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2021年02月26日 | 對(duì)性能功耗與面積的要求使FD-SOI或回歸主流視線

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SoC設(shè)計(jì)者在選擇工藝技術(shù)時(shí),常常不得不做出“紅還是藍(lán)”的決定。通常,必須在性能、功耗和面積之間做出選擇,其中一個(gè)優(yōu)先考慮,另一個(gè)次要優(yōu)先考慮。然而,正如Mixel和NXP在最近的一篇論文中指出的那樣,如果設(shè)計(jì)師考慮使用全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)工藝,那么他們可以同時(shí)滿足更多的優(yōu)勢(shì)。這一點(diǎn)尤其正確,因?yàn)镕D-SOI以工具支持和IP可用性的形式正在提供廣泛的生態(tài)系統(tǒng)。


FD-SOI與體CMOS相比是一種利基技術(shù),但隨著物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用對(duì)低待機(jī)功率和模擬與數(shù)字性能的新需求,F(xiàn)D-SOI的復(fù)興可能正在開(kāi)始。在Mixel高級(jí)工程總監(jiān)Eric Hong和NXP Semiconductors產(chǎn)品線經(jīng)理Nik Jedrzejewski撰寫(xiě)的題為“是時(shí)候再看看FD-SOI了”的論文中,他們指出FD-SOI具有獨(dú)特的特性,是物聯(lián)網(wǎng)的最佳選擇。


Mixel和NXP合作為設(shè)計(jì)者提供了一種優(yōu)于CMOS工藝的替代方案。本文重點(diǎn)介紹了利用Mixel的mipi d-PHY-IP的NXP i.mx7ulp平臺(tái)。


讓我們看看作者對(duì)FD-SOI器件的性能特點(diǎn)有何看法。FD-SOI在整個(gè)晶體管下面放置了一層氧化物絕緣層,它使用了一個(gè)具有凸起源極和漏極材料的薄溝道。這種結(jié)構(gòu)提供了許多有趣的特性,可以用來(lái)改進(jìn)芯片設(shè)計(jì)。這種配置減少了寄生和短溝道效應(yīng)


在體CMOS中,源極、漏極和襯底之間存在寄生電容。此外,在體CMOS中,柵致漏的漏效應(yīng)(GIDL)和漏致勢(shì)壘的降低效應(yīng)(DIBL)分別對(duì)閾值電壓和高漏電壓關(guān)斷產(chǎn)生嚴(yán)重影響。另一方面,在FD-SOI中,埋置的氧化物(BOX)層屏蔽了源極和漏極,并允許更薄的溝道,提高了柵極的關(guān)斷能力。柵電容和寄生電容的降低意味著峰值功率和動(dòng)態(tài)功率的降低,跨導(dǎo)和ft的提高。


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FD-SOI優(yōu)勢(shì)


也許FD-SOI最有趣的特性是結(jié)下襯底的體偏壓可以很容易地應(yīng)用。這種體偏壓甚至可以根據(jù)當(dāng)時(shí)需要的工作特性進(jìn)行動(dòng)態(tài)修改。為了改善泄漏電源,可采用反向閥體偏置(RBB)。作者報(bào)告說(shuō),使用這種技術(shù),泄漏可以減少50倍。


通過(guò)施加正向體偏壓(FBB),可以降低閾值電壓,從而提高性能和更高的柵極驅(qū)動(dòng)(Vdd-Vt)。作者提到了使用1V電源時(shí)性能改善超過(guò)60%的情況。Mixel觀察到在快速轉(zhuǎn)彎處(Fast Corner)的設(shè)計(jì)可以節(jié)省50%的電力。同樣的設(shè)計(jì)在典型拐角處(Typical Corner)的功率降低了14%。這是通過(guò)將片上設(shè)備的W/L降低55%來(lái)實(shí)現(xiàn)的。體偏壓也可以用來(lái)補(bǔ)償模具之間的變化,以提高產(chǎn)量。


本文還詳細(xì)介紹了FD-SOI在模擬設(shè)計(jì)中如何改善晶體管的許多性能特性。FD-SOI可以為尋求提高功率、性能、面積和產(chǎn)量的設(shè)計(jì)提供了不止一個(gè),而是許多優(yōu)點(diǎn)。


NXP與Mixel合作,為基于FD-SOI的SOC設(shè)計(jì)搭建了一個(gè)非常引人注目的平臺(tái)。

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