SiC作為材料在19世紀(jì)就被發(fā)現(xiàn)了，隨后的一個(gè)世紀(jì)里，SiC由于其硬度高而廣泛在機(jī)械加工和冶煉中得到運(yùn)用，主要用在功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料這幾個(gè)領(lǐng)域。還有就是作為一種珠寶——莫桑鉆——而推廣。

雖然早在1907年就誕生了第一只SiC二極管，但由于SiC本身結(jié)構(gòu)的多變性，SiC的產(chǎn)業(yè)化晶體生長(zhǎng)的探索之路持續(xù)了整個(gè)20世紀(jì)，并至今仍在不斷探索和完善。作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用。SiC元器件能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，更高的開關(guān)速度，適應(yīng)更高溫的工作環(huán)境。

幾種半導(dǎo)體材料的核心指標(biāo)對(duì)比（當(dāng)然，表中缺乏一個(gè)核心的要素——產(chǎn)業(yè)化成本）：

資料來(lái)源：賽迪智庫(kù)

SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)鏈條包括：襯底->外延->器件（設(shè)計(jì)，制造，封測(cè)）->應(yīng)用和方案->終端產(chǎn)品應(yīng)用。

資料來(lái)源：滴水研究

襯底和外延屬于SiC產(chǎn)業(yè)的上游環(huán)節(jié)，作為支撐整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的材料環(huán)節(jié)，不論是從最終器件的性能還是成本因素來(lái)看，其重要性怎么強(qiáng)調(diào)都不過(guò)分。

Cree作為整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和領(lǐng)頭羊，在襯底和外延領(lǐng)域都有著絕對(duì)的領(lǐng)軍優(yōu)勢(shì)——市占率在50%左右。近兩年更是“一片難求”。對(duì)于下游的器件巨頭而言，保障供應(yīng)最好的方式，就是和Cree簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議。Cree目前的SiC材料長(zhǎng)期供貨合同的金額已經(jīng)超過(guò)5億美金，預(yù)計(jì)這個(gè)數(shù)字還會(huì)繼續(xù)快速地增加——這種模式對(duì)于這個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而言，會(huì)起到很大的促進(jìn)作用，這個(gè)在后面闡述產(chǎn)業(yè)發(fā)展動(dòng)力的時(shí)候，再來(lái)詳述。

除了Cree外，II-VI、Dow Corning、Rohm、昭和電工是主要的玩家。它們一起構(gòu)成了SiC材料行業(yè)格局的基本生態(tài)，它們的動(dòng)向也會(huì)對(duì)整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生重大影響。

作為全球最大的半導(dǎo)體器件的主場(chǎng)戰(zhàn)隊(duì)，國(guó)內(nèi)的SiC材料企業(yè)發(fā)展近兩年也非常迅速。得益于產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的相互支持和推動(dòng)，襯底端的國(guó)內(nèi)供應(yīng)商已經(jīng)能夠大批量地提供比較好的4寸襯底，6寸片的進(jìn)化也在不斷加速。外延方面，國(guó)內(nèi)的企業(yè)經(jīng)過(guò)多年的工藝積累和優(yōu)化，有些已經(jīng)基本和國(guó)外巨頭處于同一集團(tuán)，正面PK也不落下風(fēng)。材料端的良好進(jìn)展，對(duì)于國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而言，是至關(guān)重要的。

材料設(shè)備方面，由于SiC的襯底材料生長(zhǎng)的獨(dú)特性，幾家襯底巨頭，包括國(guó)內(nèi)的一些襯底廠商，很多都是自研自產(chǎn)襯底爐子，這也進(jìn)一步拉高了進(jìn)入襯底行業(yè)的難度——國(guó)外襯底巨頭基本上不對(duì)外賣爐子，并且襯底生長(zhǎng)的品質(zhì)把控，有很多的know how是歸集到襯底爐上面的。

外延爐相對(duì)而言比較成熟，主要是使用MOCVD設(shè)備，設(shè)備玩家非常集中，AiXtron，LPE和VEECO。隨著這個(gè)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)火熱和高預(yù)期，各家的產(chǎn)能擴(kuò)張，使得外延爐現(xiàn)在一直也是供不應(yīng)求的狀態(tài)，交期一般也都得在半年以上。

