碳化硅（SiC）二極管和晶體管是現代電力電子解決方案和創新電力電子解決方案的關鍵組件，旨在實現超高功率密度和效率。通過將芯片作為獨立組件或與功率模塊中的硅功率器件結合，可以實現這些目標。特別是碳化硅二極管，它是進一步擴展
IGBT技術的重要部分。
由于存儲電荷少，所以可以顯著降低現代 IGBT 的導通損耗，因此與相應的純硅基解決方案相比，可以實現更高的開關頻率和/或更高的電流處理能力。
碳化硅(SiC)器件屬于所謂的寬禁帶半導體組別。與常用硅(Si)器件相比，它們為高壓功率半導體提供了許多有吸引力的特性。特別是，碳化硅具備更高的擊穿電場強度和導熱率，可以制造出遠超相應硅基的器件。這樣您就可以在設計中實現原本無法企及的效率水平。
英飛凌CoolSiC?半導體解決方案是邁向節能世界的一大步。將革命性的SiC技術與我們充足的的系統知識、一流的封裝和卓越的生產工藝相結合，使您能夠開發先進的高系統性價比新產品。 >>了解更多英飛凌CoolSiC? 半導體解決方案
CoolSiC? 產品選型手冊
針對1-80 kW三相功率系統的豐富的1200 V CoolSiC? MOSFET 分立器件
TO-247
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SMD
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|---|---|---|---|
| Rdson [mOhm] | 1200 V TO-247 3 Pin | 1200 V TO-247 4 Pin | 1200 V D2PAK-7 Pin |
| 30 | IMW120R030M1H | IMZ120R030M1H | IMBG120R030M1H |
| 45 | IMW120R045M1 | IMZ120R045M1 | IMBG120R045M1H |
| 60 | IMW120R060M1H | IMZ120R060M1H | IMBG120R060M1H |
| 90 | IMW120R090M1H | IMZ120R090M1H | IMBG120R090M1H |
| 140 | IMW120R140M1H | IMZ120R140M1H | IMBG120R140M1H |
| 220 | IMW120R220M1H | IMZ120R220M1H | IMBG120R220M1H |
| 350 | IMW120R350M1H | IMZ120R350M1H | IMBG120R350M1H |
我們有全球最豐富的 CoolSiC? MOSFET Easy 封裝產品
Rdson EasyDUAL? Easy Booster EasyPACK?
| [mOhm] | 1200V Halfbridge | 1200V Booster | 1200V H-Bridge | 1200V SixPACK |
|---|---|---|---|---|
| 45 | FF45MR12W1M1_B11 | FS45MR12W1M1_B11 | ||
| 23 | FF23MR12W1M1_B11 | DF23MR12W1M1_B11 | F4-23MR12W1M1_B11 | |
| 11 | FF11MR12W1M1_B11 | DF11MR12W1M1_B11 | ||
| 8 | FF8MR12W1M1_B11 | |||
| 6 | FF6MR12W1M1_B11 |
| 圖片 | 型號 | 描述 | 目標應用 |
|---|---|---|---|
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EVAL-PS-E1BF12-SIC |
該板的目的是評估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC? MOSFET模塊。 評估板允許進行雙脈沖測量以及DC / DC轉換器的功能測試。因此，該板設計為雙向降壓 - 升壓轉換器。 |
● 太陽能系統解決方案 ● 不間斷電源 |
