2018年9月18日，一年一度的上海FD-SOI論壇在上海準時舉行，本次大會由SOI產業聯盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司、中國科學院上海微系統與信息技術研究所聯合主辦。
Attopsemi董事長Shine Chung介紹了面向FD-SOI的I-Fuse技術，可以實現超高的可靠性和超低功耗的OTP。
Attopsemi董事長Shine Chung
眾所周知，OTP（One Time Programmable）是單片機的一種存儲器類型,意思是一次性可編程：程序燒入單片機后，將不可再次更改和清除。
隨著嵌入式應用的越來越廣泛，產品的安全也顯得越來越重要。一方面是為了保護硬件設計，另外一方面也是為了產品本身的安全，防止被HACKED.
“每個芯片都需要OTP，如果他是可負擔的并且是可靠的。”Shine Chung說道。
目前OTP均采用NVM（非易失存儲器），利用包括Break fuse，Rupture oxide或者trap charges技術改變浮柵，但其可靠性相比較邏輯器件低10倍到100倍。
目前，主要應用都是基于熔絲的OTP方案。
其中eFuse技術是最為常見的。
Attopsemi的I-Fuse技術相比較eFuse具有更可靠的物理特性，不需要更多工程學知識即可保證熔絲有效可靠，真正實現了0缺陷。同時操作電壓更低，功耗更低，所以可有效避免熱損耗。
I-Fuse的優勢一覽
Shine Chung強調，FD-SOI的特性可以和I-Fuse完美結合，Attopsemi先后推出了4K8 I-Fuse Array和Macro兩款IP，基于22nm FD-SOI技術，相比競爭對手的性能提高了7倍左右。
目前已有多家客戶采用了Attopsemi的IP。
Shine Chung表示，對于10nm和7nm以下工藝，MOS電壓不能無限縮小，因此不能使用反熔絲技術，而FD-SOI技術具有更低擊穿電壓，因此可以繼續使用反熔絲技術。
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