2月14日消息，半導體研究機構TechInsights、SemiWiki公布了臺積電N2 2nm級別、Intel 18A 1.8nm級別兩大尖端工藝的諸多細節，并進行了正面對比，發現各有優勢。

但需要首先強調，因為目前官方資料還不全，而且不同廠商的工藝各有特色，很難直接對比優劣，所以本文僅供參考，實際表現取決于具體產品。

Intel 18A官方稱進展順利，將在今年下半年投入量產，首款產品代號Panther Lake，主要面向筆記本移動端。

臺積電N2也會在今年下半年大規模量產，首發客戶還是蘋果，AMD Zen6預計也會使用。

根據研究，臺積電N2的高密度標準單元(HD standard-cell)晶體管密度為每平方毫米3.13億個，超過Intel 18A的每平方毫米2.38億個、三星SF2(原名SF3P)的每平方毫米2.31億個。

當然，這里說的只是按照標準單元晶體管的統計，但在實際應用中，不同工藝節點有自己的特殊設計，比如臺積電的FinFlex、NanoFlex，不同產品更會使用不同的晶體管單元，包括高密度(HD)、高性能(HP)、低功耗(LP)。

性能方面，TechInsights相信，Intel 18A對比臺積電N2、三星SF2都有優勢，不過這個也取決于具體產品。

TechInsights的計算方法也存在疑問，因為他是以臺積電N16FF 16nm、三星14nm作為基準，按照各自宣布的提升幅度，計算而來的，肯定存在偏差。

另外，Intel 18A工藝引入了PowerVia背部供電技術，可以大大提升晶體管密度和性能，臺積電N2是沒有的。

功耗方面，TechInsights分析認為，臺積電N2要比三星SF2更省電，而能效也是臺積電的一貫優勢。

至于Intel方面，還需要觀察，相信不會太差。