2018年2月28日 – 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現器件并聯。
安森美半導體最新發布的650 V SiC 二極管系列提供6安培（A）到50 A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容量和正溫度系數。
工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰。
這些650 V器件提供的系統優勢包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓（VF）及SiC二極管的無反向恢復電荷能減少功率損耗，因而提高能效。SiC二極管更快的恢復速度令開關速度更高，因此可以縮減磁性元件和其他無源元件的尺寸，實現更高的功率密度和更小的整體電路設計。此外，SiC二極管可承受更高的浪涌電流，并在 -55至 +175°C的工作溫度范圍內提供穩定性。
安森美半導體的SiC肖特基二極管具有獨特的專利終端結構，加強可靠性并提升穩定性和耐用性。此外，二極管提供更高的雪崩能量、業界最高的非鉗位感應開關（UIS）能力和最低的電流泄漏。
安森美半導體MOSFET業務部高級副總裁兼總經理Simon Keeton表示：“安森美半導體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現有的1200 V SiC器件相輔相成，為客戶帶來更廣泛的產品范圍。SiC技術利用寬帶隙 (WBG) 材料的獨特特性，比硅更實惠，其穩健的結構為嚴苛環境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設計更小的新器件。”
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