資料來(lái)源：滴水研究

器件方面，分成IDM廠商和Fabless廠商，這里主要是說(shuō)明SiC功率器件，對(duì)于SiC襯底應(yīng)用于LED和GaN器件的情況——LED就不做說(shuō)明了，GaN器件在下篇中來(lái)詳述。IDM廠商目前主要還是以國(guó)外的巨頭為主，除了Cree外，大都是傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體巨頭，他們?cè)趥鹘y(tǒng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上的相對(duì)競(jìng)爭(zhēng)和勢(shì)力情況，也影響著SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展節(jié)奏，這些在后面來(lái)詳述。國(guó)內(nèi)的IDM廠商近年來(lái)逐漸發(fā)力追趕（根據(jù)華潤(rùn)微電子披露的招股書，其將要投資6億重點(diǎn)支持SiC和GaN，華潤(rùn)微在三代半的布局，應(yīng)該還是IDM的方式），但差距還是比較大。

在Fabless-Foundry的模式里，獨(dú)立的第三方fab廠，目前主要是X Fab和臺(tái)灣漢磊。未來(lái)應(yīng)該也會(huì)有新的國(guó)內(nèi)玩家加入（不管是傳統(tǒng)Si Fab廠四、六寸線的產(chǎn)能轉(zhuǎn)換還是新設(shè)投資）。圍繞著這些fab廠建立起來(lái)的Fabless-Foundry生態(tài)體系，逐漸也一定會(huì)成為SiC功率器件中很重要的力量。

下游的應(yīng)用，SiC在電力電子和很多的傳統(tǒng)高壓高功率的功率半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景中，都有應(yīng)用或潛在的應(yīng)用空間。如下圖所示：

資料來(lái)源：Yole

EV是SiC功率器件/模塊的一個(gè)大下游市場(chǎng)，在OBC、DC/DC和Traction Inverter上目前都已經(jīng)開始應(yīng)用。特斯拉是第一家在其Model 3中集成全SiC功率模塊的車企，其工程設(shè)計(jì)部門直接與ST合作——得益于ST在功率半導(dǎo)體封裝方面積累，目前這塊也是ST在SiC業(yè)務(wù)中的絕大部分來(lái)源。特斯拉M3的主逆變器由24個(gè)1-in-1功率模塊組成，這些模塊組裝在針翅式散熱器上。如下圖所示：

圖片來(lái)源：汽車電子設(shè)計(jì)

專業(yè)研究機(jī)構(gòu)Yole Development對(duì)SiC功率器件的應(yīng)用空間、容量和各自的占比做了預(yù)測(cè)（如下圖），根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，未來(lái)幾年SiC功率器件的CAGR將超過(guò)30%，新能源汽車和充電設(shè)施是其中增長(zhǎng)最快的兩個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景。

資料來(lái)源：yole

目前SiC二極管已經(jīng)非常成熟了，國(guó)內(nèi)外的玩家都能夠量產(chǎn)。但在MOS等其他器件上，國(guó)內(nèi)外差距較大。從應(yīng)用的角度看，雖然絕大部分的應(yīng)用客戶都會(huì)有（或宣稱有）對(duì)SiC器件的研究和方案，但坦白講，對(duì)SiC器件的深刻理解、對(duì)其應(yīng)力和邊界的探索和研究，從應(yīng)用端的角度來(lái)看，還是需要更長(zhǎng)期的過(guò)程。

主要環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)化的難點(diǎn)

襯底的生產(chǎn)過(guò)程中的精確控制一直是個(gè)核心難點(diǎn)。SiC單晶生長(zhǎng)溫度高達(dá)2,300℃，且碳化硅只有“固-氣”二相，相比于第一代、第二代半導(dǎo)體的“固-液-氣”三相，控制起來(lái)要困難得多，沒(méi)有相關(guān)技術(shù)進(jìn)行參考借鑒。加上SiC的單晶結(jié)構(gòu)差不多有200余種同分異構(gòu)體，很多的晶型間的自由能差異非常小，這些都給其單晶的產(chǎn)業(yè)化生長(zhǎng)制備帶來(lái)了很大的挑戰(zhàn)。直接的結(jié)果是，sic單晶體中的缺陷一直是核心要解決的問(wèn)題。

