錫產(chǎn)微芯的支持下，安譜隆開啟了新的發(fā)展階段，繼續(xù)在全球射頻市場(chǎng)中發(fā)揮著重要作用。
這五個(gè)故事展示了安譜隆從恩智浦剝離出來到被錫產(chǎn)微芯收購的發(fā)展歷程。在這個(gè)過程中，安譜隆不僅展現(xiàn)了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)潛力，也經(jīng)歷了資本市場(chǎng)的波折與挑戰(zhàn)。然而，正是這些經(jīng)歷使得安譜隆更加成熟和穩(wěn)健，為其未來的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
2015年，隨著恩智浦和飛思卡爾的合并，恩智浦決定將其射頻業(yè)務(wù)剝離出來。這一決策旨在使兩家公司能夠更專注于各自的核心業(yè)務(wù)，同時(shí)也為射頻業(yè)務(wù)的發(fā)展打開新的篇章。安譜隆作為這一剝離業(yè)務(wù)的承接者，應(yīng)運(yùn)而生。此次剝離不僅為安譜隆帶來了豐富的技術(shù)資源和市場(chǎng)基礎(chǔ)，也為其未來的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
在成立初期，Dau Semiconductor Inc公司面臨著諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。其中，如何實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗設(shè)計(jì)是困擾公司發(fā)展的一個(gè)難題。為了解決這個(gè)問題，公司投入大量研發(fā)資源，不斷探索新的技術(shù)和材料。經(jīng)過數(shù)年的努力，公司終于成功突破了技術(shù)瓶頸，研發(fā)出了一款具有超低功耗的半導(dǎo)體芯片。這款芯片的推出，不僅為公司贏得了市場(chǎng)認(rèn)可，也為公司在行業(yè)中樹立了技術(shù)領(lǐng)先的形象。
背景：隨著公司實(shí)力的不斷增強(qiáng)，GardTec開始積極拓展新的市場(chǎng)領(lǐng)域，提升品牌影響力。
發(fā)展：公司不僅在風(fēng)扇配件市場(chǎng)保持領(lǐng)先地位，還逐步將業(yè)務(wù)拓展到更廣泛的電子配件領(lǐng)域。同時(shí)，GardTec積極參加各類行業(yè)展會(huì)和交流活動(dòng)，提升品牌知名度和影響力。
影響：通過市場(chǎng)拓展和品牌影響力的提升，GardTec在電子行業(yè)中的地位更加穩(wěn)固，為公司的長(zhǎng)期發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。同時(shí)，這也為公司的合作伙伴和客戶帶來了更多的機(jī)遇和價(jià)值。
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