日前，在第二屆IC全球企業(yè)家峰會氮化鎵產(chǎn)業(yè)論壇上，Qorvo應(yīng)用市場總監(jiān)黃靖作了題為《5G關(guān)鍵技術(shù)-氮化鎵》的演講。
Qorvo應(yīng)用市場總監(jiān)黃靖
黃靖表示，復(fù)合化合物半導(dǎo)體在在未來幾年5G的快速爬坡中將出現(xiàn)爆發(fā)性增長，尤其是在基站PA應(yīng)用中，氮化鎵將取代傳統(tǒng)的LDMOS。就國內(nèi)基站市場而言，Qorvo預(yù)估明年將有60萬個(gè)宏基站部署。
談到基站與組網(wǎng)，黃靖說道毫米波頻段不會像Sub-6GHz那么容易部署和組網(wǎng)，因此大部分都會在前傳網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)中出現(xiàn)，而今后主要的5G組網(wǎng)方式仍將是以Sub-6GHz為主。
黃靖說道，作為基站來說，天線數(shù)量相對過去要增加，同時(shí)基站總功率也需要增加，高效率的需求是LDMOS必然被氮化鎵所取代的最主要原因。“運(yùn)營商基站建設(shè)的投資要考慮Capex和Opex，如何幫助客戶實(shí)現(xiàn)更高的效率節(jié)約更多的成本，就需要高可靠的氮化鎵材料，支持更低功耗，更高帶寬和更高的頻率。”
黃靖表示，目前Qorvo基站用氮化鎵的主流工藝為0.25μm，相比市場上0.4μm工藝，可在更高頻率實(shí)現(xiàn)高性能。
此外，除了氮化鎵之外，Qorvo在發(fā)射端也有砷化鎵產(chǎn)品，而接收端則包括了砷化鎵和SOI及BAW的特色工藝技術(shù)。
黃靖總結(jié)道，目前Qorvo提供了集成封裝的組合方案，同時(shí)也針對更高性能的微波應(yīng)用需求推出單片產(chǎn)品。
談及氮化鎵的襯底市場是硅基還是碳化硅基時(shí)，黃靖認(rèn)為目前硅基產(chǎn)品的低成本還沒有體現(xiàn)出來，尤其是從襯底開始的整套配合，并不像碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈一樣完整。且目前碳化硅制程已經(jīng)從4英寸即將擴(kuò)展到6英寸，而硅基產(chǎn)品目前還沒有規(guī)模量產(chǎn)到8英寸，因此想與碳化硅競爭尚需時(shí)日。但未來產(chǎn)業(yè)鏈成熟之后，低成本的硅基還是會有充足的發(fā)揮空間。
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