一年一度的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(International Solid State Circuit Conference，ISSCC)日前(2月8日)在美國(guó)舊金山登場(chǎng)，一位在會(huì)議上發(fā)表演說的學(xué)界專家表示，芯片微縮應(yīng)可在接下來的15年內(nèi)持續(xù)進(jìn)展，他并預(yù)測(cè)了「后CMOS時(shí)代」的接班技術(shù)。

      喬治亞理工學(xué)院(Georgia Institute of Technology)旗下Joseph M. Pettit微電子研究中心教授James Meindl在ISSCC的專題演說中表示：「在接下來的15年，我們會(huì)持續(xù)用力微縮芯片；而在硅芯片技術(shù)之外，奈米電子領(lǐng)域的革命性發(fā)展也許會(huì)以石墨烯(graphene)為中心演進(jìn)。」

      他預(yù)測(cè)，處理器硅制程可能會(huì)微縮至7.9奈米節(jié)點(diǎn)，時(shí)程在2024年；而在那之前或之后，石墨烯可望實(shí)現(xiàn)未來的兆級(jí)運(yùn)算(terascale computing)。

      為何是石墨烯從自旋電子(spintronics)、分子電子(molecular electronics)等技術(shù)中脫穎而出，成為后CMOS時(shí)代結(jié)束后最有希望的接班技術(shù)？以下是Meindl所提供的六個(gè)理由？

      1. 石墨烯的機(jī)械性強(qiáng)度-重量比(strength-to-weight ratio)，超越其它所有已知的材料；

      2. 其載體遷移率(carrier mobility)超過200,000cm2/Vs；

      3. 被稱為「迪拉克費(fèi)米子(Dirac fermions)」的零有效質(zhì)量載體與光子(photon)類似的，其速率比光速小三百倍，在微米等級(jí)的距離范圍內(nèi)無(wú)散射(scattering)；

      4. 其電流傳導(dǎo)密度是銅的一千倍，無(wú)電子遷移(electromigration)；

      5. 在室溫下的熱傳導(dǎo)性曾達(dá)到超過5,000W/mK的記錄；

      6. 能做為場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的源/通道汲極，也能做為互連(interconnect)。

      不久前，美國(guó)賓州大學(xué)的研究人員才宣布制造出4吋(100mm)石墨烯晶圓片，預(yù)告了碳IC時(shí)代不遠(yuǎn)的訊息