外延方面，延續(xù)了襯底中缺陷控制的挑戰(zhàn)——與襯底類似，其生長(zhǎng)過(guò)程的精確控制也是難點(diǎn)。對(duì)生長(zhǎng)過(guò)程的設(shè)計(jì)需要綜合考慮器件需求、缺陷和過(guò)程控制等多方面因素。器件端的挑戰(zhàn)主要在mos管及以上（從結(jié)構(gòu)的復(fù)雜程度來(lái)看）器件上，比如器件柵氧層的制備，即便是功率器件的行業(yè)巨頭，目前也還是需要不斷去突破和完善。由于SiC材料的高硬度和高溫加工環(huán)境，摻雜工藝上的挑戰(zhàn)也比較大。

應(yīng)用和方案的配套直接決定了SiC器件的推廣應(yīng)用，功率半導(dǎo)體目前大部分的應(yīng)用環(huán)境還是以硅基產(chǎn)品為基礎(chǔ)，需要根據(jù)SiC器件的特性和需求來(lái)設(shè)計(jì)其應(yīng)用生態(tài)和配套的外圍電路，因此應(yīng)用和方案商的缺乏目前對(duì)于整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而言，是一個(gè)亟需突破的焦點(diǎn)。

當(dāng)然，最核心的問(wèn)題還是繞不開：成本。

經(jīng)常聽(tīng)到的一些觀點(diǎn)是，碳化硅器件還是太貴了。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律看，只有當(dāng)成本和價(jià)格跌破到某一些臨界點(diǎn)后，其大規(guī)模的批量應(yīng)用才會(huì)起來(lái)。這是一個(gè)動(dòng)態(tài)且復(fù)雜的過(guò)程。

這里只從一些邏輯層面來(lái)解析下“成本”——支持SiC功率器件應(yīng)用的人士，都會(huì)提到SiC功率器件的系統(tǒng)成本已經(jīng)接近且極有潛力低于Si基器件的系統(tǒng)成本，因?yàn)镾iC功率器件會(huì)使得配套的電路變得更簡(jiǎn)單和更少的單元，從而在系統(tǒng)層面來(lái)降低成本。如下圖：

資料來(lái)源：賽迪智庫(kù)

Infineon在其公開資料中，對(duì)這個(gè)邏輯也有一些說(shuō)明，如下：

資料來(lái)源：Infineon

資料來(lái)源：Infineon

如果把這個(gè)邏輯再擴(kuò)展一步：芯片其實(shí)也是電路系統(tǒng)，SiC功率器件芯片本身也得益于更高效的特質(zhì)——更小的size。同樣指標(biāo)和性能的產(chǎn)品，一片SiCwafer上能夠生產(chǎn)出來(lái)的die的數(shù)量，大概能抵得上6片Si Wafer的產(chǎn)出。

所以SiC功率器件的成本潛力及邏輯支撐，我們認(rèn)為是站得住腳的。但這個(gè)邏輯同樣要經(jīng)受到實(shí)際應(yīng)用情況的挑戰(zhàn)和檢驗(yàn)。一個(gè)是wafer成本以及每顆die的成本，比較合適的比較，是和12寸線的情況來(lái)比較，這個(gè)臨界值大概會(huì)是12寸Si晶圓情況下的多少倍？一個(gè)是更小的size的正負(fù)效益都要考慮到，特別是結(jié)合后續(xù)的封裝和應(yīng)用，也許很多看在明面上的好處，其實(shí)是需要打折扣的。

對(duì)SiC產(chǎn)業(yè)化難點(diǎn)的總結(jié)如下：

• 材料——高成本、缺陷密度（良率）、晶圓尺寸和晶圓供給

•  

• 器件——高成本、產(chǎn)線、長(zhǎng)期可靠性、封裝和可靠的供應(yīng)鏈關(guān)系

•  

• 系統(tǒng)/方案——外圍配套和應(yīng)用生態(tài)

•  

資料來(lái)源：Yole

當(dāng)然，任何新事物的推廣，都是受到產(chǎn)業(yè)內(nèi)在發(fā)展邏輯和動(dòng)力推動(dòng)而影響的，SiC功率器件也一樣。接下來(lái)我們?cè)囍鴣?lái)分析下，對(duì)于SiC功率器件而言，現(xiàn)階段其產(chǎn)業(yè)動(dòng)能的情況如何？

SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展動(dòng)力

首先來(lái)看近期一個(gè)比較爆炸的新聞：

5月7日，Cree宣布將投資10億美金用來(lái)擴(kuò)大SiC的產(chǎn)能，包括整合一座8寸晶圓廠（4.5億投資用于North Fab，增建工廠和產(chǎn)能）和一座SiC材料工廠（4.5億美金用于mega factory，剩下的1億美金用于SiC其他業(yè)務(wù)的相關(guān)投入），將其SiC材料和晶圓制造的能力（相比于2017年的Q1）擴(kuò)張30倍。

