KLA Tencor公司日前公布了其2010年四季度財報,成功實現扭虧為盈,截至6月30日,公司凈收益為1.13億美元,或每股66美分,而去年同期為虧損2600萬。公司預計,下季度收入預計將達1.2億美元,以非GAAP準則計算,而總收入將躍升98%至5.59億。
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編輯:冀凱 引用地址:KLA公布四季度財報 成功扭虧
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KLA全新電子束缺陷檢測系統讓檢測性能提升一個新階段
KLA公司宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力,能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷,從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術的芯片)。eSL10的研發是始于最基本的構架,針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術,可提供高分辨率,高速檢測功能,這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。 KLA電子束部門總經理Amir Azordegan表示:“利用單一的高能量電子束,eSL10系統將電子束檢測性能提升到了一個新水平。在此之前,電子束檢測系統不能兼顧靈敏度和產能,嚴重限制了實際的應用。我們優秀的研發工程團隊采用了全
[測試測量]

KLA-Tencor 宣布推出新型光罩檢測系統
2016年8月22日,KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼:KLAC)針對 10 納米及以下的掩膜技術推出了三款先進的光罩檢測系統,Teron 640、Teron SL655 和光罩決策中心 (RDC)。所有這三套系統是實現當前和下一代掩膜設計的關鍵,使得光罩廠和集成電路晶圓廠能夠更高效地辨識光刻中顯著并嚴重損害成品率的缺陷。
利用創新的雙重成像技術,Teron 640 檢測系統為光罩廠提供了必要的靈敏度,對先進的光罩進行準確的品質檢驗。Teron SL655 檢測系統采用全新的 STARlightGold 技術,幫助集成電路制造商評估新光罩的質量,監測光罩退化,并檢測對成品率至關重要的光罩缺陷。Teron 檢測
[半導體設計/制造]

KLA-Tencor新款電子光束檢測平臺適用65nm工藝
為了加速在65nm和45nm半導體工藝節點的創新,KLA-Tencor推出新一代電子光束檢測平臺──eS32;該產品具有優良的細微電子與小型物理缺陷捕獲能力,能協助晶圓廠將許多新的物質與裝置架構整合至大量生產中。
eS32可應用在前端工藝(FEOL)與后端工藝(BEOL)中,針對可能影響良率的缺陷,進行偵測與解決。KLA-Tencor表示,該公司先前發表的eS30與eS31,在130nm和90nm的銅工藝BEOL良率挑戰中,已扮演了重要的角色,而新一代的eS32則突破了65nm以下節點工藝的障礙,除提供業界認可的BEOL解決方案,還具備優良的成像條件,可偵測影響良率且不斷增加的FEOL瑕疵種類。
[新品]
KLA-Tencor宣布推出針對光學和EUV空白光罩的FlashScan產品線
今天,KLA-Tencor公司(納斯達克股票交易代碼:KLAC)宣布推出全新的FlashScan空白光罩*檢測產品線。自從1978年公司推出第一臺檢測系統以來,KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測的主要供應商,新的FlashScan產品線宣告公司進入專用空白光罩的檢驗市場。光罩坯件制造商需要針對空白光罩的檢測系統,用于工藝開發和批量生產過程中的缺陷檢測,此外,光罩制造商(“光罩廠”)為了進行光罩原料檢測,設備監控和進程控制也需要購買該檢測系統。 FlashScan系統可以檢查針對光學或極紫外(EUV)光刻的空白光罩。 “先進的光刻技術從表征良好的空白光罩開始。” KLA-Tencor的光罩和寬帶等離子晶圓檢測部總經理熊亞霖博士
[半導體設計/制造]
KLA-Tencor公司針對7納米以下的IC制造推出五款圖案成型控制系
KLA-Tencor公司(納斯達克股票交易代碼:KLAC)今天針對7納米以下的邏輯和尖端內存設計節點推出了五款圖案成型控制系統,以幫助芯片制造商實現多重曝光技術和EUV光刻所需的嚴格工藝寬容度。在IC制造廠內,ATL?疊對量測系統和SpectraFilm? F1薄膜量測系統可以針對finFET、DRAM、3D NAND和其他復雜器件結構的制造提供工藝表征分析和偏移監控。Teron? 640e光罩檢測產品系列和LMS IPRO7光罩疊對位準量測系統可以協助掩模廠開發和認證EUV和先進的光學光罩。5D Analyzer? X1先進數據分析系統提供開放架構的基礎,以支持晶圓廠量身定制分析和實時工藝控制的應用。這五款新系統拓展了KLA-
[半導體設計/制造]

KLA-Tencor推出 PROLITH X3.1 光刻模擬軟件
??? 專為半導體和相關產業提供制程控制及成品率管理解決方案的供應商 KLA-Tencor 公司推出了他們最新一代的 PROLITH光刻模擬軟件。PROLITH X3.1 讓處于前沿領先地位的芯片廠商、研發機構及設備制造商能夠迅速且極具成本效益地解決EUV和兩次圖像合成光刻 (DPL) 制程中的挑戰性問題,包括線邊粗糙度 (LER) 和圖形成像問題。使用 PROLITH X3.1 光刻軟件能夠簡化他們的研發,節約寶貴的光刻單元資源,并加快產品開發。
??? KLA-Tencor 的制程控制信息部副總裁兼總經理 Ed Charrier 表示:“在評估 2Xnm 及以下設計的多項光刻技術方面,研發人員面臨著一項異常復雜的任務。他們
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