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電源轉(zhuǎn)換效率是推動(dòng)電力電子發(fā)展的重要因素，既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備極低的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)和非常快速的開關(guān)轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率時(shí)的低損耗和高效率功率轉(zhuǎn)換，能夠以較低的系統(tǒng)成本，實(shí)現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。
Nexperia采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的Cascode
GaN，與傳統(tǒng)Si-FET兼容的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單。采用久經(jīng)考驗(yàn)的SMD
CCPAK銅夾片封裝技術(shù)，以真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能，同時(shí)提供頂部散熱和傳統(tǒng)的底部散熱設(shè)計(jì)以增加設(shè)計(jì)靈活性并進(jìn)一步提高散熱能力。
技術(shù)資料
● 《安世半導(dǎo)體的GaN FET——高性能、高效、可靠性手冊(cè)》
● 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)——高效且富有成效的高功率FET
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直播主題
安世半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱“Nexperia”）高功率 GaN FET 助力新一代高效的電源設(shè)計(jì)
直播時(shí)間
2020年9月17日（周四）上午10:00-11:30
直播內(nèi)容
電源轉(zhuǎn)換效率是推動(dòng)電力電子發(fā)展的重要因素，既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備極低的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)和非常快速的開關(guān)轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率時(shí)的低損耗和高效率功率轉(zhuǎn)換，能夠以較低的系統(tǒng)成本，實(shí)現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。
Nexperia采用級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的Cascode
GaN，與傳統(tǒng)Si-FET兼容的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)非常簡(jiǎn)單。采用久經(jīng)考驗(yàn)的SMD
CCPAK銅夾片封裝技術(shù)，以真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能，同時(shí)提供頂部散熱和傳統(tǒng)的底部散熱設(shè)計(jì)以增加設(shè)計(jì)靈活性并進(jìn)一步提高散熱能力。
技術(shù)資料
● 《安世半導(dǎo)體的GaN FET——高性能、高效、可靠性手冊(cè)》
● 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)——高效且富有成效的高功率FET
觀看回放
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陳秋明
Nexperia GaN FET首席應(yīng)用工程師
陳秋明先生于2008起一直從事能源相關(guān)研發(fā)工作，在能源電源及半導(dǎo)體行業(yè)擁有10年以上的工作經(jīng)驗(yàn)。于2018年加入Nexperia，擔(dān)任首席高功率GaN FET的應(yīng)用工程師，負(fù)責(zé)產(chǎn)品線在大中國區(qū)的產(chǎn)品推廣及技術(shù)支持，對(duì)高功率GaN FET的優(yōu)越性能及其在工業(yè)、汽車行業(yè)的應(yīng)用方面擁有豐富的知識(shí)及經(jīng)驗(yàn)。
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