Cree對(duì)SiC未來(lái)（到2024年）的預(yù)期的信心究竟有多少，我們不得而知，但打出這樣的牌，一是也符合Cree這兩年一直對(duì)外釋放的信號(hào)，比如在2019財(cái)年Q2的Earnings Call Transcript中，Cree預(yù)計(jì)2019財(cái)年的資本投入約2.2億美金，大部分用于擴(kuò)張wolfspeed的產(chǎn)能。即便是“......that may reduce our near-term Wolfspeed gross margin.” 二是Cree判斷目前已經(jīng)達(dá)到了采用電動(dòng)汽車和采用碳化硅的轉(zhuǎn)折點(diǎn)——汽車制造商已宣布計(jì)劃在電氣化項(xiàng)目上花費(fèi)至少3000億美元，他們對(duì)碳化硅的興趣非常高。因此公司需要保證自己在sic領(lǐng)域的長(zhǎng)期供應(yīng)能力。從他們目前和下游簽下的長(zhǎng)期晶圓供應(yīng)協(xié)議正在驗(yàn)證這些趨勢(shì)，目前這些協(xié)議總額超過(guò)4.5億美元，包括今年與STMicro簽訂的價(jià)值超過(guò)2.5億美元的合約。

作為Cree在SiC材料上的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，II-VI、Dow Corning、Rohm和昭和電工近年來(lái)也是持續(xù)在擴(kuò)張產(chǎn)能。II-VI在其2019年Q3的電話會(huì)議中說(shuō)明：2018年基于SiC的電力電子設(shè)備（包括用于電動(dòng)車輛應(yīng)用）增長(zhǎng)了70％。整個(gè)SiC的應(yīng)用市場(chǎng)正在加強(qiáng)，特別是在中國(guó)。在資金投入方面，2019財(cái)年其很大一部分的資本投入，都是用于SiC。II-VI對(duì)其每一個(gè)SiC材料工廠都有一個(gè)量產(chǎn)改進(jìn)計(jì)劃，其核心在于最大程度地實(shí)現(xiàn)持續(xù)的產(chǎn)量改進(jìn)，計(jì)劃在未來(lái)18到24個(gè)月內(nèi)將產(chǎn)能翻番。結(jié)合和下游客戶的溝通和緊密聯(lián)系得到的反饋，II-VI方面認(rèn)為市場(chǎng)方面明顯地低估了對(duì)SiC襯底的需求。此外，在下游需求的鎖定方面，和Cree類似，II-VI絕大部分的SiC襯底需求都是長(zhǎng)期合同。

日本SiC外延的領(lǐng)導(dǎo)廠商昭和電工近兩年也動(dòng)作頻密，在連續(xù)4次宣布擴(kuò)張其SiC外延產(chǎn)能后，其SiC外延產(chǎn)能從最初的1500片/月提升至2019年Q1的9000片/月。而位于臺(tái)灣的外延廠商嘉晶其2018年的sic外延產(chǎn)能為4寸 1500片/月，計(jì)劃在2019年新增6寸 1000片/月的產(chǎn)能。

一個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的動(dòng)力機(jī)制是非常復(fù)雜的，不過(guò)底層的幾個(gè)要素可以歸納為：成本（產(chǎn)能）、價(jià)格（需求）、性能、應(yīng)用和最終出海口。這里對(duì)SiC的產(chǎn)業(yè)動(dòng)力做一個(gè)比較粗陋的簡(jiǎn)化（性能上的邏輯在上面已經(jīng)有了闡述，這里就不增加進(jìn)來(lái)），如下圖所示：

資料來(lái)源：滴水研究

從上游材料廠商的動(dòng)作來(lái)看，接下來(lái)一輪的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的發(fā)起點(diǎn)，他們已經(jīng)或者意圖去擰動(dòng)鑰匙了——不論這里面很多的產(chǎn)能是否已經(jīng)兌現(xiàn)，一個(gè)聲明也是能起到類似的效果：對(duì)于產(chǎn)業(yè)里的玩家來(lái)說(shuō)，Cree這樣產(chǎn)業(yè)地位的公司的聲明，你是信啊，還是不信呢？

當(dāng)然后續(xù)的動(dòng)力傳導(dǎo)中，會(huì)有很多很細(xì)節(jié)的問(wèn)題，這些我們也會(huì)持續(xù)的跟蹤和研究。

