4 月 21 日消息，印度報(bào)業(yè)托拉斯 PTI 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，來(lái)自印度科學(xué)學(xué)院 IISc 的 30 名科學(xué)家一道向該國(guó)政府提交了一份提案，計(jì)劃開(kāi)發(fā)埃米級(jí)（即 10-10 米級(jí)、亞納米級(jí)）2D 非硅芯片。

報(bào)道指出這一科學(xué)家團(tuán)隊(duì)在 2022 年 4 月向印度首席科學(xué)顧問(wèn) (PSA) 提交了一份詳細(xì)項(xiàng)目報(bào)告 (DPR)，并在去年 10 月對(duì)報(bào)告進(jìn)行了修改和二次提交，該報(bào)告已向印度電子和信息技術(shù)部 (MeitY) 共享。據(jù)悉 MeitY 對(duì)此項(xiàng)目持積極態(tài)度。

IISc 團(tuán)隊(duì)在報(bào)告中提到了兩類(lèi)可用于制造埃米級(jí) 2D 非硅芯片的物質(zhì)：石墨烯和過(guò)渡金屬硫化物（簡(jiǎn)稱(chēng) TMD，如這一領(lǐng)域的“明星材料”二硫化鉬 MoS2），并尋求五年內(nèi) 50 億盧比（現(xiàn)匯率約合 4.27 億元人民幣）的政府研發(fā)支持資金。

印度在傳統(tǒng)硅基芯片制造領(lǐng)域相對(duì)落后，而硅基半導(dǎo)體的進(jìn)一步制程收縮正面臨一系列問(wèn)題，加速非硅 2D 芯片的研發(fā)有助于該國(guó)提升后硅時(shí)代的半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力。