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2018年10月26日 | 大基金總裁丁文武:發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)要補(bǔ)短板、強(qiáng)長板

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  □本報(bào)記者 吳科任 楊潔

  在10月22日召開的北京微電子國際研討會(huì)暨IC World大會(huì)上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(簡稱“大基金”)總裁丁文武表示,發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)是建設(shè)創(chuàng)新國家的必然選擇,不管國際形勢多么復(fù)雜和嚴(yán)峻,中國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的信心和決心不會(huì)改變。發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)要在“補(bǔ)短板、強(qiáng)長板”方面下功夫。

  IC產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展

  據(jù)丁文武介紹,今年上半年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為2726.5億元,同比增長23.9%。其中,設(shè)計(jì)銷售額為1019億元,同比增長22.8%;制造銷售額為737.4億元,同比增長29.3%,繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢;封測銷售額為970億元,同比增長21.2%。

  中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示,自2012年以來,國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額連續(xù)保持每年兩位數(shù)高速增長態(tài)勢。2012年的銷售額為2158.5億元,同比增長11.6%;2013年銷售額為2508.51億元,同比增長16.2%;2014年銷售額為3015.4億元,同比增長20.2%;2015年銷售額為3609.8億元,同比增長19.7%;2016年為4335.5億元,同比增長20.1%;2017年為5411.3億元,同比增長24.8%。

  國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速發(fā)展的同時(shí),技術(shù)水平不斷提升。丁文武指出,在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,14納米和16納米的設(shè)計(jì)占比進(jìn)一步增加,設(shè)計(jì)水平接近國際先進(jìn)水平;在制造領(lǐng)域,28納米工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),14納米和16納米工藝研發(fā)與生產(chǎn)線建設(shè)取得階段性進(jìn)展;在封測領(lǐng)域,中高端封裝比例占30%以上;在裝備材料領(lǐng)域,部分關(guān)鍵材料和裝備已經(jīng)進(jìn)入國內(nèi)外生產(chǎn)線。

  值得一提的是,近期國內(nèi)集成電路制造領(lǐng)域捷報(bào)頻傳。10月18日,華力二期12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線正式建成投片;8月9日,中芯國際宣布在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上取得重大進(jìn)展;8月9日,長江存儲(chǔ)在美國召開的閃存峰會(huì)詳細(xì)介紹了X-tacking技術(shù)。丁文武表示,在存儲(chǔ)制造領(lǐng)域,“3D NAND flash和DRAM生產(chǎn)線正在建設(shè)過程中,有望很快建成投片。”

  大力補(bǔ)短板、強(qiáng)長板

  丁文武指出,要清醒認(rèn)識(shí)到,與國際水平相比國內(nèi)還有很大差距。一是對(duì)外依存度高,技術(shù)水平差距大;二是高端核心芯片基本依賴進(jìn)口;三是產(chǎn)業(yè)規(guī)模差距大;四是企業(yè)研發(fā)投入與國際大企業(yè)相比差距大;五是人才還有大量缺口。

  “盡管目前面臨復(fù)雜嚴(yán)峻的國際形勢和挑戰(zhàn),但要看到,國內(nèi)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)還是有機(jī)遇的,包括政策的大力支持、巨大的市場需求、新技術(shù)和新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)帶來的活力,以及對(duì)外開放、國際合作等。”丁文武表示,今后集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要在“補(bǔ)短板、強(qiáng)長板”方面下功夫。要理性發(fā)展集成電路制造業(yè)。現(xiàn)在很多地方發(fā)展集成電路的積極性很高,但要避免低水平重復(fù)、無序化、同質(zhì)化以及分散化的現(xiàn)象。

  具體到實(shí)踐層面,丁文武認(rèn)為,在設(shè)計(jì)領(lǐng)域,要大力發(fā)展高端芯片,比如CPU、MCU等;在制造領(lǐng)域,要大力發(fā)展先進(jìn)工藝生產(chǎn)線、存儲(chǔ)生產(chǎn)線以及化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線等;在封測領(lǐng)域,要擴(kuò)大高端封測的能力;在裝備領(lǐng)域,要大力發(fā)展光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等高端設(shè)備;在材料領(lǐng)域,要推動(dòng)大硅片、光刻膠、靶材、高純化學(xué)品等關(guān)鍵核心材料的產(chǎn)業(yè)化。

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