材料廠商并不是盲目的擴(kuò)張產(chǎn)能——這點(diǎn)從上面對(duì)他們的公開說(shuō)明的整理中也可以感受到，一個(gè)是他們?cè)谑值暮芏嗍情L(zhǎng)期協(xié)議，一個(gè)是他們感受到的產(chǎn)業(yè)動(dòng)能比很多人士認(rèn)為的要強(qiáng)（雖然有可能這也是他們的一種手段）。接下來(lái)我們也整理下幾個(gè)SiC的器件巨頭的一些公開資料，梳理下它們對(duì)SiC產(chǎn)業(yè)動(dòng)能的觀點(diǎn)。

首先是STMicroelectronics 2019財(cái)年Q1的 Earnings Call Transcript：

“Then about silicon carbide, so our revenue target for 2019 is to be about US $200 million so to double the revenue addressing MOSFET, but also in certain extent diodes. Mainly, this revenue will come from our engagement in our main customer. But important to say, again, and to share with you that we are already engaged with 30 important programs with various customers across the various region in the world to address both electrification of the car and industrial end market. But early in 2019, the main part of our revenue will be linked to our already engage main customer.”

ST 2019財(cái)年對(duì)碳化硅器件的銷售收入目標(biāo)是約2億美元，意味著MOSFET/二極管的收入相比2018年增加一倍。這部分收入目前還是由主要客戶（tesla）支撐。但ST已經(jīng)和下游客戶有約30個(gè)重大項(xiàng)目在進(jìn)行。

“For Silicon Carbide, we announced the agreement to acquire the wafer manufacturer Norstel, on top of the multi-year supply agreement with Cree we already announced......In Q1, we also started to provide global carmakers with samples of our ACEPACK Drive module with SiC embedded.”

ST收購(gòu)了晶圓制造商N(yùn)orstel，和Cree達(dá)成了多年的供貨協(xié)議。且開始為全球汽車制造商提供采用SiC嵌入式ACEPACK驅(qū)動(dòng)模塊的樣品。

然后我們來(lái)看看On Semi 2018財(cái)年Q3的Earnings Call Transcript：

“We recorded our first silicon carbide revenue from automotive end markets in the third quarter. We are actively engaged with leading global automotive OEMs on many silicon carbide projects. We expect silicon carbide will be a significant driver of our automotive content increase, driven by electrification of the drive train. We expect to see strong acceleration in our automotive silicon carbide revenue for foreseeable future.”

On Semi2018財(cái)年Q3在汽車終端市場(chǎng)收獲了首筆碳化硅收入，正積極與全球領(lǐng)先的汽車原始設(shè)備制造商合作開展許多碳化硅項(xiàng)目。預(yù)計(jì)碳化硅將成為On semi汽車業(yè)務(wù)的重要推動(dòng)力，碳化硅收入將大幅增長(zhǎng)。

“Capacity utilization in third quarter was in the mid to high 80s. Expect that to be similar, maybe coming down slightly in the fourth quarter. Then silicon carbide, we are outsourcing the raw wafers, we have long term agreements on that front. We do internally our own raw wafers for regular silicon, and we talked about that several times that we are increasing our capacity to serve more and be less dependent on these input costs, but not on internal--not on the silicon carbide right now....The production based on the capital investments we made this year will get us to about 50% internal supply, and I don’t see that shifting significantly in 2019.”

On Semi在碳化硅晶圓方面有和合作伙伴的長(zhǎng)期協(xié)議，這點(diǎn)不同于硅晶圓。目前在SiC產(chǎn)品方面更多的考慮是增加服務(wù)能力并且減少輸入成本，外包是一個(gè)合適的選擇。內(nèi)部供應(yīng)量約50％，2019財(cái)年這一變化不大。

“We are not giving specifics on that yet, but as I mentioned, in total silicon carbide would be in the tens of millions this year, ramping multiples each year.”

