將在2021年4月上旬發售面向后道工序的半導體光刻機新產品——i線步進式光刻機2 “FPA-5520iV LF Option”。該產品實現了面向先進封裝3的52×68mm大視場曝光，解析度達1.5μm （微米4）。
為了提高半導體芯片的性能，不僅在半導體制造的前道工序中實現電路的微細化十分重要，在后道工序中的高密度封裝也備受矚目。為實現高性能的先進封裝，需要精細的重布線5，近年來已經開始使用半導體光刻機進行重布線工藝。新產品繼承了可應對先進封裝的舊機型“FPA-5520iV”（2016年7月發售）的基本性能，同時實現了大視場下電路圖形的曝光，可滿足異構封裝6等多種先進封裝技術的需求。
通過搭載新投影光學系統實現大視場的一次曝光
通過搭載新投影光學系統，新產品可以一次曝光52×68mm的大視場，達到了前道工序中光刻機標準視場26×33mm的4倍以上。通過大視場曝光，實現了連接多個大型半導體芯片的異構封裝。此外，該產品具有1.5μm的高解析度，可以曝光出精細的重布線圖案，從而可應對多種先進封裝工藝。另外，在使用高解析度選項的情況下，可以實現以1.0μm的高解析度曝光重布線圖案。
繼承“FPA-5520iV”的基本性能
新產品繼承了“FPA-5520iV”受到廣泛好評的基本性能。通過這些共通的基本性能，可以實現封裝工藝量產課題中的再構成基板7變形問題的靈活應對，還可以在芯片排列偏差較大的再構成基板上檢測出對準標記，從而提高生產效率，實現高生產性等優勢。
1 為方便讀者理解，本文中佳能可指代：佳能（中國）有限公司，佳能股份有限公司，佳能品牌等
2 使用了i線（水銀燈波長 365nm）光源的半導體曝光裝置。1nm（納米）是10億分之1米。
3 保護精密的半導體芯片不受外部環境的影響，并在安裝時實現與外部的電氣連接。
4 1μm（微米）是100萬分之1米（＝1000分之1mm）。
5 連接在半導體芯片之間或半導體芯片和凸塊（突出的連接電極）之間的布線。
6 封裝將不同類型的芯片組合在一起，例如CPU和DRAM、CPU和GPU。通過將不同芯片彼此靠近放置并將其許多電路連接并集成在一起，以提高處理能力。
7 從半導體光刻機前道工序中制造出的晶圓中取出多個單個半導體芯片并排列，用樹脂固定成晶圓形狀的基板。
參考信息：
＜什么是半導體制造的后道工序＞
在半導體芯片的制造工藝中，半導體光刻機負責“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工序中，在硅晶圓上制造出半導體芯片的工序稱為前道工序。另一方面，保護精密的半導體芯片不受外部環境的影響，并在安裝時實現與外部的電氣連接的封裝工序稱為后道工序。
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