3月20-22日，電子設計創新大會（EDI CON CHINA 2018）在北京國家會議中心舉行。在3月21日的GaN專家論壇中，Qorvo參與了今年主題為“GaN走向全球”的專家論壇。
Qorvo大功率集成解決方案高級經理David Shih
在這個話題中，來自Qorvo的大功率集成解決方案高級經理David Shih將與眾多業內專家一起探討了這些問題：
在無線基礎設施中GaN是否已經取代LDMOS？硅基GaN的優勢是否從PPT轉變為現實？GaN是否在毫米波頻率下挑戰GaAs和硅？GaN為開關、混頻器和低噪聲放大器提供哪些性能優勢？中國企業是否已具備了有競爭力的技術和生產能力？
超密集組網通過增加基站部署密度，可實現頻率復用效率的巨大提升，并且帶來可觀的容量增長，未來隨著基站數量的增加，基站內射頻器件的需求也將隨之大幅提升。
David Shih認為，5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網絡的需求增長中受益。小基站及Massive MIMO的飛速發展，會對集成度要求越來越高，GaN自有的先天優勢會加速功率器件集成化的進程。5G將會帶動GaN這一產業的飛速發展，但是目前LDMOS仍有成本、芯片尺寸等方面的優勢。
GaN已成為射頻器件技術的重要經濟力量，正在瓜分4G應用中LDMOS市場的市場份額。那么隨著手機射頻前端復雜性的增加，GaN射頻器件是否已經能夠應用到終端設計例如手機中呢？
他認為，目前GaN用于手機主要挑戰有2個，一個是GaN的成本過高，另一個是GaN的供電電壓太高，不適合手機。不過，未來通過改進GaN射頻器件仍然有可能應用于手機。總結來看，憑借更高頻率密度、更高截止頻率及耐高溫等特性，GaN不僅能夠滿足5G射頻前端的需求，也能夠很好的滿足5G小基站的需求。
由此看來，GaN射頻器件非常好的頻率特性確實是5G的最好選擇，但系統中的其他器件沒有那么好的頻率特性與之匹配，GaN器件的優勢目前來說還不能很好的發揮。更為關鍵的高成本問題則影響著GaN的普及應用，至于在移動設備中的應用，目前受制于成本和電壓的問題應用還不現實。但David Shih強調，隨著GaN技術的進步，相信在5G時代GaN將取代傳統的半導體材料，得到更加廣泛的應用。
Qorvo正致力于改善GaN-on-SiC產品的性能并已可提供業內種類最多、最具創意的GaN-on-SiC產品組合。例如最近推出的QPD1025晶體管對市場來說是真正顛覆性的產品。與硅基LDMOS和硅雙極器件相比，QPD1025不僅具備相同的脈沖功率和占空比性能，在效率上還有了顯著提升。Qorvo推出的這款高功率和高效率解決方案，在熱管理工藝流程中無需采用金剛石等耐高溫材料，具備極高的高性價比。與LDMOS相比，QPD1025的漏極效率有了顯著提升，效率高出近15個百分點，這對IFF和航空電子應用來說都非常重要。
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史海拾趣
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