On Semi 2018財(cái)年碳化硅的總量將達(dá)到數(shù)千萬(wàn)，每年都會(huì)增加數(shù)倍。

接下來(lái)，我們整理下Infineon 2019財(cái)年Q1 的Earnings Call Transcript slide：

預(yù)計(jì)Infineon SiC器件的銷售收入占比將從2018年的1%->2025年的20%。從單一的器件供應(yīng)發(fā)展成為多模塊供應(yīng)：

資料來(lái)源：Infineon

Infineon的SiC解決方案在汽車行業(yè)方面的進(jìn)展和計(jì)劃（2018->2020），從充電模塊到主變的滲透：

資料來(lái)源：Infineon

SiC功率器件在EV充電系統(tǒng)中的應(yīng)用和滲透率預(yù)測(cè)：

資料來(lái)源：Infineon

“So Silicon Carbide itself is still young and ramping for us. We're talking as I mentioned in the last call tens of millions last year, ramping to hundreds of millions in the next couple of years. So, it's still pretty early in that. We did see our first usage in EV automobiles for Silicon Carbide in both third and fourth quarters. I'm expecting EV to ramp quite nicely with all of our related products this year. I don't have an exact growth number but it's certainly going to be very high-double-digit numbers.”

對(duì)Infineon而言，SiC整體的定位還是屬于比較早期——空間正在從每年數(shù)千萬(wàn)美金到每年幾億美金發(fā)展變化。在2019財(cái)年的H2，預(yù)計(jì)Infineon的SiC產(chǎn)品在電動(dòng)汽車的應(yīng)用會(huì)開始突破。總體的判斷是：碳化硅器件會(huì)高速增長(zhǎng)。

最后，梳理下“超級(jí)出海口”豐田在SiC領(lǐng)域的布局：

作為2013年就建立了SiC專用的無(wú)塵間、2015年2月就發(fā)布了凱美瑞混合動(dòng)力SiC原型車的老司機(jī)，豐田在2017年停止了其在sic領(lǐng)域的大部分宣傳。很多產(chǎn)業(yè)內(nèi)的朋友認(rèn)為，這并不是豐田放棄了采用SiC，而是進(jìn)入了量產(chǎn)化階段的“潛伏模式”的證據(jù)。豐田目前的戰(zhàn)略是將應(yīng)用在大量出貨的普瑞斯上的電動(dòng)化技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)展到其他車型。如果遵循這一方針的話，2020年左右上市的下一代普瑞斯中，應(yīng)該就會(huì)采用新的SiC功率元件。

資料來(lái)源：Toyota

從這些巨頭公開的一些資料來(lái)看，SiC的應(yīng)用場(chǎng)景和趨勢(shì)是比較明確的，但各家對(duì)SiC這塊蛋糕也各有各的打算：Infineon作為功率半導(dǎo)體的擂主，其CoolSiC早在2016年就開始對(duì)外宣傳，但從其行動(dòng)上卻沒(méi)有大力跟進(jìn)——既有可能是其SiC器件的成熟度欠佳，可靠性還待更長(zhǎng)時(shí)間的檢驗(yàn)，也有可能是權(quán)衡SiC器件對(duì)其傳統(tǒng)強(qiáng)勢(shì)Si基功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的沖擊。ST和On Semi的包袱要小很多，步子邁得也大一些。ST更多的考量是可能借助SiC來(lái)提升自己的份額，而On Semi的策略大概還是延續(xù)其過(guò)往在各個(gè)市場(chǎng)的老二策略——及時(shí)跟進(jìn)，但不冒進(jìn)。

不管產(chǎn)業(yè)中的玩家會(huì)怎么博弈，也盡管SiC功率器件還是有它自己各種各樣的問(wèn)題，SiC器件的應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)，很有可能就在接下來(lái)的一兩年內(nèi)。

對(duì)于Cree，第三代半導(dǎo)體發(fā)展的路上，它在最重要的關(guān)卡上都做了布局——在SiC材料端，它是毋庸置疑的霸主。在SiC功率器件方面，它也是先驅(qū)。不過(guò)我認(rèn)為它應(yīng)該優(yōu)先甚至全力鞏固其在材料端的領(lǐng)先地位和護(hù)城河——器件會(huì)是一個(gè)大市場(chǎng)，但相比于功率半導(dǎo)體巨頭而言，Cree并沒(méi)有優(yōu)勢(shì)，且隨著未來(lái)SiC領(lǐng)域的發(fā)展，產(chǎn)業(yè)分工會(huì)更加明細(xì)。長(zhǎng)期的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)劣勢(shì)也會(huì)更加明顯。

當(dāng)然，在GaN這一塊業(yè)務(wù)上，可能Cree會(huì)面對(duì)不同的路徑？在最后一篇Cree的分析文章中，我們對(duì)此再來(lái)分析。祝各位看官一切順利。