作為半導體材料具有優異的性能，尤其是用于功率轉換和控制的功率元器件。但SiC在天然環境下非常罕見，最早是人們在太陽系剛誕生的46億年前的隕石中發現了少量這種物質，因此其又被稱為“經歷46億年時光之旅的半導體材料”。

Yole在近日發布的《功率碳化硅(SiC)：材料、器件及應用-2019版》報告中預計，到2024年，碳化硅功率半導體市場規模將增長至20億美元，2018-2024年期間的復合年增長率將高達29%。其中，汽車市場無疑是最重要的驅動因素，其碳化硅功率半導體市場份額到2024年預計將達到50%。

晶圓短缺還會持續嗎？

過去的兩三年里，晶圓供應短缺一直是制約SiC產業發展的重大瓶頸之一。面對不斷增長的市場需求，包括晶圓廠在內的眾多重量級玩家已經意識到必須擴大投資，以支持供應鏈建設。

科銳(Cree)公司在今年5月宣布將投資10億美元建造一座200mm SiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠，從而確保Wolfspeed SiC和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)產能在2024年實現30倍的增長，以滿足EV電動汽車和5G市場需求。

意法半導體(ST)2018年SiC收入約為1億美元，其2019年的目標收入為2億美元，2025年目標收入定為10億美元并希望由此占據30%的SiC市場份額。為此，ST在今年1月與Cree簽署了碳化硅晶圓多年供貨協議，根據協議，Cree將向ST供應價值2.5億美元的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。一個月后，ST又宣布收購瑞典SiC晶圓供應商Norstel AB 55%的股份，并享有在滿足某些條件下收購剩余45%股本的期權，如果行使期權，最終收購總價為1.375億美元。

同為SiC生產大廠的英飛凌(Infineon)自然也不甘落于人后。除了早在2018年2月就宣布與Cree達成SiC晶圓長期供貨戰略協議外，還于同年11月收購了初創企業Siltectra，并借此獲得了一種名為“冷切割(Cold Spilt)”的高效晶體材料加工工藝。英飛凌計劃將這項技術用于SiC晶圓的切割，并在未來五年內實現該技術的工業化規模使用，從而讓單片晶圓可出產的芯片數量翻番。據了解，截止至2018年，英飛凌SiC在充電樁市場的市占率超過五成。

以羅姆(ROHM)為代表的日系廠商則是SiC市場的另一支重要力量。該公司從2000年就開始進行SiC MOSFET的基礎研究，并在2009年收購德國SiC晶圓材料廠商SiCrystal，從而擁有了從晶棒生產、晶圓工藝到封裝組裝的完全垂直整合的制造工藝。其里程碑事件包括2010年全球首發SiC SBD(肖特基二極管)/MOS并實現量產、2012年全SiC模塊量產、2015年溝槽型SiC MOS量產以及2017年6英寸SiC SBD量產。

羅姆公司6英寸SiC MOSFET晶圓

市場調研機構Yole Development的數據顯示，2013年羅姆在全球SiC市場的份額為12%，而富士經濟的數據則表明，2018年羅姆的市場份額已增長至23%。羅姆半導體(北京)有限公司技術中心所長水原德健表示，從2017年到2025年，羅姆將階段性投資共計850億日元用于SiC生產。作為該項投資的一部分，羅姆在時隔12年之后再次在日本國內修建了一座占地面積20000m2的Apollo新工廠，主要為SiC器件提供晶圓，已于2019年4月動工，預計2021年投入使用。屆時，其SiC產能將是2017年的6倍，到2025年將達到16倍。

但安森美半導體(OnSemi)低壓及電池保護MOSFET和寬禁帶高級總監兼總經理Bret Zahn對“晶圓供應短缺制約了SiC市場發展”的說法持保留意見。

“我認為平臺導入設計的嚴格流程和隨后的認證一直是門檻，市場采用反而是在持續增加。”他分析稱，SiC市場此前主要使用100mm晶圓，直到最近2-3年，更多的SiC器件供應商開始進入市場，帶來了更激烈的市場競爭，由于具備成本優勢，150mm晶圓開始受到青睞。不過，150mm晶圓成品率不能與100mm晶圓成品率相當，所以供應商一直在努力提高更大直徑晶體的質量，這導致了高成品率150mm SiC晶圓的短缺。但隨著100mm晶圓供應商現在開始提供同等或更好裸片質量的150mm晶圓，以及不斷有新的晶圓供應商加入市場，SiC晶圓短缺現象已經開始得到緩解。

