????說起王曦院士,有人說他是具有全球視野的科學家,有人說他是執行力高的實干家,也有人說他是富有情懷的領導者。近二十年來,與王曦聯系最緊密的一個詞,就是“SOI”,它也被稱為“絕緣體上的硅”。SOI材料具有高速、低功耗、抗輻照等優點,被公認為是“二十一世紀的硅集成電路技術”。而高端硅基SOI制備中的關鍵技術,正是王曦鉆研多年的“離子注入”。
其實早在上世紀80年代初我國就已經開始SOI技術研究,但是由于種種原因,SOI技術始終停留在論文水平,加上實驗室條件比較差,10多年的研究成果被束之高閣,中國始終沒有制備出可以真正投入使用的產品。
“SOI技術必須走向產業化。”王曦毅然擔起了重任,率領他的團隊開始技術攻關,2001年,他從科學家轉型成為企業家,創建了我國唯一的SOI材料研發和生產基地———上海新傲科技股份有限公司,解決了我國航天電子器件急需SOI產品的“有無”問題;2014年,為實現12英寸(300mm)半導體硅片的國產化,他又組建了國內最大的硅晶圓材料生產基地———上海新癉半導體科技有限公司;2015年,他創立了國內首家專注于硅材料產業及其生態系統發展的公司———上海硅產業投資有限公司,同時引進了不少國際高端管理人才。
“中國正在布局天地物聯網,宇宙中的輻射對衛星具有毀滅性影響,而SOI材料則能根本性解決這類問題,一勞永逸。”如今看來,16年前決心要將SOI產業化的決定是如此富有先見之明。
此外,王曦院士還帶領團隊在國際上獨創了具有核心自主知識產權的注氧鍵合Simbond-SOI新技術,成功完成我國8英寸SOI材料產業化,產品出口西方發達國家,實現我國微電子材料的跨越式發展。作為上海決策咨詢委員會委員、國家科技重大專項02專項技術副總師,大力推動上海一批半導體高科技重大項目,其中12英寸集成電路硅片項目有望填補我國大尺寸硅片產業空白,上海微技術工業研究院成為上海建設全球科創中心的“四梁八柱”,磁存儲器(MRAM)項目將為我國參與新一代存儲芯片產業全球競爭奠定基礎。
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