TDK株式會社(東京證券交易所代碼：6762) 推出采用模塊化柔性裝配技術的CeraLink FA類型電容器，進一步拓展了成熟的CeraLink?電容器的產品陣容。新類型電容器采用節省空間的設計，在相同的端子上并聯了兩個、三個甚至十個完全相同的電容器來增加容值。CeraLink FA類型電容器可提供500V DC、700V DC和900V DC的額定電壓，電容值介于0.5μF和10μF之間，具體視額定電壓和電容器數量而定。這些基于PLZT（鋯鈦酸鑭鉛）陶瓷電容器具有一個獨特亮點，即實現了高達150 °C的容許工作溫度。FA類型電容器寬7.4 mm，高9.1mm，長度具有6.3mm、9.3mm或30.3mm三種尺寸。盡管體積小，但它們的吸收紋波電流能力高達47 ARMS。
并聯開關的一個主要優勢是具有超低ESR（等效串聯電阻），在0.1至1MHz的大頻率范圍內，ESR明顯低于10 mΩ。即使在最小值的3nH電感量條件下，ESL（等效串聯電感）也極低。憑借弱寄生效應，CeraLink電容器非常適用基于快速切換半導體（如GaN或SiC）的轉換器拓撲結構，轉換時的過充電壓明顯低于常規電容器技術。此外，CeraLink電容器還能輕松滿足尺寸、電流容量，以及溫度等方面的特殊要求。
CeraLink面向的目標應用
關于CeraLink技術
TDK CeraLink電容器采用了新型專利反鐵電電容器技術，隨著電壓的增加該材料的電容值隨之增大。
憑借基于該反鐵電電容器新型專利技術，TDK CeraLink電容器的電容值隨著電壓增大而增大。
電容值相對于電壓
借助ESL和ESR極低的屬性，CeraLink電容器可支持更高的切換頻率以及成本更低且更穩定的半導體器件（如高速IGBT相對于MOSFET）。此外，由于需要顯著降低制造的復雜性、芯片面積通常小于超接面MOSFET和其高切換頻率，最新的IGBT具有卓越的性價比。該類型解決方案的成本通常比MOSFET解決方案低三分之一，此外，電容值、電路板空間、磁性元件和散熱器等尺寸也可顯著降低，因此，總方案成本 (TCS) 可降低40%多。
在用于系統集成時，CeraLink可降低由過壓（由系統方法引起）造成半導體器件損壞的風險。
新型專利系統解決方案
CeraLink的多層設計采用了一種帶銅內電極的新型設計陶瓷材料，在性價比方面具有明顯的優勢。
優勢
ESR隨著溫度大幅降低
ESL極低
銅內電極材料的屬性很有利于高頻切換，損耗低，且支持高Imax的快速轉換率。
適用于切換頻率高達1 MHz及以上的應用
寬工作溫度范圍，溫度可高達 +150 °C（還適用于SiC/ GaN）
高頻時損耗低
支持快速切換半導體
可進一步減小系統級電力電子設備尺寸
由于材料選擇恰當，漏電流超低
隨著頻率增加，介質損耗降低
接線端子，用于焊接和現代快壓合技術
隨著DC電壓向上偏移至工作電壓，電容值隨之增大
外殼緊湊，具有多個選項，可用于工業和汽車行業的典型電力模塊
提供用于集成至電力模塊 (IGBT/ MOSFET/ SiC) 的特殊型號
特性
電容密度高
ESR和ESL值極低
高電流密度，可-有效降低紋波電壓
隨著電壓增大有效電容值增大
可用于高溫波動的應用
高頻時損耗低
支持快速切換半導體
可減小系統級電力電子設備尺寸
規格
絕緣電阻很高，大于1 GΩ，特別是高溫下，漏電流很低。
ESL極低，小于3.5 nH
工作溫度介于 -40 °C至+125 °C（短期可高達 +150 °C），還適用于SiC和 GaN
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史海拾趣
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