安森美于2017年進入SiC器件供應商市場，技術來自2016年末收購的飛兆(Fairchild)半導體。作為一家相對較新的SiC器件供應商，安森美從一開始就使用150mm晶圓生產，其核心策略是認證多個供應商，再重點收購那些能夠提供最高裸片成品率晶體的供應商，以確保SiC晶圓供應。同時，安森美還制定了內部SiC晶體成長計劃，目標是在2022年底提供至少50%的自有SiC晶圓，這種全面的SiC垂直整合對于保證供應(尤其是汽車客戶)和提供最低成本的SiC制造基礎設施極為關鍵。

汽車，重塑SiC市場的關鍵

SiC最初的應用場景主要集中在光伏儲能逆變器、數據中心服務器UPS電源和智能電網充電站等需要轉換效率較高的領域。以一款5KW LLC DC/DC轉換器為例，其電源控制板在采用Si IGBT(硅絕緣柵雙極型晶體管)時，重量7kg，體積8,775cc；而當采用SiC MOSFET之后，重量銳減至0.9kg，體積減小到1,350cc。這得益于SiC MOSFET的芯片面積僅為Si-IGBT的1/4，并且其高頻特性使損耗相比Si-IGBT下降了63%。

但人們很快發現，碳化硅的電氣(更低阻抗/更高頻率)、機械(更小尺寸)和熱性質(更高溫度的運行)也非常適合制造很多大功率汽車電子器件,例如車載充電器、降壓轉換器和主驅逆變器。尤其是特斯拉(Tesla)在其Model 3主驅逆變器中采用了SiC器件之后，示范效應被迅速放大，使xEV汽車市場很快成為SiC市場興奮的源泉。

著名的電動方程式賽車(Formula-E)中也用到了SiC技術。從2016年第三賽季開始，羅姆開始贊助Venturi車隊，并在賽車中使用IGBT+SiC SBD組合取代傳統200kW逆變器中的IGBT+Si FRD方案，相比之下，使用SiC方案后，逆變器在保持功率不變的前提下，重量降低2kg，尺寸減小19%。而當2017年第四賽季采用SiC MOS＋SiC SBD后，不但重量降低了6kg，尺寸減小43%，逆變器功率也由此前的200KW上升至220kW。

目前，xEV汽車中的主驅逆變器仍以IGBT+Si FRD方案為主，但考慮到未來電動汽車需要更長的行駛里程，更短的充電時間和更高的電池容量，采用SiC MOS器件將是大勢所趨，時間節點大約在2021年左右。此外，車用OBC和DCDC應用，也已經先后在2017/2018年迎來重大革新，分別由SiC SBD轉向SiC SBD＋SiC MOS和從Si MOS演變為SiC MOS。同時，采用SiC SBD＋SiC MOS方案的無線充電和采用SiC MOS方案的大功率DCDC正在研發中。

SiC在汽車應用中的趨勢

“將SiC逆變器用于電動汽車所帶來的經濟收益是顯而易見的。”水原德健說，通過SiC可以提高3%-5%的逆變器效率，降低電池成本/容量，并且SiC MOS有很大機會被率先引入高檔車中，因為其電池容量更大。

但Bret Zahn提醒業界說，在開發SiC時，晶圓制造、封裝/測試、應用測試和最終合格檢驗等開發鏈中的一切都必須重新考慮。例如，被認為在xEV市場最具吸引力的大裸片低導通電阻Rdson器件已被認定是個巨大的挑戰。由于SiC不同的屬性和小得多的裸片尺寸，業界需要再次重新考慮許多熱機械應力問題，也需重新設計互連技術，以獲得更高的電流密度和更低的電感。此外，在xEV市場，為了充分利用SiC所有的優勢，還必須強化伙伴關系，加強客戶溝通，以創建高度定制的系統方案。  

分立器件 VS 功率模組

和IGBT一樣，對于SiC，業界也普遍希望模塊扮演關鍵角色。但是全SiC模塊將采用什么形式？盡管一些制造商采用了標準硅封裝，但大多數制造商已經開發出自己的SiC模塊，例如特斯拉通過與ST、Boschman合作開發，已經成功打造了具有自主知識產權的SiC模塊設計供應鏈，相關器件由意法半導體完成制造。

