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3 月 31 日消息，臺積電高級副總裁 Peter Cleveland 當(dāng)?shù)貢r間 3 月 28 日在美國表示，該企業(yè)在美子公司 TSMC Arizona 的第二座先進(jìn)制程晶圓廠正在建設(shè)中，而臺積電對第三晶圓廠的態(tài)度是希望盡快動工，這需要美國政府在環(huán)評認(rèn)證流程上配合。

根據(jù)美國官方《芯片與科學(xué)法案》相關(guān)網(wǎng)頁，TSMC Arizona 第二晶圓廠將提供 3nm FinFET 制程產(chǎn)能，預(yù)計將于 2028 年投產(chǎn)；而第三晶圓廠將深入 2nm 和 A16 的 Nanosheet (GAA) 制程，有望在本十年末投產(chǎn)。

臺積電高管：希望 TSMC Arizona 第三晶圓廠盡快動工

▲ TSMC Arizona

除第一輪價值 650 億美元（現(xiàn)匯率約合 4725.14 億元人民幣）的 3 座晶圓廠投資外，臺積電還將在美國境內(nèi)進(jìn)行第二輪 1000 億美元產(chǎn)能建設(shè)，這又涉及到另外 3 座晶圓廠、2 座先進(jìn)封裝設(shè)施以及 1 間主要研發(fā)團(tuán)隊中心。

Cleveland 宣稱美國是臺積電擴(kuò)展產(chǎn)能足跡的理想據(jù)點(diǎn)，其在美建設(shè)計劃對美國維持在 AI 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位有好處；但美國勞工成本遠(yuǎn)高于臺灣地區(qū)，這也帶來了一系列問題。該企業(yè)與美國商務(wù)部就結(jié)構(gòu)性問題有良好溝通。

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英飛凌計劃投資超20億歐元擴(kuò)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體，新廠首批晶圓2024年出貨

2月24日英飛凌官微消息顯示，英飛凌宣布將擴(kuò)大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。英飛凌將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。居林新廠區(qū)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)之后，將創(chuàng)造900個崗位。新廠區(qū)將于今年6月開始施工，在2024年夏季進(jìn)行設(shè)備安裝。首批晶圓將于2024年下半年開始出貨。對居林工廠的新增投資主要用于外延工藝和晶圓切割等具有高附加值的環(huán)節(jié)。據(jù)透露，目前，英飛凌已向3,000多家客戶提供基于碳化硅的半導(dǎo)體產(chǎn)品。英飛凌計劃到本世紀(jì)20年代中期，將碳化硅功率半導(dǎo)體的銷售額提升至1

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兩年內(nèi)全球?qū)⑿略?9座晶圓廠

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）今日發(fā)布最新一季“全球晶圓廠預(yù)測報告（World Fab Forecast）”指出，全球半導(dǎo)體制造商將于今年年底前啟動建置19座新的高產(chǎn)能晶圓廠，2022年將開工建設(shè)另外10座晶圓廠，以滿足通訊、計算、醫(yī)療、線上服務(wù)及汽車等廣大市場對于芯片不斷增加的需求。 SEMI指出，今明兩年內(nèi)中國大陸及中國臺灣地區(qū)各有8個新晶圓廠建設(shè)案，大幅領(lǐng)先其他地區(qū)，其次是美洲6個，歐洲/中東3個，日本和韓國各2個；新建設(shè)案中以12吋（300mm）晶圓廠為主，包括2021年的15座以及2022年啟建的7座。其他7座晶圓廠分別為4吋（100mm）、6吋（150mm）和8吋（200mm）廠。總計29座晶圓廠。達(dá)產(chǎn)后每月可生產(chǎn)

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