Bret Zahn說光伏和xEV市場在SiC使用方面的發展路徑很有趣。過去兩年，光伏市場經歷了IGBT/SiC混合升壓模塊的加速推出，并在2019年開始邁向全SiC模塊。也就是說，光伏市場選擇的是一條從IGBT到混合IGBT/SiC，再到全SiC的路徑。

但xEV市場有些不同，它們繞過了混合方案，直接向全SiC模塊發展。這里有兩個原因：第一，相比IGBT/SiC混合方案，xEV供應商發現使用全SiC模塊逆變器能夠以更低的系統成本為xEV市場提供更好的性能；第二，競爭因素也在起作用，許多xEV供應商在看到同行采用全SiC系統方案后獲得了更好的行駛里程后，意識到他們也必須這樣做，否則就會被市場迅速淘汰。

降低價格的最快方法

SiC領域的專業人士對SiC器件往往是 “又愛又恨”。一方面，SiC器件具有高壓、高頻和高效率的優勢，在縮小體積的同時提高了效率，給市場帶來的機遇也遠遠大于挑戰。但另一方面，SiC在制造和應用方面又面臨很高的技術要求，如何降低使用門檻成為業界熱議的話題。

ST總裁兼首席技術官Jean-Marc Chery認為業界需要在短期內應對兩個關鍵挑戰：一個是供應鏈，另一個是成本。原材料供應商和設備供應商需要在數量上調整供應鏈，并采取相關措施來推動、證明在電動汽車等領域采用SiC是節能的。同時，與硅相比，盡管碳化硅在擊穿場強、禁帶寬度、電子飽和速度、熔點以及熱導率方面都更具優勢，但堅硬的材質和復雜的制造工藝流程大幅提高了成本，相關企業必須要在縮小器件、增加晶圓尺寸、降低材料成本、優化模塊設計等方面下功夫。

但即便如此，“單個SiC器件的成本還是會高于傳統Si器件”。不過，Chery說ST強調的是系統成本的最終節省。例如，在電動汽車中，SiC器件可能會額外增加300美元的前期成本，但總體而言，由于電池成本、電動汽車空間和冷卻成本的降低，卻節省了2000美元的系統成本。

Bret Zahn對此持同樣的觀點，原因也基本類似，主要源于SiC能夠提供更高的能效，延長電池使用壽命，減少熱量，并且有助于減少汽車電源管理系統的尺寸和重量，從而帶來更遠的行駛里程。雖然目前在器件級SiC價格仍然比Si IGBT貴，但是這些優點節省了系統級成本，這對xEV市場極具吸引力。

安森美方面認定垂直整合是實現SiC與IGBT成本平價(cost parity)的最快方法。除了垂直整合從晶棒生長到成品(包括裸片、分立器件和模塊)用于工業和汽車市場外，構建包括驅動器、全系列分立二極管和MOSFET、定制和插入即用的模塊方案、先進的SPICE模型和世界一流應用工程團隊在內的SiC生態系統亦非常關鍵，這能夠幫助用戶加速定制設計和上市時間。

在英飛凌工業功率控制事業部總監馬國偉博士看來，SiC的價格問題一直很嚴峻，客戶永遠希望價格越低越好。但作為一個新興技術，SiC自然也有新興技術所存在的普遍問題：產量小、穩定度不夠、價格高。雖然大家都希望SiC技術可以普及，但是從新興技術發展到通用技術這個過程往往是十分漫長的。

“IGBT從1990年發展至今，30年間經歷了7代技術革新，晶圓尺寸從4英寸增加到12英寸，芯片厚度從300μm降低到60μm，最終成本降到了原先的五分之一。所以SiC技術也同樣需要時間來進行技術上的打磨，從而降低成本。”馬國偉說。

下圖是羅姆給出的功率半導體器件使用場景總結。如果以開關頻率作為橫坐標，輸出功率或電壓作為縱坐標，那么SiC-MOSFET的應用主要集中在相對高頻高壓的區域，Si-IGBT/Si-MOSFET/GaN HEMT則分別對應高壓低頻、高頻低壓和超高頻低壓應用。

功率半導體器件使用場景總結

因此，盡管非常看好碳化硅，但ST方面還是強調說，碳化硅并不會完全取代硅基IGBT或MOSFET，這些技術產品在開關特性、功耗和成本方面各不相同，每一種都有自己非常適合應用領域。英飛凌大中華區副總裁于代輝則認為SiC能在某個行業對其效率有革命性的提升，比如提高能效、減少重量與體積。但SiC器件也不是萬金油，在接下來的很長一段時間內，Si與SiC器件都會長期并存并共同發展。